Hoge snelheden en capaciteiten voor nieuwe Samsung Micro SD kaarten

Samsung introduceert de eerste 256GB SD Express microSD-kaart in de sector met snelheden die ruim vier keer hoger zijn dan de huidige interface

De 1TB UHS-1 microSD-kaart van Samsung in massaproductie op basis van de nieuwste V-NAND-technologie

Samsung, toonaangevend op het gebied van geavanceerde geheugentechnologie, introduceert zijn 256 gigabyte (GB)[1] SD Express[2] microSD-kaart met een leessnelheid tot 800 megabytes per seconde (MB/s). Daarnaast is het bedrijf begonnen met de massaproductie van zijn 1-terabyte (TB)[3] UHS-1 microSD-kaart. Met deze nieuwe generatie microSD-kaarten biedt Samsung de geheugenoplossingen voor toekomstig mobiel computergebruik en on-device AI-toepassingen.

“Met deze twee nieuwe microSD-kaarten komen we tegemoet aan de groeiende eisen van mobiel computergebruik en on-device AI,” zegt Roderick Niehorster, Marketing Manager Digital Storage bij Samsung Benelux. “Ondanks hun kleine formaat bieden deze geheugenkaarten SSD-waardige prestaties en capaciteiten, waarmee ze geschikt zijn voor zowel moderne als toekomstige toepassingen.”

SD Express micro SD-kaart met snelheden tot 800 MB/s

Met de introductie van een microSD-kaart op basis van de SD Express-interface, heeft Samsung een primeur in de sector. Dankzij een energiezuinig ontwerp en geoptimaliseerde firmware voor hoge prestaties en warmtebeheer, levert de kaart SSD-waardige prestaties in een compact formaat. Waar de leessnelheden voor traditionele microSD-kaarten met een UHS-1-interface beperkt waren tot 104MB/s, is met SD Express tot maar liefst 985MB/s mogelijk. Deze snelheden waren tot nu toe niet commercieel beschikbaar voor microSD-kaarten.

De SD Express microSD-kaart van Samsung heeft een sequentiële leessnelheid tot 800MB/s – 1,4 keer sneller dan SATA SSD’s (tot 560MB/s) en meer dan vier keer sneller dan traditionele UHS-1-geheugenkaarten (tot 200MB/s). Om de prestaties in het kleine formaat te garanderen, zorgt de Dynamic Thermal Guard (DTG) voor de optimale temperatuur, zelfs tijdens lange gebruikssessies.

1TB UHS-1 microSD-kaart met geavanceerde 1Tb V-NAND

Samsungs nieuwe 1TB microSD-kaart gebruikt acht lagen van de 8e generatie 1-terabit (Tb) V-NAND, waardoor een capaciteit wordt bereikt die voorheen alleen beschikbaar was bij SSD’s. De nieuwe 1TB microSD-kaart doorstaat de strengste tests en is zeer betrouwbaar, zelfs in uitdagende omgevingen, met bescherming tegen water, extreme temperaturen, vallen, slijtage, röntgenstraling en magnetische velden[4].

Beschikbaarheid

De 256GB SD Express microSD-kaart zal later dit jaar verkrijgbaar zijn en de 1TB UHS-1 microSD-kaart zal in het derde kwartaal van dit jaar op de markt komen.

[1]1 gigabyte (GB) = 1.000.000.000 bytes (1 miljard bytes). De werkelijke bruikbare capaciteit kan variëren.

[2] SD Express: de nieuwe SD-kaartinterface met PCIe Gen3x1 (gebaseerd op de SD 7.1-specificatie uitgebracht in februari 2019), met een theoretische overdrachtssnelheid van 985 MB/s.

[3] 1 terabyte (TB) = 1.000.000.000.000 bytes (1 biljoen bytes). De werkelijke bruikbare capaciteit kan variëren.

[4] Samsung is niet aansprakelijk voor enige schade en/of verlies van gegevens of kosten die voortvloeien uit het herstellen van gegevens op de geheugenkaart. De zes genoemde soorten bescherming zijn alleen van toepassing op een UHS­-1 microSD-kaart van 1TB, niet op een SD Express microSD-kaart van 256GB. 1M diepte, zout water, 72 uur. Operationele temperaturen van -25℃ tot 85℃ (-13°F tot 185°F), niet-operationele temperaturen van -40℃ tot 85℃ (-40°F tot 185°F). Bestand tegen standaard röntgenapparatuur op luchthavens (tot 100mGy). Magnetisch veldequivalent van een high-field MRI-scanner (tot 15.000 gauss). Bestand tegen vallen tot 5 meter (16,4 voet). Tot 10.000 swipes.