Samsung lance la production de masse de la première DRAM mobile LPDDR5 de 12Go pour les smartphones premiums

le 19-07-2019
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Basée sur les dernières normes de la DRAM mobile, la nouvelle mémoire LPDDR5 de 12 Go de Samsung maximise le potentiel des fonctions 5G et AI dans les futurs flagships de la marque

Samsung Electronics Co, Ltd, a annoncé aujourd’hui qu’elle a commencé à produire en masse la première mémoire vive dynamique (DRAM) mobile LPDDR5 de 12 gigaoctets du marché. Elle est optimisée pour l’utilisation des fonctions 5G et AI des futurs smartphones. La nouvelle mémoire mobile arrive à peine cinq mois après l’annonce de la production de la LPDDR4X de 12 Go. Samsung prévoit également de commencer la production de paquets de LPDDR5 de 12 gigaoctets plus tard ce mois-ci, chacun combinant huit puces de 12 Go. Samsung répond ainsi à la demande croissante de la part des fabricants de smartphones haut de gamme pour de meilleures performances et plus de capacités.

 

« Nous nous félicitons de pouvoir soutenir les futurs smartphones 5G haut de gamme de nos clients mondiaux grâce à la production en grande série de la mémoire LPDDR5 de 12 gigaoctets développée sur les processeurs classe 10 nanomètres (nm) de deuxième génération les plus récents de Samsung », indique Jung-bae Lee, Vice-président exécutif de DRAM Product & Technology chez Samsung Electronics.

 

Forte de la vitesse la plus élevée et de la meilleure efficacité énergétique du marché, la nouvelle puce de Samsung permet aux smartphones phares de la prochaine génération d’exploiter pleinement les possibilités 5G et AI comme l’enregistrement vidéo ultra haute définition et le machine learning tout en augmentant considérablement l’autonomie de la batterie.

 

Avec un débit de 5 500 mégabits par seconde (Mb/s), le LPDDR5 de 12 Go est environ 1,3 fois plus rapide que la mémoire mobile précédente (LPDDR4X, 4 266 Mb/s) que l’on trouve sur les smartphones haut de gamme actuels. Les packages de 12 Go peuvent transférer 44 Go de données – comparables à 12 fichiers vidéo full-HD de 3,7 Go – en une seconde. La nouvelle puce consomme également 30 % d’énergie en moins que son prédécesseur grâce à l’intégration d’un nouveau circuit design qui présente des améliorations en termes de clocking, training et low-power feature, qui garantissent des performances stables, même à une vitesse extrêmement élevée.

 

Afin de garantir une capacité de production plus flexible, Samsung envisage de transférer sa production de LPDDR5 de 12 Go sur son campus de Pyeongtaek (Corée) à partir de l’année prochaine. Dans la foulée du lancement de la DRAM mobile LPDDR5 de 12 Go, Samsung prévoit également de développer une LPDDR5 de 16 Go l’an prochain, afin de renforcer son avantage concurrentiel sur le marché mondial des mémoires.

 

[Reference] Samsung Mobile DRAM Timeline: Production/Mass Prod.

Date Capacité Mobile DRAM
Juillet 2019 12GB 10nm-class 12Gb LPDDR5, 5500Mb/s
Juin 2019 6GB 10nm-class 12Gb LPDDR5, 5500Mb/s
Fev. 2019 12GB 10nm-class 16Gb LPDDR4X, 4266Mb/s
Avril 2018 8GB (development) 10nm-class 8Gb LPDDR5, 6400Mb/s
Sept. 2016 8GB 10nm-class 16Gb LPDDR4X, 4266Mb/s
Août 2015 6GB 20nm 12Gb LPDDR4, 4266Mb/s
Dec. 2014 4GB 20nm 8Gb LPDDR4, 3200Mb/s
Sept. 2014 3GB 20nm 6Gb LPDDR3, 2133Mb/s
Nov. 2013 3GB 20nm-class 6Gb LPDDR3, 2133Mb/s
Juillet 2013 3GB 20nm-class 4Gb LPDDR3, 2133Mb/s
Avril 2013 2GB 20nm-class 4Gb LPDDR3, 2133Mb/s
Août 2012 2GB 30nm-class 4Gb LPDDR3, 1600Mb/s
2011 1/2GB 30nm-class 4Gb LPDDR2, 1066Mb/s
2010 512MB 40nm-class 2Gb MDDR, 400Mb/s
2009 256MB 50nm-class 1Gb MDDR, 400Mb/s

 

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