Samsung na veletrhu FMS 2026 představil nejnovější verzi 3D pamětí pro budoucí infrastrukturu AI

Společnost Samsung Electronics, světová jednička v oboru pokročilých paměťových technologií, představila další inovace v oblasti pamětí pro umělou inteligenci na veletrhu Future of Memory and Storage (FMS) 2026 ve městě Santa Clara v Kalifornii.

S technologiemi DRAM i NAND má Samsung dlouholeté zkušenosti a disponuje rozsáhlými odbornými znalostmi, totéž platí pro velkokapacitní korporátní úložiště a pro vyspělé polovodičové technologie, na nichž výroba pamětí stojí. Na FMS firma představila nové portfolio pamětí pro umělou inteligenci, do nějž patří koncepty zHBM a zNAND-O, vůbec první paměť V10 BV-NAND víc než s 400 vrstev či komplexní řada řešení určených k rozvoji budoucí infrastruktury umělé inteligence. U stánku Samsungu, který svým designem připomíná AI cloudové servery, je k vidění na třicet různých technologií v oblasti pamětí a úložišť.

S úvodním projevem vystoupili Jin-Yub Lee, výkonný viceprezident a ředitel oddělení Flash Product & Technology, a Kyungryun Kim, viceprezident a šéf projektového týmu pro DRAM. Oba hovořili o 3D strukturách v příštích generacích paměťových řešení.

Projev s názvem V čele vlny AI revoluce: 3D inovace v architektuře pamětí a úložišť představil vizi Samsungu do následujících let: maximalizovat výkon umělé inteligence, vylepšit energetickou účinnost systémů a zároveň řešit stále náročnější požadavky v oblasti špičkového výpočetního výkonu (HPC) a infrastruktury umělé inteligence.

Firma představila i novou architekturu V10 BV-NAND s technologií wafer bonding neboli spojování destiček, která se v oboru uplatňuje vůbec poprvé v historii.

Vize Samsungu: nová generace 3D pamětí

Na veletrhu FMS 2026 Samsung představil vůbec první koncepty zHBM a zNAND-O, a tím i svou vizi týkající se nové generace 3D pamětí.

Technologie zHBM slouží k pokročilým výpočtům v oblasti umělé inteligence. Jde o novou paměťovou architekturu, která vertikálně vrství HBM moduly přímo nad akcelerátory umělé inteligence. Tím se liší od konvenčních řešení, v nichž se tyto moduly instalují vedle procesoru.

U zHBM se tak minimalizuje vzdálenost, kterou data urazí mezi AI procesorem a pamětí. To znamená širší frekvenční rozsah a vyšší energetickou účinnost. Výsledkem je mimořádně rychlé zpracování dat, bez nějž se masivní trénink a inference AI modelů neobejde.

Rozhraní nové generace s technologií zHBM by mělo oproti HBM5 zvýšit výkon přibližně osminásobně. Kromě toho může zHBM v porovnání s HBM5 dosáhnout víc než desetinásobné hustoty paměti, trojnásobné energetické účinnosti a polovičního tepelného odporu. To vše znamená maximální stabilitu a energetickou účinnost u systémů s vysokou kapacitou a širokopásmovým přenosem.

Moduly zHBM lze rovněž přizpůsobit specifickým požadavkům zákazníků, což umožňuje integraci vlastního IP do mezivrstvy mezi pamětí a AI akcelerátorem kvůli rozšíření paměťové kapacity a zvýšení výkonu akcelerátoru. Ve spolupráci se zákazníky hodlá Samsung optimalizovat integraci AI procesorů a pamětí prostřednictvím technologie zHBM i do budoucna.

Firma dále představila technologii zNAND-O, tedy novou výkonnou generaci NAND paměti. Základem je technologie V-NAND, vyrábí se ve dvou verzích se čtyřmi a osmi vrstvami. Mezi její největší přednosti patří malý nárok na prostor, vylepšený I/O výkon a krátká odezva. Díky tomu se technologie zNAND-O skvěle hodí pro AI systémy fungující v reálném čase s rozsáhlými datovými přenosy.

První modul V10 BV-NAND na světě

Dále Samsung na veletrhu představil paměťový modul V10 BV-NAND s novou architekturou Bonding V-NAND. Po třinácti letech tak navázal na FMS 2013, kde měla premiéru vůbec první V-NAND paměť v historii. Letošek tak znamená další inovační milník.

Modul V10 BV-NAND tvoří víc než 400 vrstev, což znamená vyšší výkon, energetickou účinnost i hustotu záznamu. Díky technologii spojování destiček při vrstvení paměťových buněk se Samsungu v porovnání s předchozí generací V9 podařilo zvýšit hustotu paměti přibližně o 58 %.

Kromě většího množství vrstev nabízí V10 BV-NAND v porovnání s předchozí generací také rychlejší čtení i zápis a výkonnější I/O operace, což je u vysokokapacitní NAND paměti pro budoucí AI systémy a aplikace velmi důležité.

Plán vývoje AI pamětí od HBM k PIM a korporátním úložištím

Samsung dále představil nejnovější portfolio pamětí a úložných zařízení pro umělou inteligenci – šlo o technologie HBM4E, HBM5, LPDDR5X-PIM a PM1763. Firma tak naznačila, co chystá v oblasti AI computingu a infrastruktury datových center nové generace.

V únoru Samsung jako první firma v oboru zahájil sériovou výrobu pamětí HBM4 s využitím technologií 1c DRAM a 4nm čipů. V květnu pak následovalo další prvenství, tentokrát v dodávkách pamětí HBM4E zákazníkům po celém světě. Tím Samsung upevnil svou pozici jedničky v kategorii pamětí HBM nové generace.

Kromě HBM4E a HBM5 představila firma i modul LPDDR5X-PIM, první LPDDR paměť s technologií interního zpracování (processing-in-memory). Jak název napovídá, zpracování dat probíhá přímo v paměti, což usnadňuje přenos dat a šetří energii.

Poslední kategorii tvořila velkokapacitní korporátní úložiště, zejména nové modely PM1763 a BM1773. Oba jsou určené datovým centrům využívajícím umělou inteligenci.

Řešení na klíč

Samsung funguje jako tzv. integrovaný výrobce (IDM), což znamená, že veškerý vývoj a výroba polovodičů a čipů, od prvního návrhu až po dokončení a balení, zajišťuje společnost přímo, žádná fáze se nezadává externě. Na veletrhu jsme prezentovali komplexní strategii pro AI infrastrukturu nové generace – zákazníci si můžou objednat komplexní řešení na klíč, což v nastupující éře umělé inteligence může hrát důležitou roli.

Integrovaná výroba pomáhá zkracovat vývojové cykly a zároveň optimalizovat výkon a energetickou účinnost. Zákazníci tak můžou svá polovodičová řešení s umělou inteligencí uvádět na trh rychleji.