Samsung Electronics y ASML amplían su asociación estratégica para la fabricación avanzada de semiconductores

09-09-2026
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Samsung Electronics y ASML anunciaron hoy la ampliación de su asociación estratégica de larga data, profundizando su colaboración en litografía High NA EUV y tecnologías avanzadas de fabricación de semiconductores que contribuirán a impulsar la innovación en la era de la IA.

 

Con base en años de cooperación exitosa, las empresas trabajarán juntas para acelerar el desarrollo y la implementación de tecnologías capaces de satisfacer las crecientes demandas de desempeño y eficiencia en la fabricación avanzada de semiconductores.

 

Samsung participará en una iniciativa de la industria para desarrollar la tecnología de fotomáscaras de 12 pulgadas, que podrá contribuir a la fabricación de semiconductores más avanzados. Durante décadas, la industria ha utilizado fotomáscaras de 6 pulgadas. Con High NA EUV, la adopción de máscaras más grandes, de 12 pulgadas, podrá aumentar la productividad de las fábricas, reducir los costos de fabricación de chips y superar las limitaciones relacionadas con el stitching.

 

Este cambio permitirá a los fabricantes de chips avanzados aprovechar mejor las ventajas de High NA EUV, haciendo que las futuras generaciones de chips de vanguardia sean más competitivas en términos de costos.

 

Con su liderazgo en la fabricación de memoria y foundry, además de su amplia experiencia en litografía EUV avanzada, Samsung está posicionada para desempeñhar un papel importante en la transición hacia fotomáscaras de 12 pulgadas. La empresa trabajará en estrecha colaboración con socios de la industria para desarrollar las tecnologías de máscaras necesarias y la infraestructura de soporte.

 

Samsung también planea introducir la litografía High NA EUV de ASML en la fabricación de alto volumen de DRAM de próxima generación para 2028, por primera vez en la industria, demostrando aún más el potencial de la tecnología High NA para aplicaciones avanzadas de memoria y lógica. Se espera que High NA EUV amplíe la hoja de ruta de escalabilidad de DRAM, ya que su mayor resolución permitirá simplificar los procesos y aumentar la eficiencia.

 

El anuncio refuerza el compromiso conjunto de las empresas con la innovación, el liderazgo tecnológico y una asociación a largo plazo. Samsung y ASML esperan seguir explorando oportunidades de colaboración en áreas que incluyen tecnologías avanzadas de memoria y nuevos enfoques de fabricación.

 

“A medida que la era de la IA transforma la industria de semiconductores, aumenta la importancia de la innovación tecnológica en toda la cadena de valor. Samsung está comprometida con mantener su liderazgo en la fabricación avanzada de semiconductores, incluyendo memoria y foundry, a través de tecnologías innovadoras y sólidas asociaciones.

 

Al fortalecer aún más nuestra colaboración con ASML, estamos ayudando a sentar las bases para la próxima generación de innovación en IA y semiconductores”, afirmó Young Hyun Jun, vicepresidente y CEO de Samsung Electronics.

 

“Samsung ha sido uno de los socios de innovación más importantes de ASML durante muchos años. Juntas, hemos ayudado a impulsar las tecnologías que sustentan la fabricación moderna de semiconductores. A medida que la industria entra en una nueva era impulsada por la inteligencia artificial, la estrecha colaboración con nuestros clientes se vuelve aún más importante. Esperamos trabajar con Samsung para hacer posible la próxima ola de innovación en semiconductores”, afirmó Christophe Fouquet, presidente y CEO de ASML.

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