Samsung completa con éxito el desarrollo de la solución RF de 8nm para el fortalecimiento de las soluciones de chips de comunicaciones 5G

on 17-06-2021
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La nueva arquitectura de chip RF de 8nm brinda hasta un 35% de aumento en la eficiencia energética y una disminución del 35% en el área lógica en comparación con RF de 14nm

Samsung Electronics Co., Ltd., líder mundial en tecnología avanzada de semiconductores, presentó su tecnología de radiofrecuencia (RF) más nueva basada en el proceso de 8 nanómetros (nm).

 

Se espera que esta tecnología de fundición de vanguardia proporcione una “solución de un chip”, específicamente para comunicaciones 5G con soporte para diseños de chips de múltiples canales y múltiples antenas. Además, se espera que la extensión de la plataforma RF de 8nm de Samsung amplíe el liderazgo de la empresa en el mercado de semiconductores 5G desde aplicaciones sub-6GHz hasta mmWave.

 

La tecnología de proceso RF de 8nm de Samsung es la última incorporación a una cartera ya amplia de soluciones relacionadas con RF, incluyendo RF basado en 28nm y 14nm. La compañía ha establecido su liderazgo en el mercado de RF mediante el envío de más de 500 millones de chips RF móviles para teléfonos inteligentes premium desde 2017.

 

“A través de la excelencia en innovación y fabricación de procesos, hemos reforzado nuestras ofertas de comunicación inalámbrica de próxima generación”, dijo Hyung Jin Lee, Maestro del Equipo de Desarrollo de Tecnología de Fundición en Samsung Electronics. “A medida que 5G mmWave se expande, RF de 8nm de Samsung será una gran solución para los clientes que buscan una batería de larga duración y una excelente calidad de señal en dispositivos móviles compactos”.

 

Nueva arquitectura RFeFET™ de Samsung

 

Con el escalado continuo a nodos avanzados, los circuitos digitales han mejorado significativamente en rendimiento, consumo de energía y área (PPA), mientras que los bloques analógicos/RF no han disfrutado de tal mejora debido a parásitos degenerativos, como el aumento de la resistencia del ancho de línea estrecho. Como resultado, la mayoría de los chips de comunicaciones tienden a tener características RF degradadas, como un rendimiento de amplificación deteriorado de la frecuencia de recepción y un mayor consumo de energía.

 

Para superar los desafíos de escalamiento analógico/RF, Samsung ha desarrollado una arquitectura única exclusiva para RF de 8nm llamada RFextremeFET (RFeFET™) que puede mejorar significativamente las características de RF con menos energía. En comparación con RF de 14nm, RFeFET™ de Samsung complementa el escalado digital de PPA y restaura el escalado analógico/RF al mismo tiempo, lo que habilita plataformas 5G de alto rendimiento.

 

La optimización de procesos de Samsung maximiza la movilidad del canal al tiempo que minimiza los parásitos. A medida que el rendimiento de RFeFET™ mejora enormemente, puede reducirse el número total de transistores de chips RF y el área de bloques analógicos/RF.

 

En comparación con RF de 14nm, la tecnología de proceso de RF de 8nm de Samsung proporciona hasta un 35% de aumento en la eficiencia energética con una disminución del 35% en el área del chip RF, resultante de la innovación arquitectónica RFeFET™.

 

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