Samsung представляет HBM4E, демонстрируя комплексные AI-решения, партнерство с NVIDIA и видение будущего на NVIDIA GTC 2026

Samsung значительно ускоряет разработку AI-инфраструктуры и AI-заводов благодаря широкому спектру вычислительных решений для дата-центров, физических систем и мобильных устройств с поддержкой AI

Будут представлены первые в отрасли коммерческие решения HBM4 и их преемник HBM4E, отличающиеся максимальной производительностью, надежностью и энергоэффективностью для дата-центров следующего поколения

Samsung расскажет о стратегическом сотрудничестве с NVIDIA в области искусственного интеллекта для инноваций в полупроводниковой инженерии – от научно-исследовательских разработок и проектирования до производства

Компания Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых полупроводниковых технологий, сегодня объявила о комплексных AI-вычислительных технологиях, которые она представит на выставке NVIDIA GTC 2026 в Сан-Хосе, Калифорния, запланированной на 16–19 марта. Являясь единственной в отрасли полупроводниковой компанией, предлагающей комплексное AI-решение, охватывающее память, логические микросхемы, литейное производство и передовую упаковку, Samsung продемонстрирует полный набор продуктов и решений, позволяющих пользователям проектировать и создавать прорывные AI-системы. Чтобы узнать больше об AI-решениях Samsung, посетите стенд компании на GTC 2026 (№ 1207).

Центральным экспонатом Samsung на NVIDIA GTC 2026 станет новая память HBM4 шестого поколения, которая уже запущена в массовое производство и разработана для платформы NVIDIA Vera Rubin. Ожидается, что HBM4 от Samsung поможет ускорить разработку будущих AI-приложений, обеспечивая стабильную скорость обработки данных 11,7 гигабит в секунду (Гбит/с), что превышает отраслевой стандарт в 8 Гбит/с, и может быть увеличена до 13 Гбит/с.

Используя самый передовой технологический процесс DRAM 10-нанометрового (нм) класса шестого поколения (1c), Samsung достигла стабильного выхода годных кристаллов и ведущей в отрасли производительности. На выставке GTC 2026 также будет впервые представлено следующее поколение памяти – HBM4E, обеспечивающее скорость 16 Гбит/с на контакт и пропускную способность 4,0 терабайта в секунду (ТБ/с).

Посетители также смогут ознакомиться с технологией гибридного медного соединения (HCB) – новым методом, который позволит памяти HBM следующего поколения достигать 16 и более слоев, снижая при этом тепловое сопротивление более чем на 20 процентов по сравнению с методом термокомпрессионной сварки (TCB).

Альянс, который выводит эру AI на новый уровень

Тесное сотрудничество между Samsung и NVIDIA будет подчеркнуто в отдельной зоне стенда NVIDIA Gallery, где будет представлена широкая линейка передовых технологий Samsung, таких как HBM4, SOCAMM2 и SSD-накопитель PM1763, разработанных для AI-инфраструктуры NVIDIA.

Отвечая на потребность в максимальной эффективности и масштабируемости AI-систем, модуль SOCAMM2 от Samsung на базе DRAM с низким энергопотреблением представляет собой оптимальный модуль серверной памяти, предлагающий высокую пропускную способность и гибкую системную интеграцию для AI-инфраструктуры следующего поколения. В настоящее время SOCAMM2 от Samsung находится в массовом производстве, став первым подобным решением в отрасли, достигшим этого этапа.

Разработанный для систем хранения данных AI следующего поколения, SSD-накопитель Samsung PM1763 основан на новейшем интерфейсе PCIe 6.0, обеспечивающем быструю передачу данных и большую емкость. Ведущая в отрасли производительность PM1763 будет продемонстрирована на серверах, работающих с моделью программирования NVIDIA SCADA.

В рамках новой референсной архитектуры NVIDIA BlueField-4 STX для ускоренной инфраструктуры хранения данных в платформе NVIDIA Vera Rubin, SSD-накопитель Samsung PM1753 продемонстрирует, как он помогает повысить энергоэффективность и производительность системы для задач логического вывода.

Архитектура памяти для масштабирования интеллектуального производства

На GTC 2026 Samsung продемонстрирует сотрудничество с NVIDIA по разработке AI-фабрик (AI Factory), включая планы по внедрению ускоренных вычислений NVIDIA для масштабирования AI-фабрики Samsung и ускорения производства цифровых двойников с использованием библиотек NVIDIA Omniverse. Это сотрудничество лежит в основе одной из самых комплексных в мире инфраструктур по производству микросхем, охватывающей память, логику, литейное производство и передовую упаковку.

Отдельно Ён Хо Сонг (Yong Ho Song), исполнительный вице-президент и глава AI-центра в Samsung Electronics, более подробно расскажет о стратегическом сотрудничестве двух компаний в ходе своего выступления 17 марта 2026 года. В рамках сессии под названием «Трансформация производства полупроводников с помощью агентного AI: от проектирования и инженерии до производства» он подробно опишет AI-фабрику компании и поделится инновационными примерами реального использования, где AI и цифровые двойники меняют производство полупроводников – от прорывов в области автоматизации проектирования электроники (EDA) и вычислительной литографии до проектирования и эксплуатации передовых производственных мощностей на базе технологий NVIDIA.

Эффективная память для локального интеллекта

Решения Samsung в области памяти также предлагают максимальную эффективность для локальных AI-задач на персональных устройствах. В ходе GTC 2026 Samsung представит специализированные и эффективные решения для персональных AI-суперкомпьютеров, включая накопители Samsung PM9E3 и PM9E1 NAND для NVIDIA DGX Spark.

Кроме того, Samsung продемонстрирует решения DRAM – LPDDR5X и LPDDR6, разработанные для бесшовной интеграции в премиальные смартфоны, планшеты и носимые устройства, обеспечивая более высокую пропускную способность данных и меньшую задержку. LPDDR5X обеспечивает скорость до 25 Гбит/с на контакт, снижая при этом энергопотребление до 15 процентов, что позволяет достичь сверхбыстрого отклика мобильных устройств, высокого разрешения в играх и работы приложений с поддержкой AI без ущерба для времени автономной работы.

Опираясь на этот фундамент, LPDDR6 увеличивает пропускную способность до масштабируемых 30–35 Гбит/с на контакт и внедряет передовые функции управления питанием, такие как адаптивное масштабирование напряжения и динамическое управление обновлением, которые в совокупности обеспечивают производительность, необходимую для AI-задач следующего поколения на периферийных устройствах.