Samsung рассказала о своих передовых полупроводниковых решениях

Компания Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых полупроводниковых технологий, представила серию инновационных решений для высокопроизводительных вычислений и подключенных устройств.
 
На ежегодной конференции Samsung Foundry Forum (SFF), которая прошла в Соединенных Штатах, Samsung продемонстрировала партнерам и клиентам новейшие инструменты для проектирования и производства мощных и при этом энергоэффективных процессоров, ориентированных на широкий спектр современных приложений.
 
«По мере развития индустрии «умных» устройств, связанных единой сетью, растут и требования к производителям полупроводниковых решений, – сказал Чарли Бэ, исполнительный вице-президент и глава департамента Foundry Sales & Marketing компании Samsung Electronics. – Чтобы соответствовать этим требованиям, Samsung работает над инновационными разработками на уровне полупроводников, что в итоге позволит людям иметь доступ к данным и анализу. Жизнь в будущем преобразится так, как мы раньше не могли даже представить!».
 

Решения HPC (высокопроизводительные вычисления)
 
Samsung Foundry предоставляет технологические решения для управления новейшими центрами обработки больших данных и ускоряет рост возможностей искусственного интеллекта (AI) и машинного обучения. Благодаря новейшей технологии 7LPP, возможностям EUV, дифференцированным высокоскоростным IP-адресам, таким как 100Гб/с +SerDes, и многим другим технологиям, Samsung предлагает комплексные платформенные решения для значительного увеличения вычислительной мощности и ускорения революции в сфере искусственного интеллекта.
 
Решения для подключенных устройств
 
Все, от маломощных микроконтроллеров (MCU) и подключенных устройств следующего поколения и до сложных автономных транспортных средств, использующих стандарт связи 5G и коммуникацию Vehicle to Everything (V2X), является частью разработок Samsung, которая предлагает полнофункциональные платформы «под ключ». Широкое портфолио технологий, от 28/18 FD-SOI с возможностями eMRAM и RF до современных 10/8-нм процессов FinFET, обеспечит конечным пользователям отличную работу подключенных устройств.
 
«В прошлом году мы сосредоточились на процессах EUV, чтобы предоставить нашим клиентам лучшие технологии, – отметил господин Бэ. – Применение структуры GAA для нашего узла нового поколения позволит нам взять на себя инициативу по открытию нового «умного», подключенного мира и укрепить наше технологическое лидерство».
 
Подробнее о Samsung Foundry можно узнать, посетив сайты: www.samsungfoundry.com and www.linkedin.com/company/samsungfoundry.