Samsung Electronics commence à livrer les premiers échantillons HBM4E du secteur

Samsung Electronics a annoncé aujourd’hui avoir commencé à livrer à ses principaux clients internationaux les premiers échantillons de HBM4E à 12 couches du secteur, renforçant ainsi son leadership sur le marché de la HBM de nouvelle génération.

Après avoir lancé, plus tôt cette année, la première production en série et la première livraison commerciale de sa technologie HBM4 de pointe, Samsung élargit désormais sa feuille de route HBM avec le lancement d’échantillons HBM4E, afin de répondre aux besoins en constante évolution du calcul AI et des infrastructures hyperscale.

« Après le succès de la production en série de la HBM4, Samsung a une nouvelle fois démontré son avance technologique incontestable avec la HBM4E » a déclaré Sang Joon Hwang, Executive Vice President and Head of Memory Development chez Samsung Electronics. « Grâce à nos capacités de fabrication de pointe et à nos investissements proactifs dans les infrastructures, nous continuerons à stimuler la croissance du marché mondial des mémoires pour l’AI. »

La technologie HBM4E de Samsung offre une vitesse de transmission stable de 14 gigabits par seconde (Gbps), avec des performances pouvant atteindre 16 Gbps afin de répondre aux besoins de plus en plus exigeants en matière de traitement des données. Cela représente une augmentation de plus de 20 % par rapport à sa HBM4, tout en offrant une bande passante mémoire pouvant atteindre 3,6 téraoctets par seconde (To/s) par pile, ce qui permet d’optimiser les performances de calcul des grands modèles de langage (LLM) et des systèmes d’AI de nouvelle génération.

La mémoire HBM4E à 12 couches de Samsung est proposée avec une capacité de 48 gigaoctets (Go), soit une augmentation de plus de 30 % par rapport à la génération précédente. Il est prévu d’élargir la gamme pour inclure des configurations de 32 Go (8 couches) et 64 Go (16 couches), en fonction des besoins des clients.

La technologie HBM4E se distingue en tirant pleinement parti des compétences étendues de Samsung dans le domaine des semi-conducteurs et en s’appuyant sur les mêmes technologies de pointe, perfectionnées grâce à l’expérience acquise par l’entreprise dans la production de la technologie HBM4. Il s’agit notamment du processus DRAM de classe 10 nanomètres (nm) de 6^e génération le plus avancé de l’industrie (1c) et de la matrice de base logique 4 nm de Samsung Foundry, ce qui permet à la HBM4E de bénéficier d’une meilleure stabilité du processus et d’une plus grande facilité de fabrication.

L’optimisation de la conception et des processus, tant au niveau des architectures mémoire que logiques de la technologie HBM4E de Samsung, permet également d’améliorer les performances, l’efficacité énergétique et le rendement.

Samsung prévoit de lancer la production en série de la mémoire HBM4E en fonction des calendriers de ses clients, après l’envoi des premiers échantillons et la phase d’optimisation.

La HBM4 a été le premier de son genre à entrer en production de série et a réussi à établir la norme dans le secteur avec des débits de 11,7 Gbps lors de ses tests en configuration « system in package » (SiP).

Alors que l’approvisionnement en HBM4 de Samsung continue de se stabiliser et de s’intensifier, la dernière version HBM4E de la société, qui utilise la même combinaison de puces centrales et de puces de base, devrait entrer en production de série afin d’accélérer davantage l’innovation dans les systèmes d’AI de nouvelle génération. Grâce à son portefeuille complet couvrant la mémoire, la fonderie, la conception logique et les techniques d’encapsulation avancées, Samsung continuera à garantir un approvisionnement stable en semi-conducteurs pour le marché en plein essor de l’AI.