Samsung yeni microSD kartları sayesinde gelecekteki bellek teknolojileri için yüksek performans ve kapasite sunuyor

Samsung Electronics, mevcut arayüzden dört kat hızlı olan, sektörün ilk 256GB SD Express microSD kartını tanıttı. Samsung ayrıca, en yeni V-NAND teknolojisiyle donatılan 1TB UHS-1 microSD kartının seri üretimine başladı.

Gelişmiş bellek teknolojilerinde alanında öncü olan Samsung Electronics, saniyede 800 megabayta (MB/s) varan sıralı okuma hızına sahip 256 gigabaytlık (GB)¹ SD Express² microSD ve 1 terabaytlık (TB)³ UHS-1 microSD kartların seri üretimine geçtiğini duyurdu. Samsung, yeni nesil microSD kart serisiyle geleceğin mobil bilgi işleminin ve cihazda sunulan yapay zeka uygulamalarının gerektirdiği farklılaştırılmış bellek çözümlerini sunacak.

Samsung Electronics Bellek Markaları İş Birimi Ekibi Başkan Yardımcısı Hangu Sohn şunları söyledi: “Samsung, iki yeni microSD kartıyla, mobil bilişimde ve cihaz üzerinde sunulan yapay zekada artan talepleri karşılamak için etkili çözümler getiriyor. Küçük boyutlarına rağmen bu kartlar, kullanıcıların günümüzün ve geleceğin zorlayıcı uygulamalarından daha fazla yararlanmasına yardımcı olacak SSD benzeri güçlü performansa ve yüksek kapasiteye sahip.”

Sektörün ilk SD Express microSD kartı, 800 MB/s maksimum hıza çıkıyor

Sektörde ilk kez SD Express arayüzünü temel alan yüksek performanslı yeni bir microSD kart tanıtan Samsung’un bu adımı, özel bir ürün geliştirmek üzere gerçekleştirilen başarılı iş birliğinin ürünü olarak öne çıkıyor.

Düşük güç tüketen tasarımının yanı sıra yüksek performans ve termal yönetimi sağlayacak şekilde optimize edilen yazılım teknolojisi sayesinde, Samsung’un SD Express microSD kartı, küçük bir boyutta SSD’lere eşdeğer performans sunuyor. UHS-1 arayüzüne dayalı geleneksel microSD kartların okuma hızları 104MB/s ile sınırlıyken, SD Express bu hızı 985MB/s’ye çıkarmayı başardı. Bu değer, ilk kez ticari bir microSD kartta yakalandı.

Samsung’un SD Express microSD kartının sıralı okuma hızı ise 800MB/s’ye kadar çıkabiliyor. SATA SSD’lerden (560 MB/s’ye kadar) 1,4 kat daha hızlı olan SD Express microSD, geleneksel UHS-1 bellek kartlardan (200 MB/s’ye kadar) dört kattan daha hızlı çalışıyor. Bu değerler, PC’lerde ve mobil cihazlarda kullanılanlar da dahil olmak üzere, çeşitli uygulamalarda gelişmiş bilgi işlemlerinin yapılmasına olanak tanıyor. Küçük boyutuyla istikrarlı performans ve güvenilir çalışma sunan Dynamic Thermal Guard (DTG) teknolojisi, uzun süreli kullanımlarda bile SD Express microSD kartın optimum sıcaklığını koruyor.

1TB UHS-1 microSD kart, en yeni 1Tb V-NAND teknolojisiyle geliştirildi

Samsung’un yeni 1TB microSD kartı, microSD formu içerisinde şirketin 8. nesil 1 terabit (TB) V-NAND çözümünün sekiz katmanını bir araya getirerek daha önce sadece SSD’lerde mümkün olan yüksek kapasiteli mimariyi hayata geçirmeyi başardı. Sektörün en zorlu testlerinden geçen yeni 1TB microSD kart, aşırı sıcaklığa ve düşmeye dayanıklı tasarımının yanında su, aşınma, X-ray ve manyetik alan koruması gibi özellikleriyle zorlu ortamlarda bile güvenle kullanılabiliyor.⁴

256GB SD Express microSD kart bu yılın sonlarına doğru, 1TB UHS-1 microSD kart ise bu yılın üçüncü çeyreğinde satışa sunulması bekleniyor.

[1] 1 gigabayt (GB) = 1.000.000.000 bayt (1 milyar bayt). Gerçek kullanılabilir kapasite değişebilir.
[2] SD Express: PCIe Gen3x1 (Şubat 2019’da piyasaya sürülen SD 7.1 spesifikasyonu) ile çalışan SD kart ara yüzüne sahip bir SD Express kartının teorik olarak aktarım hızı, 985MB/s’dir.
[3] 1 terabayt (TB) = 1.000.000.000.000 bayt (1 trilyon bayt). Gerçek kullanılabilir kapasite değişebilir.
[4] Samsung, hafıza kartı verilerinin kurtarılmasından kaynaklanan herhangi bir hasardan ve/veya veri kaybından ya da çıkabilecek maliyetten sorumlu değildir. Belirtilen altı koruma, yalnızca 1TB UHS¬-1 microSD Kart için geçerlidir, 256GB SD Express microSD Kart için geçerli değildir. 1M derinlik, tuzlu su, 72 saat. Çalışırken 25℃ ila 85℃ (-13°F ila 185°F) arası sıcaklık, çalışmazken -40℃ ila 85℃ (-40°F ila 185°F) arası sıcaklık. Standart havaalanı x-ray cihazlarına dayanıklıdır (100mGy’ye kadar). Yüksek alanlı bir MRI tarayıcısına eşdeğer manyetik alana dayanıklıdır (15.000 gauss’a kadar). 5 metreye (16,4 feet) kadar yüksekten düşmeye dayanıklıdır. 10.000 adede kadar silme işlemine dayanıklıdır.