Samsung начинает массовое производство 4-битных SSD для потребительского рынка

07.08.2018
Share open/close
Ссылка скопирована.

Новые QLC-накопители имеют объем памяти до 4 Тб, скорость до 540 Мб/сек в режиме чтения, до 520 Мб/сек в режиме записи, а также 3 года гарантии


Компания Samsung Electronics, которая является глобальным лидером на рынке технологий памяти, объявила о начале производства первых в индустрии 4-битных QLC-накопителей SSD с объемом памяти до 4 Тб для потребительского рынка.
 
Новые чипы базируются на 1-терабитной микросхеме V-NAND и обеспечат надежную, эффективную работу потребительских SSD.
 
«За выходом нового 4-битного SATA SSD от Samsung последует массовый переход на терабайтные потребительские SSD в ближайшем будущем, – сказал Дже Су Хан, исполнительный вице-президент направления Memory Sales & Marketing компании Samsung Electronics. – По мере расширения нашей линейки 4-битные терабайтные SSD-продукты будут быстро распространяться по всему рынку».
 
С появлением нового 4-битного чипа V-NAND Samsung сможет эффективно создавать карты памяти на 128 Гб для смартфонов, что приведет к увеличению пропускной способности высокопроизводительной памяти.
 
4-битный SSD QLC обеспечивает скорость чтения в 540 Мб/с и записи в 520 Мб/с и имеет трехлетнюю гарантию.
 
Samsung планирует представить несколько 4-битных потребительских SSD в этом году с емкостью 1 Тб, 2 Тб и 4 Тб в широко используемом 2,5-дюймовом форм-факторе.
 
Компания также планирует в этом году предоставлять накопители M.2 NVMe SSD для бизнеса и начать массовое производство 4-битного V-NAND пятого поколения. Это позволит значительно расширить линейку SSD, чтобы удовлетворять растущий спрос на более быстрый и надежный процессинг на базе различного оборудования, включая дата-центры следующего поколения, корпоративные серверы и корпоративное хранилище.
 

Год Разряд Техпроцесс Память чипа Память накопителя
2006 1-битный SLC

(одноуровневая ячейка)

70 нм 4 Гб 32 Гб
2010 2-битный MLC

(многоуровневая ячейка)

30 нм 32 Гб 512 Гб
2012 3-битный TLC

(трехуровневая ячейка)

20 нм 64 Гб 500 Гб
2018 4-битный QLC

(четырехуровневая ячейка)

V-NAND 4 поколения 1 Тб 4 Тб

 

 

 

Материалы для СМИ > Пресс-релизы

Новости компании > Технологии

По любым вопросам, связанным с сервисным обслуживанием, пожалуйста, обращайтесь на сайт samsung.com/kz_ru/support.
По вопросам сотрудничества со СМИ, пожалуйста, пишите на info.kz@samsung.com.

Узнайте актуальные новости о Samsung

Список статей
Наверх