삼성전자는 2020년 3월 업계 최초로 EUV 공정을 적용한 D램 모듈을 고객사들에게 공급한 바 있으며, 업계에서 유일하게 EUV 멀티레이어 공정을 적용해 최선단 14나노 D램을 구현하는 등 차별화된 공정 기술력을 선보이고 있다.

삼성전자는 반도체 회로를 보다 세밀하게 구현할 수 있는 EUV 노광 기술을 적용해 D램의 성능과 수율을 향상시켜, 14나노 이하 D램 미세 공정 경쟁에서 확고한 우위를 확보해 나갈 계획이다.

5개의 레이어에 EUV 공정이 적용된 삼성전자 14나노 D램은 업계 최고의 웨이퍼 집적도로 이전 세대 대비 생산성이 약 20% 향상됐다.

또한, 삼성전자 14나노 D램 제품의 소비전력은 이전 공정 대비 약 20% 개선됐다.

삼성전자는 이번 신규 공정을 최신 DDR5(Double Data Rate 5) D램에 가장 먼저 적용한다.

DDR5는 최고 7.2Gbps의 속도로 DDR4 대비 속도가 2배 이상 빠른 차세대 D램 규격으로 최근 인공지능, 머신러닝 등 데이터를 이용하는 방식이 고도화 되면서 데이터센터, 슈퍼컴퓨터, 기업용 서버 시장 등에서 고성능 DDR5에 대한 수요가 지속 커지고 있다.

삼성전자는 업계 최선단의 14나노 공정과 높은 성숙도의 EUV 공정기술력을 기반으로 차별화된 성능과 안정된 수율을 구현해, DDR5 D램 대중화를 선도한다는 전략이다.

또한 삼성전자는 고용량 데이터 시장 수요에 적극 대응하기 위해 이번 공정으로 단일 칩 최대 용량인 24Gb D램까지 양산할 계획이다.

삼성전자 메모리사업부 D램개발실장 이주영 전무는 “삼성전자는 지난 30년간 끊임없는 기술 혁신을 통해, 반도체 미세 공정의 한계를 극복해 왔으며, 이번에도 가장 먼저 멀티레이어에 EUV 공정을 적용해 업계 최선단의 14나노 공정을 구현했다”며, “고용량, 고성능 뿐만 아니라 높은 생산성으로 5G·AI·메타버스 등 빅데이터 시대에 필요한 최고의 메모리 솔루션을 공급해 나가겠다”고 밝혔다.

▲ 삼성전자 업계 최선단 14나노 DDR5 D램

삼성전자가 성능을 대폭 향상시킨 프리미엄 모바일AP ‘엑시노스 2100’을 출시했다.

5나노 EUV 공정으로 생산되는 ‘엑시노스 2100’은 최신 모바일AP 설계 기술이 적용되어 CPU, GPU 성능이 각각 30%, 40% 이상 향상됐으며, 온디바이스 AI (On-Device AI) 성능도 크게 강화됐다.

이번 신제품은 삼성전자 프리미엄 모바일AP 최초 5G 모뎀 통합칩으로 구현되어, 고사양 게이밍은 물론 복잡한 멀티태스킹 환경에서 최고의 솔루션으로 제공된다.

삼성전자 시스템LSI사업부장 강인엽 사장은 “‘엑시노스 2100’에 최첨단 EUV 공정, 최신 설계 기술을 적용해 이전 모델 보다 강력한 성능과 함께 한단계 향상된 AI 기능까지 구현했다”며, “삼성전자는 앞으로도 한계를 돌파하는 모바일AP 혁신으로 프리미엄 모바일기기의 새로운 기준을 제시해 나가겠다”고 밝혔다.

□ 최신 CPU 설계 적용·최적화로 성능 대폭 향상…AI 성능도 강화

삼성전자는 반도체 설계업체 ‘Arm’과의 협력을 기반으로 ‘엑시노스 2100’의 설계를 최적화해 성능을 대폭 향상시켰다.

‘엑시노스 2100’은 최대 2.9GHz로 구동되는 고성능 ‘코어텍스(Cortex)-X1’ 1개, ‘코어텍스-A78’ 3개, 저전력 ‘코어텍스-A55’ 4개를 탑재하는 ‘트라이 클러스터(Tri-Cluster) 구조’로 설계됐다. ‘엑시노스 2100’의 멀티코어 성능은 이전 모델에 비해 30% 이상 향상됐다.

또한, 최신 Arm ‘Mali-G78’이 그래픽처리장치(GPU)로 탑재되어, 이전 모델 대비 그래픽 성능이 40% 이상 향상됐다. 빠르면서도 현실감 높은 그래픽 처리가 가능해져, 게이밍은 물론 증강현실(AR), 가상현실(VR) 등 혼합현실(MR) 기기에서의 사용자의 몰입도를 극대화할 수 있게 됐다.

