Samsung Electronics разрабатывает первую в отрасли память DDR5 DRAM класса 12 нм

22.12.2022
Share open/close
Ссылка скопирована.

Новая память DRAM от Samsung, массовое производство которой начнется в 2023 году, будет способствовать развитию вычислительных систем следующего поколения, центров обработки данных и приложений искусственного интеллекта благодаря лучшей в отрасли производительности и более высокой энергоэффективности

 

Компания Samsung Electronics объявила о разработке 16-гигабитной (Гб) памяти DDR5 DRAM, созданной с использованием первого в отрасли 12-нанометрового технологического процесса (нм) класса, а также о завершении оценки продукта на совместимость с AMD.

 

«Наша DRAM, изготовленная по 12-нм техпроцессу, станет ключевым фактором, способствующим повсеместному внедрению DDR5 DRAM на рынке, – сказал Чжу Ён Ли (Jooyoung Lee), исполнительный вице-президент подразделения DRAM Product & Technology компании Samsung Electronics. – Благодаря исключительной производительности и энергоэффективности, мы ожидаем, что наша новая DRAM послужит основой для более устойчивой работы в таких областях, как вычисления нового поколения, центры обработки данных и системы на базе искусственного интеллекта».

 

«Инновации часто требуют тесного сотрудничества с отраслевыми партнерами, чтобы расширить границы технологий, – сказал Джо Макри (Joe Macri), старший вице-президент и технический директор AMD по вычислениям и графике. – Мы очень рады вновь сотрудничать с Samsung, особенно по выпуску продуктов памяти DDR5, которые оптимизированы и проверены на платформах Zen».

 

Этот технологический скачок стал возможен благодаря использованию нового высокопрочного материала, увеличивающего емкость ячеек, и запатентованной технологии проектирования, улучшающей характеристики критических схем. В сочетании с передовой многослойной литографией в экстремальном ультрафиолете (EUV) новая DRAM отличается самой высокой в отрасли плотностью записи, что позволяет повысить производительность пластин на 20 процентов.

 

Используя новейший стандарт DDR5, DRAM Samsung класса 12 нм поможет разблокировать скорость до 7,2 гигабит в секунду (Гбит/с). Это означает, что два UHD-фильма объемом 30 гигабайт (ГБ) могут быть обработаны всего за одну секунду.

 

Исключительная скорость новой DRAM сопровождается более высокой энергоэффективностью. Потребляя на 23% меньше энергии, чем предыдущая DRAM, DRAM 12-нм класса станет идеальным решением для мировых ИТ-компаний, стремящихся к более экологичным операциям.

 

Массовое производство нового продукта начнется в 2023 году. Samsung планирует расширить линейку DRAM, созданных по передовой технологии 12-нм класса, в широком спектре сегментов рынка, продолжая работать с отраслевыми партнерами для поддержки быстрого распространения вычислений следующего поколения.

Продукты > Полупроводники

Материалы для СМИ > Пресс-релизы

Скачать

  • 12nm_Class_DDR5_DRAM_dl1.jpg

  • 12nm_Class_DDR5_DRAM_dl2-1.jpg

  • 12nm_Class_DDR5_DRAM_dl3.jpg

  • 12nm_Class_DDR5_DRAM_dl4.jpg

  • 12nm_Class_DDR5_DRAM_dl5.jpg

По любым вопросам, связанным с сервисным обслуживанием, пожалуйста, обращайтесь на сайт samsung.com/kz_ru/support.
По вопросам сотрудничества со СМИ, пожалуйста, пишите на info.kz@samsung.com.

Узнайте актуальные новости о Samsung

Список статей
Наверх