Samsung lance la fabrication à grande échelle d’une DRAM LPDDR5 16 Go sur la plus grande ligne de semi-conducteurs au monde

le 01-09-2020
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Samsung commence à livrer la mémoire DRAM LPDDR5 16 Go à base EUV, une première dans la catégorie 10 nm (1z) de troisième génération
Après la DRAM, la nouvelle Ligne 2 de Pyeongtaek produira des V-NAND et des solutions de fonderie de nouvelle génération.

 

Samsung Electronics Co., Ltd., le numéro un mondial des technologies avancées en matière de mémoires, annonce aujourd’hui que sa deuxième ligne de production de Pyeongtaek, en Corée, a entamé la fabrication à grande échelle de la DRAM mobile LPDDR5 16 gigabits, une première mondiale réalisée grâce au procédé EUV (extreme ultraviolet). Conçue dans le cadre du processus Samsung 10 nm (1z) de troisième génération, la nouvelle LPDDR5 16 Go offre des performances mobiles sans précédent et une capacité inégalée. Elle permettra à des consommateurs encore plus nombreux d’exploiter entièrement les fonctionnalités 5G et IA des nouveaux smartphones.

 

« La LPDDR5 16 Go à base 1z fait entrer l’industrie dans une nouvelle ère en surmontant un obstacle majeur au développement des DRAM à l’échelle des nœuds avancés, » déclare Jung-bae Lee, vice-président exécutif DRAM Product & Technology chez Samsung Electronics. Nous allons continuer à enrichir notre haut de gamme DRAM et à surpasser les attentes de nos clients. C’est tout le marché des mémoires qui en bénéficiera. »

 

Complexe de Pyeongtaek : expansion de la capacité de production

S’étendant sur plus de 128 900 mètres carrés (l’équivalent d’environ 16 terrains de football), la Ligne 2 de l’usine Samsung de Pyeongtaek est actuellement la plus grande infrastructure de ce type dans le monde.

La nouvelle ligne de Pyeongtaek centralisera la mise en œuvre des technologies de semi-conducteurs les plus avancées du marché. Les DRAM de pointe seront suivies d’une nouvelle génération de V-NAND et de solutions de fonderie qui renforcera le leadership de l’entreprise à l’ère Industrie 4.0.

 

Mémoire mobile : records de vitesse et de capacité

Basée sur le processus le plus avancé d’aujourd’hui (1z), la nouvelle LPDDR5 16 Go de Samsung est la première mémoire produite en masse grâce à la technologie EUV. Elle bat les records de capacité et de vitesse des DRAM mobiles.

À 6 400 mégabits par seconde (Mb/s), la nouvelle LPDDR5 se montre environ 16 pour cent plus rapide que la LPDDR5 12 Go (5 500 Mb/s) qui équipe la majorité des bons appareils mobiles actuels. Incorporée dans un package 16 Go, la LPDDR5 est capable de transférer une dizaine de films full-HD de 5 Go, soit 51,2 Go de données, en une seconde à peine.

 

Utilisant le premier processus commercial 1z, le package LPDDR5 est 30 pour cent plus mince que son prédécesseur. Résultat : les smartphones 5G et multicaméras ainsi que les appareils pliables embarqueront davantage de puissance sans augmenter leurs dimensions. La LPDDR5 16 Go peut former un package 16 Go à partir de huit puces seulement, alors que son prédécesseur 1y en nécessitait 12 (huit puces 12 Go et quatre puces 8 Go) pour la même capacité.

 

En mettant la première LPDDR5 16 Go à base 1z à la disposition des constructeurs mondiaux de smartphones, Samsung entend conforter en 2021 sa présence sur le marché des appareils mobiles. Samsung va aussi élargir l’utilisation de ses produits LPDDR5 aux applications automobiles. Une plage de température agrandie permettra de respecter des normes strictes de sécurité et de fiabilité dans les environnements extrêmes.

 

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