삼성전자, 세계 최초 3차원 적층 TSV 기반 ‘DDR4 D램 모듈’ 양산

기존 서버 D램 대비 동작 속도 2배 증가, 소비 전력은 절반으로 감소

삼성전자가 세계 최초로 3차원 ‘TSV(Through Silicon Via, 실리콘 관통 전극)’ 적층 기술을 적용한 64기가바이트(GB) 차세대 DDR4(Double Data Rate 4) 서버용 D램 모듈을 양산하기 시작했습니다.

이번 64기가바이트 DDR4 D램 모듈은 20나노급 4기가비트(Gb) D램 칩 144개로 구성된 대용량 제품인데요. 최첨단 3차원 TSV 기술로 4기가비트 D램을 4단으로 쌓아 만든 4단 칩 36개를 탑재했습니다.

▲TSV 기술 기반 64기가바이트 DDR4 서버용 D램 모듈

삼성전자는 2010년 세계 최초로 TSV 기반 D램 모듈을 개발해 글로벌 서버 고객과 기술 협력을 추진해왔는데요. 올해는 TSV 전용 라인을 구축하고 양산 체제에 돌입함으로써 새로운 시장 창출에 나섭니다.

▲TSV 기술 기반 64기가바이트  DDR4 서버용 D램 모듈

특히 이번 64기가바이트 대용량 서버용 DDR4 모듈과 올 하반기 출시되는 글로벌 IT 업체들의 차세대 서버용 중앙 처리 장치(CPU)를 연계해 DDR4 신규 시장을 적극적으로 공략할 예정입니다.

향후 3차원 메모리 반도체 시장 지속 성장해 나갈 것

더불어 삼성전자는 작년 세계 최초로 3차원 V낸드 플래시를 양산하고 이번에는 업계 최초로 DDR4 D램에 TSV 기술을 적용한 차세대 제품을 양산함으로써 ‘3차원 메모리 반도체 시대’를 주도하게 됐습니다.

이번 3차원 TSV 기술 기반의 서버용 D램은 기존 와이어(wire bonding)를 이용했는데요. D램 대비 동작 속도가 2배나 빠르면서도 소비전력을 1/2 수준으로 크게 절감했습니다.

특히 TSV 기술 적용으로 현재까지 D램에서 속도 지연 문제로 최대 4단까지 밖에 쌓지 못했던 기술 한계를 넘을 수 있게 됐는데요. 더 많은 칩을 쌓을 수 있어 향후 64기가바이트 이상 대용량 제품을 양산할 수 있습니다.

삼성전자는 하반기 서버 D램 시장이 DDR3 D램에서 DDR4 D램으로 전환되는 트랜드에 맞춰 3차원 TSV 기술을 적용한 64기가바이트 이상의 고용량 DDR4 모듈도 출시해 프리미엄 메모리 시장을 더욱 확대해 나갈 예정입니다.

"이번 TSV 기반 D램 모듈 양산으로 하반기 업계 차세대 CPU 출시에 맞춘 초절전 솔루션을 제공하고 프리미엄 DDR4 D램 시장을 선점할 수 있게 됐습니다. 향후 3차원 메모리 반도체 기술을 기반으로 차세대 라인업을 한 발 앞서 출시해 제품 경쟁력을 강화하고, 글로벌 메모리 시장이 지속 성장하는 데 주도적인 역할을 할 것입니다."

-메모리사업부 메모리 마케팅팀 백지호 상무

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