삼성전자, 개방형 혁신으로 새로운 차원의 메모리 개발 앞장설 것

2021/07/15
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삼성전자가 7월 15일, 세계반도체연합 (GSA, Global Semiconductor Alliance)이 온라인으로 개최한 ‘2021 GSA Memory+콘퍼런스’에 참여했다.

GSA는 반도체 생태계 협력과 발전을 논의하기 위해 설립된 협회로, 반도체 제조사뿐 아니라 소프트웨어와 플랫폼 등 다양한 글로벌 IT 기업들이 참여하고 있다. 이번 콘퍼런스에서 참가자들은 ‘Architecting the Digital Future’를 주제로 데이터 시대에 필요한 차세대 메모리와 시스템 설계 방식의 발전에 대해 논의했다.

폐막 기조연설에 나선 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅실장 한진만 부사장은 인공지능과 빅데이터 활용으로 급격히 증가하는 데이터 폭증에 대해 메모리 반도체가 직면한 도전과 새로운 역할에 대해 발표했다.

GSA 폐막 기조연설의 한 장면 화면에는 Enabling new architectures with computational memory solutions라는 문구와 함께 HBM-PIM, AXDIMM, SmartSSD, CXL Memory 반도체 사진이 띄워져 있다

한 부사장은 5G, AI와 같은 기술의 부상과 더불어 코로나19가 유발한 데이터 폭증에 대처하기 위해, 미래의 메모리 기술은 우리가 이전에 경험하지 못한 수준의 성능과 연결성을 지원해야 한다고 강조했다.

메모리 업계는 더 큰 용량과 더 빠른 속도에 대한 수요를 충족시키기 위해 오랫동안 노력을 기울여 왔다. 하지만, 이제는 또 한번 한계를 뛰어넘는 혁신이 필요한 시점이다.

삼성전자는 메모리 업계 최초로 EUV와 HKMG 공정 기술을 적용한 D램으로 미세공정 혁신을 주도하고 있으며, HCB(hybrid copper bonding)와 같은 혁신 기술을 통해 열 성능을 최적화하고 있다. V-NAND 기술에서도 같은 단수를 더 낮게 구현해, 높이의 물리적 한계를 극복할 수 있는 기반 기술을 확보했다.

특히 최근에는 △세계 최초로 메모리와 시스템반도체를 융합한 HBM-PIM (Processing-in-Memory), △D램 모듈에 연산기능을 탑재한 AXDIMM, △SSD에 연산기능을 탑재한 스마트 SSD, △D램 용량 한계를 극복할 수 있는 CXL D램 등 새로운 메모리 솔루션을 지속해서 선보이고 있다.

한 부사장은 "삼성전자는 새로운 시스템 아키텍처를 지원할 수 있는 차세대 메모리 솔루션 개발을 주도하고 있다”며 “빠르고 복잡하게 변화하는 IT업계에 적합한 메모리 반도체 기술을 지속 개발하기 위해 글로벌 기업들과 협력을 통해 개방형 혁신에 앞장설 것”이라고 밝혔다.

한 부사장은 “삼성전자는 새로운 시스템 아키텍처를 지원할 수 있는 차세대 메모리 솔루션 개발을 주도하고 있다”며 “빠르고 복잡하게 변화하는 IT업계에 적합한 메모리 반도체 기술을 지속 개발하기 위해 글로벌 기업들과 협력을 통해 개방형 혁신에 앞장설 것”이라고 밝혔다.

‘2021 GSA Memory+ 콘퍼런스’에서 진행한 한진만 부사장의 기조 연설은 아래 영상에서 볼 수 있다.

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