삼성전자는 6월 24일 미래창조과학부가 주최하는 ‘제21회 대한민국 멀티미디어 기술대상’에서 지난해 85형 UHD TV로 대통령상을 받은 데 이어 올해 커브드 UHD TV로 2년 연속 대통령상을 수상했습니다. 또한 20나노급 4기가비트 GDDR5 그래픽 D램도 미래창조과학부 장관상에 선정됐는데요.

세계 최초로 출시한 커브드 UHD TV, 대통령상 수상

지난 2월 출시한 커브드 UHD TV는 압도적인 몰입감과 풀HD 4배 수준인 UHD의 선명한 화질, 다양한 스마트 기능의 편리함을 고루 갖춘 제품으로 이번 수상을 통해 그 우수성을 다시 한번 인정받은 것인데요.

삼성 커브드 UHD TV는 3~4m 떨어진 거리에서 최적의 몰입감을 주는 4200R(반지름이 4200㎜인 원의 휜 정도) 곡률을 적용해 ‘곡률이 곧 화질이자 기술력’임을 확고히 했습니다.

또한 화면 속 영상을 자동으로 분석해 배경과 사물을 구분하고 각기 다른 깊이감을 제공하는 ‘원근 강화 엔진(Auto Depth Enhancer)’은 안경 없이도 3차원(3D) 영상을 보는 것과 같은 생생한 입체감을 표현합니다.

4단계 UHD 업스케일링(Upscaling) 기능은 HD, 풀HD 영상도 UHD급 화질로 제공하는데요. 특히 한층 강화된 삼성 스마트TV만의 ‘사커 모드(Soccer Mode)’는 생생한 잔디색과 경기장 관중석에 있는 듯한 멀티 서라운드 음향을 제공해 축구 경기를 실감 나게 즐길 수 있게 해줍니다.

이외에도 인터넷 검색과 실시간 방송, 애플리케이션 서비스를 동시에 한 화면에서 즐길 수 있는 ‘멀티 링크 스크린’, 전원 버튼을 누르자마자 바로 TV 전원이 켜지는 ‘인스턴트 온’ 등 보다 빠르고 사용하기 편한 스마트 기능도 탑재됐습니다.

세계 최초로 양산한 20나노급 GDDR5 그래픽 D램, 미래창조과학부 장관상 수상

삼성전자가 세계 최초로 양산한 20나노급 4Gb GDDR5 그래픽 D램은 미래창조과학부 장관상을 받았습니다.

동영상과 그래픽 데이터 처리에 특화된 메모리 반도체인 GDDR5 그래픽 D램은 일반 D램보다 큰 용량의 데이터를 더욱 빠르게 처리할 수 있으며, 8Gbps(초당 8기가비트)의 최고 전송 속도를 구현해 고성능, 고해상도를 필요로 하는 게임 콘솔에 최적화된 솔루션을 제공합니다.

“2년 연속으로 대통령상을 받은 것은 삼성TV의 기술적 혁신과 미적 완성도에 대한 확실한 증거입니다. 앞으로도 TV 시장을 선도할 수 있도록 혁신 제품을 선보일 것입니다.”

-삼성전자 영상디스플레이사업부 천강욱 전무

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세계 최대 규모 메모리 16라인 가동
삼성전자, 20나노급 D램으로 반도체 시장 선도

삼성전자가 세계 최대 규모의 메모리 반도체 생산라인인 16라인의 본격 가동에 들어갔습니다. 또한, 세계 반도체 업계에서 처음으로 20나노급 D램(CLICK!) 양산을 시작했습니다. 

삼성전자는 이로써 메모리 선두업체로서 위상을 강화하는 한편, 장기적으로는 글로벌 IT 시장을 지속 성장시키며 한 단계 더 도약하기 위한 발판을 마련할 수 있게 되었는데요. 삼성전자의 새로운 도약, 그 희망찬 이야기 속으로 함께 가보시죠!

 세계 최대 메모리 라인 본격 가동, 20나노 낸드 주력 양산

삼성전자는 지난 22일 나노시티 화성캠퍼스에서 ‘메모리 16라인 가동식 및 20나노 D램•플래시 양산’ 행사를 개최했습니다. 이 날 행사에는 이건희 삼성전자 회장과 권오현 DS사업총괄 사장, 이재용 사장 등 주요 경영진과 소니 나카가와 유타카 부회장을 비롯한 글로벌 IT 업체 관계자 등 500여 명이 참석했습니다.

