Con una amplia experiencia en DRAM, NAND, almacenamiento empresarial y tecnologías avanzadas de semiconductores, Samsung presentó su más reciente portafolio de memorias para IA y su hoja de ruta tecnológica. Entre las novedades se encuentran los modelos conceptuales zHBM y zNAND-O, la primera presentación de la industria de V10 BV-NAND con más de 400 capas y una amplia gama de soluciones diseñadas para impulsar la infraestructura de inteligencia artificial del futuro. Durante FMS 2026, Samsung también exhibe un stand inspirado en un servidor de nube para IA, donde presenta cerca de 30 tecnologías de memoria y almacenamiento.

En el discurso de apertura del evento, Jin-Yub Lee, vicepresidente ejecutivo y responsable de Productos y Tecnología Flash del negocio de Memoria de Samsung, y Kyungryun Kim, vicepresidente y líder de proyecto del equipo de Diseño de DRAM, presentaron la visión de la compañía sobre las estructuras 3D de próxima generación para futuras soluciones de memoria.

Bajo el título “Impulsando la ola de la revolución de la IA: innovaciones 3D en arquitectura de memoria y almacenamiento”, la conferencia expuso la visión de Samsung para maximizar el rendimiento y la eficiencia energética de los sistemas de inteligencia artificial, al tiempo que responde a la creciente demanda de infraestructura de IA y computación de alto rendimiento (HPC).

La compañía también presentó V10 BV-NAND, una arquitectura basada en una nueva tecnología de unión de wafers implementada por primera vez en la industria.

Visión de Samsung para la memoria 3D de próxima generación

En FMS 2026, Samsung reveló los primeros modelos conceptuales de la industria de zHBM y zNAND-O, presentando su visión para la próxima generación de arquitecturas de memoria 3D.

Diseñada para la computación avanzada de inteligencia artificial, zHBM incorpora una nueva arquitectura de memoria que apila verticalmente la HBM directamente sobre los aceleradores de IA, superando los diseños convencionales en los que la memoria HBM se ubica junto al procesador.

Al reducir la distancia que recorren los datos entre el procesador de IA y la memoria, zHBM fue diseñada para ofrecer un mayor ancho de banda y una mejor eficiencia energética, lo que permite el procesamiento ultrarrápido de datos necesario para el entrenamiento y la inferencia de modelos de inteligencia artificial a gran escala.

Se espera que un sistema de interfaz de próxima generación con zHBM ofrezca un rendimiento aproximadamente ocho veces superior al de HBM5. Gracias a la tecnología de unión de wafers de nueva generación, zHBM puede alcanzar una densidad de memoria más de 10 veces superior a la de HBM5, además de triplicar la eficiencia energética y reducir la resistencia térmica en más de la mitad, maximizando la estabilidad y la eficiencia energética de sistemas de alta capacidad y gran ancho de banda.

La zHBM también admite diseños personalizados para clientes, lo que permite integrar propiedad intelectual (IP) personalizada en la capa intermedia entre la memoria y el acelerador de IA, ampliando la capacidad de memoria y mejorando el rendimiento del acelerador.

A partir de una estrecha colaboración con sus clientes, Samsung planea optimizar aún más la integración entre los procesadores de IA y la memoria mediante zHBM para maximizar el desempeño de los sistemas de inteligencia artificial.

La compañía también presentó zNAND-O, una solución NAND de alto rendimiento de próxima generación basada en la tecnología V-NAND de Samsung, actualmente en desarrollo en versiones de cuatro y ocho capas. Al combinar una alta eficiencia en el aprovechamiento del espacio, un mejor rendimiento de entrada y salida (I/O) y una baja latencia, zNAND-O está optimizada para entornos de IA en el borde (edge AI), lo que permite aplicaciones de inteligencia artificial en tiempo real con un uso intensivo de datos.

V10 BV-NAND, pionera en la industria

Samsung presentó V10 BV-NAND, dando a conocer su nueva arquitectura Bonding V-NAND. El anuncio se produce 13 años después de que la compañía introdujo la primera tecnología V-NAND de la industria durante Flash Memory Summit 2013, marcando un nuevo hito en la innovación NAND de Samsung.

Con más de 400 capas, V10 BV-NAND ofrece un mayor rendimiento y una mejor eficiencia energética, al tiempo que incrementa significativamente la densidad de almacenamiento. Gracias a la aplicación de la tecnología de unión de wafers para apilar las celdas de memoria, Samsung aumentó la densidad de memoria en aproximadamente un 58 % en comparación con la generación anterior (V9).

Además del incremento en el número de capas, V10 BV-NAND también mejora el rendimiento de lectura, escritura y entrada/salida (E/S) respecto a la generación anterior, lo que permite ofrecer soluciones NAND de alto rendimiento y alta capacidad para futuros sistemas y aplicaciones de inteligencia artificial.

Hoja de ruta de memoria para IA: de HBM a PIM y almacenamiento empresarial

Samsung también presentó su más reciente portafolio de memoria y almacenamiento para inteligencia artificial, que incluye HBM4E, HBM5, LPDDR5X-PIM y PM1763, destacando su hoja de ruta para la próxima generación de computación con IA e infraestructura para centros de datos.

Tras convertirse en la primera empresa de la industria en iniciar la producción en masa de HBM4 utilizando sus tecnologías de DRAM de 1c y base die de 4 nanómetros (nm) en febrero, Samsung fue también la primera en comenzar el envío de muestras de HBM4E a clientes globales en mayo, reforzando su liderazgo en memorias HBM de próxima generación.

Junto con las muestras de HBM4E y el modelo HBM5, la compañía exhibió LPDDR5X-PIM, la primera memoria LPDDR de la industria con tecnología de procesamiento en memoria (PIM). Esta nueva solución fue desarrollada para realizar el procesamiento de datos directamente en la memoria, mejorando tanto la eficiencia del movimiento de datos como el consumo energético.

La exposición también incluyó las más recientes soluciones de almacenamiento empresarial de Samsung, entre ellas PM1763 y BM1773, diseñadas para responder a las crecientes necesidades de almacenamiento de los centros de datos para IA.

Soluciones integrales en un solo lugar

Como el único fabricante integrado de dispositivos (IDM) del mundo con capacidades líderes en memoria, foundry y empaquetado avanzado, Samsung presentó su estrategia integral para la infraestructura de IA de próxima generación, ofreciendo a sus clientes soluciones llave en mano que responden a las necesidades de una industria en constante evolución.

Desde el diseño del producto hasta la producción en masa, Samsung proporciona servicios integrados de desarrollo y fabricación que ayudan a reducir los ciclos de desarrollo, al tiempo que optimizan el rendimiento y la eficiencia energética, permitiendo a los clientes llevar al mercado, con mayor rapidez, soluciones diferenciadas de semiconductores para inteligencia artificial.