Samsung Electronics begint met leveren van baanbrekende HBM4E-samples

Samsung Electronics heeft vandaag bekendgemaakt dat het is begonnen met het leveren van de eerste samples van 12-laagse HBM4E-geheugenchips aan grote wereldwijde klanten, waarmee het zijn leidende positie in de HBM-markt van de volgende generatie verder versterkt.

Na de eerste massaproductie en commerciële levering van de toonaangevende HBM4-geheugenchip eerder dit jaar breidt Samsung de HBM-roadmap verder uit met de introductie van HBM4E-samples, die inspelen op de snel evoluerende vereisten van AI-computing en hyperscale-infrastructuur.

“Na de succesvolle massaproductie van de HBM4-geheugenchip laat Samsung met de HBM4E opnieuw zijn technologische voorsprong zien”, zei Sang Joon Hwang, Executive Vice President en Head of Memory Development bij Samsung Electronics. “Dankzij onze geavanceerde productiemogelijkheden en voortijdige investeringen in infrastructuur zullen we de groei van de wereldwijde AI-geheugenmarkt blijven stimuleren.”

De HBM4E-geheugenchip van Samsung levert een stabiele pinsnelheid van 14 gigabits per seconde (Gbps), met schaalbare prestaties tot 16 Gbps voor steeds intensievere gegevensverwerking. Dit betekent een toename van meer dan 20% ten opzichte van de HBM4, met een geheugenbandbreedte tot 3,6 terabytes per seconde (TB/s) per stack, voor de best mogelijke prestaties in computing voor grote taalmodellen (LLM’s) en AI-systemen van de volgende generatie.

De 12-laagse HBM4E-geheugenchip van Samsung heeft een capaciteit van 48 gigabyte (GB), wat ruim 30% meer is dan de vorige generatie, met plannen om het assortiment uit te breiden met configuraties van 32 GB (8-laags) en 64 GB (16-laags) in overeenstemming met de eisen van de klant.

De HBM4E onderscheidt zich door optimaal gebruik te maken van de uitgebreide halfgeleidercapaciteiten van Samsung en dezelfde toonaangevende technologieën die door de ervaring met de productie van HBM4-geheugenchips van Samsung zijn verfijnd. Dit omvat het meest geavanceerde DRAM-proces van de 6e generatie in de klasse van 10 nanometer (nm) (1c) en de logic base van 4 nm van Samsung Foundry, waardoor de HBM4E verbeterde processtabiliteit en produceerbaarheid garandeert.

Optimalisatie in ontwerp en proces voor de geheugen- en de logica-architectuur van de HBM4E van Samsung verbeteren ook de prestaties, energie-efficiëntie en opbrengst.

Samsung zal de start van de massaproductie van de HBM4E aanpassen aan de planning van klanten, na de eerste leveringen van samples en optimalisatie.

De HBM4 was de eerste in massaproductie vervaardigde geheugenchip in de industrie en heeft hier de lat hoog gelegd met snelheden van 11,7 Gbps in SiP-testen (System in Package).

De stabiele aanvoer van Samsungs HBM4 blijft groeien en dus wordt er verwacht dat zijn nieuwste HBM4E, met dezelfde combinatie van core en base die, ook in massaproductie zal worden vervaardigd om de innovatie in AI-systemen van de volgende generatie verder te versnellen. Met een uitgebreide portfolio op het gebied van geheugen, foundry, logica-ontwerp en geavanceerde behuizing zal Samsung blijven zorgen voor een stabiele aanvoer van halfgeleiders voor de snelgroeiende AI-markt.