마이크로소프트 스티브 발머 CEO, HTC 셰어 왕 회장, DELL 제프 클라크 부회장, 레노보 양위엔칭 CEO, IBM 프랜 오 설리반 부사장 등은 영상 메시지를 보내 삼성전자가 낸드 플래시를 주력으로 양산하는 세계 최대 규모의 메모리 16라인을 가동하는 한편, 업계에서 처음으로 20나노급 D램을 양산하게 된 것을 축하했습니다.

이 날 행사에서 최초로 생산된 반도체 웨이퍼를 전달받은 이건희 회장은 “반도체업계에 몰아치는 거센 파도 속에서도 메모리 16라인의 성공적 가동과 세계 최초의 20나노급 D램 양산 성공을 위해, 혼신의 힘을 기울인 임직원들에게 감사의 뜻을 전한다”고 밝혔습니다.

이 회장은 또 “많은 직원들의 노력으로 기술 리더십을 지킬 수 있었지만, 앞으로 더욱 거세질 반도체업계發 태풍에도 대비해야 한다”고 말했습니다.

지난 해 5월에 착공해 1년 3개월 만에 가동에 들어간 메모리 16라인은 라인 면적(FAB: 반도체 제조공장) 약 6만 평 규모의 12층 건물로 낸드를 주력으로 양산하는 세계 최대 규모의 메모리 생산라인인데요.

금년 2월 건물을 완공해 5월 클린룸 공사를 마쳤고, 6월부터 시범 가동에 들어가 8월에 양산 체제를 갖췄습니다. 이 달부터 20나노급 고속 낸드 플래시를 12인치 웨이퍼로 월 1만 매 이상 생산하며 본격 양산을 시작했습니다.

삼성전자는 빠르게 늘어나는 낸드플래시 수요에 맞춰 올해 말까지 12인치 웨이퍼 생산 규모를 늘려 나가고, 내년에는 10나노급 대용량 고속 메모리도 양산할 계획입니다.

삼성전자는 최첨단 공정을 갖춘 16라인의 가동으로 고객에 다양한 제품을 안정적으로 공급할 수 있게 됨으로써, 반도체 선두업체로서 더욱 차별화된 경쟁력을 강화할 수 있게 되었습니다.

세계 최초, 20나노급 DDR3 D램 양산 시작

삼성전자는 이와 함께 이 날 세계 최초로 20나노급 2Gb D램(CLICK!)의 양산을 이 달부터 시작했다고 밝혔는데요. 20나노급 DDR3(Double Data Rate 3) D램은 지난해 7월 선보인 30나노급 DDR3 D램과 동등한 세계 최고 성능을 구현하면서도 생산성은 약 50% 정도 높이고, 소비 전력은 40% 이상 줄인 그린 메모리 제품입니다. 

삼성전자는 올해 말에 20나노급 4Gb DDR3 D램 기반의 대용량 제품을 개발해 내년 이후에는4GBㆍ8GBㆍ16GBㆍ32GB 등 다양한 제품군을 본격적으로 양산할 계획입니다.

또한, 삼성전자는 앞으로 엔터프라이즈 서버 시장을 시작으로 범용 노트북 시장까지 다양한 IT 시장에서 고객에게 가치를 제공하는 그린 메모리의 비중을 지속적으로 확대해 나갈 예정입니다.

더욱 거세질 반도체업계發 태풍에도 대비해야 

한편, 이건희 회장은 지난해 5월 경영 복귀 후 이 날 가동식을 가지는 반도체 16라인 기공식 현장을 첫 방문지로 삼은 데 이어, 가동식까지 참석할 예정으로써 반도체 사업에 대한 각별한 애정을 드러냈습니다.

이 회장은 지난해 5월17일 메모리 16라인 기공식에 참석해 “지금 세계 경제가 불확실하고 경영 여건의 변화도 심할 것으로 예상되지만, 이러한 시기에 투자를 더 늘리고 인력도 더 많이 뽑아서 글로벌 사업기회를 선점해야 삼성에도 기회가 오고 우리 나라 경제가 성장하는데도 도움이 될 것”이라고 말했습니다.

이 회장은 또한 지난 8월11일 반도체 사장단과의 오찬에서 “D램의 뒤를 이을 차세대 메모리 개발 속도를 높여 메모리 분야에서도 차별화된 경쟁력으로 시장 리더십을 지켜야 한다”고 강조한 바 있습니다.