세계 최초 50나노 1기가 D램 개발

– 두 종류의 ’3차원 입체 트렌지스터’ 新기술, ’복합 유전층’ 新물질,
6F²D램 셀 등 적용으로 D램 성능 획기적 개선
– 50나노 DRAM 시장, 향후 4년간 55조원 시장 형성 전망
(’08년 시장 도입 (50억불) / ~’11년 누계 550억불)
– ’06년 삼성전자 D램, 반도체 단일제품 최초 100억불 매출 기대

삼성전자가 최첨단 "3차원 입체 트랜지스터" 신기술 및 "복합 유전층" 신물질을 적용, 세계 최초로 50나노 1기가 DDR2 D램 개발에 성공했다.

50나노 공정은, 현재 양산 중인 80나노 공정에 비해 3세대 앞선 기술로, 80나노 제품 對比 생산성을 2배 향상시켰으며, 작년 삼성이 세계 최초로 개발한 60나노 공정에 비해서는 생산성이 55% 향상된 최첨단 공정 기술이다.

특히, 50나노 1기가 D램은 스피드 특성 및 데이터 저장 능력이 획기적으로 개선되었는데, 핵심 기술로는, RCAT (Recess Channel Array Transistor) 및 SEG (Selective Epitaxial Growth) 라는 두 종류의 혁신적인 3차원 입체 트랜지스터 구조 신기술이 업계 최초로 동시에 적용되었으며, "복합 유전층" 이라는 신물질도 사용되었다.

개발 측면에서는 경쟁사와의 격차를 1년 이상 확대할 전망이며, 양산 측면에서도 본격 양산이 예상되는 ’08년부터 독보적 수익성을 유지할 수 있는 기반을 확보했다.

D램 시장이 최근 PC는 물론, 모바일, 디지털 컨수머, 게임기 등 IT 산업 거의 전분야로 빠르게 확산 중에 있으며, 특히 향후 수년간은 Windows Vista 효과까지 가세하고 있어 금번 개발의 파괴력은 D램 산업이 생긴 이래 가장 클 것으로 보인다.

또한, D램 사업 23년째인 올해는 반도체 단일 제품으로는 사상 최초로 100억불 매출 달성이 예상돼 반도체 최대 호황기였던 지난 ’95년 이후 최고 기록 이 예상된다.

삼성전자는 금번 50나노 D램 제품을 ’08년 1/4분기에 출시할 예정인데 이 50나노급 D램의 시장 창출 규모는 도입기인 ’08년 50억불을 시작으로, ’11년까지 누계로는 550억불에 육박할 전망이다.