Samsung Electronics начинает поставки первых в отрасли образцов HBM4E

Компания Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых технологий памяти, объявила о начале поставок первых в отрасли образцов 12-слойной памяти HBM4E крупным глобальным пользователям, еще больше укрепляя свое лидерство на рынке HBM следующего поколения.

После первого в отрасли массового производства и коммерческих поставок передовой памяти HBM4 в начале этого года Samsung расширяет свою дорожную карту HBM, представляя образцы HBM4E для удовлетворения быстро меняющихся требований к вычислениям в сфере искусственного интеллекта и гипермасштабируемой инфраструктуры.

«Вслед за успешным массовым производством HBM4 компания Samsung еще раз продемонстрировала свое очевидное технологическое преимущество с выходом HBM4E, – заявил Сан Джун Хванг (Sang Joon Hwang), исполнительный вице-президент и глава подразделения разработки модулей памяти Samsung Electronics. – Благодаря нашим передовым производственным возможностям и упреждающим инвестициям в инфраструктуру мы продолжим стимулировать рост глобального рынка памяти для искусственного интеллекта».

HBM4E от Samsung обеспечивает стабильную скорость передачи данных до 14 гигабит в секунду (Гбит/с) на контакт с возможностью масштабирования производительности до 16 Гбит/с для поддержки все более интенсивных требований к обработке данных. Это означает рост более чем на 20% по сравнению с HBM4 при обеспечении пропускной способности памяти до 3,6 терабайт в секунду (ТБ/с) на стек, что помогает максимально увеличить вычислительную мощность больших языковых моделей (LLM) и систем искусственного интеллекта следующего поколения.

12-слойная память HBM4E от Samsung предлагается емкостью 48 гигабайт, что на 30% больше по сравнению с предыдущим поколением. В соответствии с требованиями пользователей планируется расширить линейку конфигурациями на 32 ГБ (8 слоев) и 64 ГБ (16 слоев).

Память HBM4E выделяется тем, что в полной мере использует комплексные полупроводниковые возможности Samsung и опирается на те же передовые технологии, которые были усовершенствованы в ходе производства HBM4. Сюда входят самый передовой в отрасли техпроцесс DRAM 6-го поколения класса 10 нм (1c) и 4-нм базовая логическая подложка Samsung Foundry, что позволяет HBM4E гарантировать повышенную стабильность процессов и технологичность производства.

Оптимизация конструкции и процессов в архитектуре памяти и логики HBM4E от Samsung также повышает производительность, энергоэффективность и выход годной продукции.

В частности, передовые технологии низкого энергопотребления и оптимизированная структура компоновки позволили повысить энергоэффективность на 16% и улучшить показатели теплового сопротивления более чем на 14% по сравнению с предыдущим поколением. Эти усовершенствования обеспечивают более эффективный отвод тепла, что гарантирует длительную надежность и снижение энергопотребления в дата-центрах следующего поколения с интенсивными рабочими нагрузками.

Samsung планирует начать массовое производство HBM4E в соответствии с графиками пользователей после завершения первоначальных поставок образцов и оптимизации.

Отзывы глобальных пользователей о памяти HBM4 от Samsung, представленной в феврале, были исключительно положительными, особенно в отношении ее производительности и энергоэффективности. Память HBM4 стала первой в отрасли, запущенной в массовое производство, и успешно установила планку для всего сегмента, продемонстрировав скорость 11,7 Гбит/с в тестах системы в корпусе (SiP).

По мере роста стабильных поставок HBM4 от Samsung ожидается, что новейшая память HBM4E, использующая то же сочетание основного кристалла и базовой подложки, поступит в массовое производство, чтобы еще больше ускорить инновации в системах искусственного интеллекта следующего поколения. Благодаря своему всеобъемлющему портфолио, охватывающему производство памяти, контрактное производство полупроводников, проектирование логических схем и передовую компоновку, Samsung продолжит обеспечивать стабильные поставки полупроводников для бурно развивающегося рынка искусственного интеллекта.