Samsung lança chipsets de RF de última geração para estações base 5G no MWC 2019

 Usando os novos chipsets de RF, a Samsung está reduzindo o tamanho, o peso e o consumo de energia de sua estação rádio-base de 5G em aproximadamente 25%, mantendo sua liderança na indústria.

A Samsung já vendeu mais de 36 mil estações rádio-base 5G desde fevereiro

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O novo RFICs 5G chipset

A Samsung Electronics Co. Ltd. anunciou hoje que concluiu com sucesso o desenvolvimento de seus Circuitos Integrados de Radiofrequência (RFIC em inglês) em ondas milimétricas (mmWave) e de seus Circuitos Integrados de Aplicação Específica (ASIC) de Front End Digital / Analógico (DAFE) de última geração, que suportam bandas de 28GHz e 39GHz.

Os novos RFICs e ASICs para DAFE da Samsung, principais componentes do chipset 5G, possibilitam uma redução de aproximadamente 25% no tamanho, peso e consumo de energia das estações rádio-base de 5G em comparação com as gerações anteriores. Estações rádio-base 5G que usam esses novos chipsets são mais eficientes em instalação e operação.

“Nossas inovações tecnológicas em Pesquisa e Desenvolvimento de 5G foram as principais forças motrizes por trás sucesso dos serviços comerciais em 5G nos EUA e na Coreia em 2018, com mais de 36 mil de estação rádio-base 5G vendidas”, disse Paul Kyungwhoon Cheun, vice-presidente executivo e chefe de Negócios de Redes da Samsung Electronics. “Na vanguarda do início da 4ª Revolução Industrial, a Samsung continuará acelerando a comercialização do 5G, impactando as indústrias em geral e o dia a dia das pessoas, ao oferecer latência ultra-baixa, velocidade ultra-alta e conectividade massiva.”

Para alcançar velocidades ultrarrápidas de dados, as estações rádio-base 5G contam com quase mil elementos de antena e vários RFICs para utilizar o espectro das ondas milimétricas. A adoção de RFICs desempenha um papel crucial na redução do tamanho e do consumo de energia das estações base. Os novos RFICs da Samsung, usando a tecnologia de ponta de semicondutor CMOS de 28 nm, operam em larguras de banda que foram expandidas para um máximo de 1,4GHz, maiores que os 800 MHz de RFICs anteriores. O tamanho do RFIC é reduzido em 36% e o desempenho geral é melhorado devido à diminuição do nível de ruído e ao aprimoramento das características de linearidade do amplificador de potência de RF.

A Samsung desenvolveu soluções de RFIC para 28GHz e 39GHz e planeja comercializar RFICs adicionais para 24GHz e 47GHz este ano, permitindo novas expansões em mercados que utilizarão essas bandas de frequência mais altas.

A Samsung também desenvolveu seu próprio DAFE como um ASIC, com baixo consumo de energia e tamanho pequeno. O DAFE é essencial para as telecomunicações digitais sem fio, pois oferece conversões analógico-digitais e vice-versa. O DAFE 5G lida com grandes larguras de banda, de centenas de MHz, e o desenvolvimento de um ASIC permite reduzir o tamanho e o consumo de energia das estações base 5G. Sem o investimento em ASICs, o DAFE por si só seria grande demais e sua potência seria insuficiente para atender às necessidades de produtos das operadoras.

“A Samsung está construindo sua liderança 5G com soluções inovadoras, incluindo RFICs de baixa potência e ASICs para DAFE, de modo a criar uma nova era de transformação digital”, disse Jaeho Jeon, vice-presidente executivo e chefe de P&D em Negócios de Rede da Samsung Electronics. “Estamos felizes em anunciar a conclusão do desenvolvimento desses novos chipsets, que terão um papel crucial para impulsionar o avanço das tecnologias a um próximo nível.”

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DAFE ASICs chipset