“Nhu cầu thị trường về mật độ và dung lượng lưu trữ lớn ngày càng tăng đã thúc đẩy việc gia tăng số lượng lớp V-NAND hơn, Samsung đã áp dụng công nghệ mở rộng quy mô 3D tiên tiến của mình để giảm diện tích bề mặt và chiều cao, đồng thời tránh sự giao thoa giữa các ô (cell) thường xảy ra khi thu nhỏ quy mô” – SungHoi Hur, Phó Giám đốc Điều hành Mảng Sản phẩm Flash & Công nghệ tại Samsung cho biết. “V-NAND thế hệ thứ 8 của Samsung sẽ đáp ứng được nhu cầu gia tăng của thị trường, nâng tầm định vị thương hiệu của công ty để đem đến các sản phẩm và giải pháp khác biệt, đồng thời tạo tiền đề cho những cải tiến trong công nghệ lưu trữ tương lai.”

Samsung đã đạt được mật độ bit cao nhất trong ngành bằng cách nâng cao đáng kể năng suất bit trên mỗi tấm wafer. Dựa trên giao diện Toggle DDR 5.0*, V-NAND thế hệ thứ 8 của Samsung (với công nghệ NAND flash mới nhất) có tốc độ đầu vào và đầu ra (I/O) lên đến 2,4 gigabit /giây (Gbps), tăng 1,2 lần so với thế hệ tiền nhiệm. Điều này cho phép chip V-NAND mới đáp ứng các yêu cầu hiệu suất của chuẩn PCIe 4.0 và sau đó là PCIe 5.0.

V-NAND thế hệ thứ 8 dự kiến sẽ trở thành nền tảng cho các cấu hình lưu trữ với khả năng mở rộng dung lượng lưu trữ trong các máy chủ doanh nghiệp thế hệ tiếp theo, đồng thời mở rộng phạm vi ứng dụng vào thị trường ô tô, nơi độ tin cậy là đặc biệt quan trọng.

* Ghi chú của biên tập: Chuyển đổi các thế hệ giao diện DDR – 1.0 (133Mbps), 2.0 (400Mbps), 3.0 (800Mbps), 4.0 (1.200Mbps), 5.0 (2.400Mbps)