삼성전자, 세계 최초 50나노급 16기가 낸드 양산 개시

삼성전자가 지난 3월 업계 최소 선폭인 51나노 기술을 적용한 8기가비트(Gb) 낸드플래시의 양산을 개시한 데 이어, 세계 최초로 51나노(머리카락 두께 2천분의 1) 공정을 적용한 세계 최대 용량의 16기가비트(Gb) 낸드플래시 양산에 돌입했다.

삼성전자는 지난 해 8월 60나노급 공정을 적용한 8기가비트(Gb) 낸드플래시 양산을 개시한 바 있으며, 약 8개월만에 용량은 두배로 높이고, 성능도 약 2배 향상된 16기가비트(Gb) 제품 양산에 성공하게 됐다.

삼성전자의 51나노 16기가 낸드플래시 양산은 업계 최소 회로 선폭을 적용했으며 55~57나노가 주류를 이루고 있는 다른 업체들의 50나노급 제품과 비교하여 앞선 세대 공정이라는 점에서 더욱 주목된다.

또한, 금번 51나노 기술을 적용한 낸드플래시는 기존 60나노급 제품에 비해 60% 정도 생산성 향상이 가능하다.

이에 따라, 금번 제품의 양산 돌입은 최근의 낸드플래시 가격 상승세와 맞물려 삼성전자 반도체 부문의 수익성 개선에 매우 긍정적 요인으로 작용될 전망이다.

낸드플래시 시장에서 주력 제품의 용량은 대체로 1년에 2배씩 성장한다.

즉, 작년에는 4기가 제품이 주류를 이뤘으며, 올해는 8기가, 내년에는 16기가가 업계의 주력 제품이 될 전망이다.

지난 해 40나노급 32기가 낸드플래시 세계 최초 개발에 성공한 바 있는 삼성전자는, 올해 세계 최초로 16기가 낸드플래시 양산에 돌입함으로써 경쟁사들에 앞서 차세대 낸드 시장을 선점할 것으로 기대된다.

또한 낸드플래시 개발과 양산 두 분야 모두에서 강력한 기술 리더십을 지속적으로 유지하고 있음을 다시 한 번 증명하게 됐다.

이번에 양산되는 51나노 16기가 낸드플래시는 공정 미세화와 고용량화 실현은 물론, 고용량 구현은 용이하나 빠른 읽기 속도 구현이 어려웠던 기존 MLC (Multi Level Cell : 한 셀에 2개의 데이터를 저장) 낸드플래시의 약점을 보완했다는 특징도 가지고 있다.

낸드플래시는 페이지(Page)라는 기본 단위로 데이터를 읽고 쓰는데 기존의 60나노급 낸드 플래시는 2KByte가 기본 단위로 구동되었으나, 금번 51나노 16기가 제품은 4KByte를 기본 단위로 데이터를 처리, 60나노급 낸드 플래시에 비해 읽기/쓰기 속도를 약 2배 정도 향상시켰다.

그 결과, 기존 MLC 제품의 약점으로 지적되던 스피드 문제가 대폭 개선되어 고속 특성의 SLC (Single Level Cell) 낸드플래시에 필적하는 읽기 속도를 구현하게 되었다. 

이번에 양산되는 16기가비트(Gb) 제품으로 32기가바이트(GB) 메모리 카드를 제작할 경우 DVD급 영화 20편 (약 32시간) 혹은 MP3 파일 8천곡 혹은 일간지 200년치 분량 저장이 가능하다.

삼성전자는 낸드플래시의 데이터 처리 단위 변경에 맞추어 신제품 출시와 동시에 이를 지원하는 최적의 소프트웨어를  제공할 예정이며, 주요 메모리 카드와 MP3용 컨트롤러도 이미 출시된 바 있어 금번 51나노 16기가 MLC 낸드플래시는 양산 개시와 동시에 시장이 본격적으로 확대될 전망이다.

’07년 본격화되어 ’08년 주력 시장으로 성장할 것으로 보이는 50나노급 낸드 시장은 2010년까지 누적 210억불의 규모로 성장할 것으로 예상된다.

[ 낸드플래시 시장전망 (백만불) ]