Samsung envía la primera HBM4 comercial de la industria con rendimiento superior para computación de IA

Comienza la producción en masa de HBM4 con una velocidad de transferencia constante de 11.7 Gbps, capaz de alcanzar hasta 13 Gbps.

DRAM de vanguardia con logic base die de 4 nm maximiza el rendimiento, la confiabilidad y la eficiencia energética para los centros de datos de próxima generación.

La tecnología de proceso segura y las capacidades de suministro fortalecen el roadmap de HBM de Samsung más allá de HBM4

Samsung Electronics, líder mundial en tecnología de memoria avanzada, anunció hoy que ha comenzado la producción en masa de su HBM4, líder en la industria, y ha enviado productos comerciales a los clientes. Este logro marca un hito en la industria, asegurando una posición de liderazgo temprano en el mercado de HBM4.

Al aprovechar proactivamente su proceso de DRAM de clase de 10 nanómetros (nm) de sexta generación (1c) más avanzado, la compañía logró rendimientos estables y un desempeño líder en la industria desde el inicio de la producción en masa, todo realizado de manera fluida y sin rediseños adicionales.

“En lugar de tomar el camino convencional de utilizar diseños probados existentes, Samsung dio el salto y adoptó los nodos más avanzados como la DRAM 1c y el proceso de lógica de 4 nm para la HBM4”, dijo Sang Joon Hwang, Vicepresidente Ejecutivo y Jefe de Desarrollo de Memoria de Samsung Electronics. “Al aprovechar nuestra competitividad de proceso y la optimización del diseño, podemos asegurar un margen de rendimiento sustancial, lo que nos permite satisfacer las crecientes demandas de nuestros clientes de un mayor rendimiento cuando lo necesiten”.

Estableciendo el estándar para el máximo rendimiento y eficiencia

La HBM4 de Samsung ofrece una velocidad de procesamiento constante de 11.7 gigabits por segundo (Gbps), superando el estándar de la industria de 8 Gbps en aproximadamente un 46% y estableciendo un nuevo benchmark para el rendimiento de HBM4. Esto representa un aumento de 1.22 veces sobre la velocidad máxima de pin de 9.6 Gbps de su predecesora, HBM3E. El rendimiento de la HBM4 también se puede mejorar hasta los 13 Gbps, mitigando eficazmente los cuellos de botella de datos que se intensifican a medida que los modelos de IA continúan escalando.

Además, el ancho de banda total de memoria por stack individual aumenta 2.7 veces en comparación con la HBM3E, hasta un máximo de 3.3 terabytes por segundo (TB/s).

A través de la tecnología de apilamiento de 12 capas, Samsung ofrece la HBM4 en capacidades que van desde 24 gigabytes (GB) hasta 36 GB. La compañía también mantendrá sus opciones de capacidad alineadas con los cronogramas futuros de los clientes mediante el uso de apilamiento de 16 capas, lo que ampliará la oferta hasta los 48 GB.

Para abordar el consumo de energía y los desafíos térmicos impulsados por la duplicación de las E/S de datos de 1,024 a 2,048 pines, Samsung ha integrado soluciones de diseño avanzadas de bajo consumo en el core die. La HBM4 también logra una mejora del 40% en la eficiencia energética al aprovechar la tecnología de low-voltage through silicon via (TSV) y la optimización de la power distribution network (PDN), al tiempo que mejora la resistencia térmica en un 10% y la disipación de calor en un 30%, en comparación con la HBM3E.

Al brindar un rendimiento sobresaliente, eficiencia energética y alta confiabilidad a los entornos de centros de datos del mañana, la HBM4 de Samsung permite a los clientes lograr el máximo rendimiento de la GPU y gestionar eficazmente su costo total de propiedad (TCO).

Capacidades de producción integrales y ágiles

Samsung se compromete a avanzar en su roadmap de HBM a través de sus recursos de fabricación integrales, que incluyen una de las capacidades de producción de DRAM más grandes e infraestructuras dedicadas en la industria, lo que garantiza una cadena de suministro resiliente para satisfacer el aumento proyectado en la demanda de HBM4.

Una Design Technology Co-Optimization (DTCO) estrechamente integrada entre los negocios de Foundry y Memoria de la compañía le permite asegurar los más altos estándares de calidad y rendimiento. Además, la amplia experiencia interna en advanced packaging permite ciclos de producción optimizados y tiempos de entrega reducidos.

Samsung también planea ampliar el alcance de su asociación técnica con socios clave, basándose en discusiones cercanas con fabricantes globales de GPU y hyperscalers enfocados en el desarrollo de ASIC de próxima generación.

Samsung anticipa que sus ventas de HBM se triplicarán con creces en 2026 en comparación con 2025, y está expandiendo proactivamente su capacidad de producción de HBM4. Tras la exitosa introducción de la HBM4 en el mercado, se espera que el muestreo para HBM4E comience en la segunda mitad de 2026, mientras que las muestras de HBM personalizadas comenzarán a llegar a los clientes en 2027, de acuerdo con sus respectivas especificaciones.