Samsung présente la HBM4E et dévoile sa vision ainsi que ses solutions IA avancées lors de l’évènement NVIDIA GTC 2026

Samsung accélère le développement des infrastructures et des usines intelligentes grâce à une large gamme de solutions de calcul pour datacenters et IA embarquée.

La technologie HBM4, une première dans le secteur, ainsi que son successeur, le HBM4E, seront présentés, mettant en avant des performances, une fiabilité et une efficacité énergétique optimisées pour les centres de données de nouvelle génération.

Samsung présentera sa collaboration stratégique avec NVIDIA en matière d’innovation dans l’ingénierie des semi-conducteurs, de la R&D et de la conception à la fabrication.

Samsung Electronics, leader mondial dans le domaine des technologies de semi-conducteurs de pointe, a annoncé aujourd’hui les solutions de calcul complètes dédiées à l’IA qui seront présentées lors du salon NVIDIA GTC 2026, qui se tiendra à San José, en Californie, du 16 au 19 mars. En tant que seul fabricant de semi-conducteurs du secteur à proposer une solution IA complète couvrant la mémoire, la logique, la fonderie et l’assemblage avancé, Samsung présentera l’ensemble de son portefeuille de produits et de solutions permettant à ses clients de concevoir et de développer des systèmes d’IA de nouvelle génération. Pour en savoir plus sur les solutions IA de Samsung, rendez-vous sur le stand N°1207 de la GTC 2026.

Au cœur de la présentation de Samsung à la NVIDIA GTC 2026 figure la mémoire à large bande passante de sixième génération HBM4, désormais en production de masse et conçue pour la plateforme NVIDIA Vera Rubin. La HBM4 de Samsung devrait accélérer le développement des futures applications d’IA, en offrant des vitesses de traitement constantes de 11,7 gigabits par seconde (Gbps), supérieures au standard du secteur fixé à 8 Gbps, avec un potentiel d’extension jusqu’à 13 Gbps.

Grâce à son procédé DRAM de sixième génération de classe 10 nanomètres (1c), parmi les plus avancés, Samsung a atteint des rendements stables et des performances de premier plan. La HBM4E de nouvelle génération, offrant 16 Gbps par broche et une bande passante de 4,0 téraoctets par seconde (TB/s), sera également présentée pour la première fois lors de la GTC 2026.

Les visiteurs pourront également découvrir la technologie de liaison hybride cuivre (HCB) de Samsung, une nouvelle méthode permettant aux futures HBM d’atteindre 16 couches ou plus tout en réduisant la résistance thermique de plus de 20 % par rapport à la technologie de compression thermique (TCB).

Une alliance pour faire passer l’ère de l’IA au niveau supérieur

La collaboration étroite entre Samsung et NVIDIA sera mise en avant dans un espace dédié, le « NVIDIA Gallery », présentant une large gamme de technologies de pointe de Samsung, telles que la HBM4, la SOCAMM2 et le SSD PM1763, conçues pour les infrastructures d’IA NVIDIA.

Répondant aux besoins d’efficacité maximale et de scalabilité des systèmes d’IA, la SOCAMM2 de Samsung, basée sur une DRAM basse consommation, constitue un module mémoire serveur optimal offrant une bande passante élevée et une intégration flexible pour les infrastructures d’IA de nouvelle génération. La SOCAMM2 est actuellement en production de masse, une première dans l’industrie.

Conçu pour les solutions de stockage IA de nouvelle génération, le SSD PM1763 de Samsung repose sur la dernière interface PCIe 6.0, permettant des transferts de données rapides et de grandes capacités. Les performances de pointe du PM1763 seront démontrées sur des serveurs fonctionnant avec le modèle de programmation NVIDIA SCADA.

Dans le cadre de la nouvelle architecture de référence NVIDIA BlueField-4 STX pour les infrastructures de stockage accéléré de la plateforme Vera Rubin, le SSD PM1753 de Samsung illustrera son rôle dans l’amélioration de l’efficacité énergétique et des performances système pour les charges de travail d’inférence.

Une architecture mémoire pour une production intelligente à grande échelle

Samsung présentera également sa collaboration avec NVIDIA autour du développement des AI Factory lors de la GTC 2026. Cette initiative inclut l’intégration du calcul accéléré NVIDIA afin de déployer à grande échelle ses usines intelligentes et d’accélérer la fabrication basée sur des jumeaux numériques, en s’appuyant sur les bibliothèques NVIDIA Omniverse. Cette collaboration alimente l’une des infrastructures de fabrication de puces les plus complètes au monde, couvrant la mémoire, la logique, la fonderie et l’assemblage avancé.

Par ailleurs, Yong Ho Song, vice-président exécutif et directeur du centre IA de Samsung Electronics, détaillera cette collaboration stratégique lors de sa conférence le 17 mars 2026. Intitulée « Transformer la fabrication des semi-conducteurs grâce à l’IA agentique, de la conception à l’ingénierie en passant par la production », cette session présentera l’usine intelligente de Samsung et des cas d’usage concrets illustrant comment l’IA et les jumeaux numériques transforment la fabrication des semi-conducteurs, notamment grâce à des avancées en conception électronique assistée par ordinateur (EDA) et en lithographie computationnelle.

Une mémoire optimisée pour l’intelligence embarquée

Les solutions mémoire de Samsung offrent également une efficacité maximale pour les charges de travail d’IA locales sur les appareils personnels. Lors de la GTC 2026, Samsung présentera des solutions optimisées pour les supercalculateurs IA personnels, notamment les NAND PM9E3 et PM9E1 destinées au NVIDIA DGX Spark.

Samsung exposera également ses solutions DRAM LPDDR5X et LPDDR6, conçues pour une intégration fluide dans les smartphones premium, tablettes et objets connectés. Ces solutions offrent des débits de données plus rapides et une latence réduite. La LPDDR5X atteint des vitesses allant jusqu’à 25 Gbps par broche tout en réduisant la consommation d’énergie jusqu’à 15 %, permettant des expériences mobiles ultra-réactives, des jeux haute résolution et des applications enrichies par l’IA sans compromettre l’autonomie.

Dans cette continuité, la LPDDR6 pousse encore plus loin la bande passante, avec des performances évolutives de 30 à 35 Gbps par broche. Elle introduit également des fonctionnalités avancées de gestion de l’énergie, telles que l’ajustement adaptatif de la tension et le contrôle dynamique du rafraîchissement, offrant ainsi les performances nécessaires aux charges de travail d’IA en périphérie de nouvelle génération.