특히, 삼성전자는 ‘엑시노스 2100’의 온디바이스 AI 기능을 강화했다.

이 제품은 3개의 차세대 NPU 코어와 불필요한 연산을 배제하는 가속기능 설계 등을 통해 초당 26조번(26TOPS, Tera Operations Per Second) 이상의 인공지능 연산 성능을 확보했다.

중앙 클라우드 서버와의 데이터를 교환하지 않고도 단말기 자체에서 고도의 AI 연산이 가능하기 때문에 대규모 데이터를 빠르게 처리할 수 있을 뿐 아니라 인터넷 연결을 위한 네트워크가 지원되지 않는 상황에서도 사용자의 개인정보를 보호하고, 안정적인 AI 서비스를 이용할 수 있는 장점이 있다.

Arm 클라이언트사업부 폴 윌리엄슨(Paul Williamson) 부사장 겸 총괄은 “더 빠른 이동통신, 향상된 그래픽 성능과 인공지능 기술은 새로운 모바일 사용자 경험을 제공하는데 필요한 중요한 기술로 주목받고 있다”며, “삼성전자가 Arm과 긴밀하게 협력해 출시하는 ‘엑시노스 2100’은 차세대 스마트기기에 필요한 최상의 모바일 솔루션이 될 것”이라고 말했다.

□ 최대 6개 이미지센서 연결, 초고주파 대역 5G 통신…멀티미디어 강화

‘엑시노스 2100’은 최대 2억 화소 이미지까지 처리할 수 있는 고성능 ISP(이미지처리장치, Image Signal Processor)를 갖췄다.

최대 6개의 이미지센서를 연결하고, 4개의 이미지센서를 동시에 구동할 수 있다. 광각·망원 등 다양한 화각의 이미지센서를 통해 입력되는 이미지, 영상을 활용한 다이나믹한 촬영 기능을 지원한다.

‘엑시노스 2100’에는 5G 모뎀이 내장돼, 하나의 칩으로 5G 네트워크까지 모두 지원하기 때문에 부품이 차지하는 면적을 줄여 모바일 기기의 설계 편의성을 높였다.

이 제품에 내장된 5G 모뎀은 저주파대역(서브-6, Sub-6)은 물론 초고주파대역(밀리미터파, mmWave)까지 주요 주파수를 모두 지원해 다양한 통신 환경에서 폭넓게 사용할 수 있다.

□ 전력소모 절감 노력으로 탄소배출량 감축 효과도 거둬…

삼성전자는 소비전력 효율화를 위한 솔루션과 설계를 적용해 전력 사용량을 최소화했다.

소비전력이 7나노 대비 최대 20% 개선된 최신 5나노 EUV 공정으로 생산되는 ‘엑시노스 2100’은 AI 연산에 소모되는 전력도 절반 수준으로 줄었다.

또한, 전력 효율을 최적화하는 자체 솔루션 ‘AMIGO(Advanced Multi-IP Governor)’ 탑재로 고화질·고사양 게임과 프로그램을 구동할 때 배터리 소모에 대한 부담을 줄였다.

전력효율 향상을 위해 제품 설계부터 제조, 그리고 사용 환경까지 고려한 삼성전자의 노력은 스마트기기의 배터리 충전 횟수를 줄일 수 있어 탄소 배출량 감축에도 기여할 수 있을 것으로 기대된다.

삼성전자 무선사업부 개발실장 김경준 부사장은 “삼성전자는 고객들에게 최고의 모바일 경험을 제공하기 위해 끊임없이 노력하고 있다”며 “‘엑시노스 2100’의 강력한 코어성능과 한단계 향상된 AI 기능은 차세대 플래그십 스마트폰 개발에 크게 기여했다”고 말했다.

한편, 삼성전자는 12일(한국시간) 유튜브 채널(www.youtube.com/samsung)을 통해 온라인으로 ‘엑시노스 2100’ 출시 행사를 진행했다.

행사는 시스템LSI사업부장 강인엽 사장 인사말에 이어 제품 소개, 모바일AP 기술 혁신과 시장 선도 비전 발표로 진행됐다.

삼성전자는 현재 ‘엑시노스 2100’를 양산하고 있다.

▲ 삼성전자 5G 통합 프리미엄 모바일AP ‘엑시노스 2100’

▲ 삼성전자 강인엽 사장(시스템LSI 사업부장)이 ‘엑시노스 2100’을 소개하고 있다.

이 라인에서는 업계 최초로 EUV(Extreme Ultraviolet, 극자외선) 공정을 적용한 첨단 3세대 10나노급(1z) LPDDR5 모바일 D램이 생산된다.

□ D램, 낸드, 파운드리까지 생산하는 세계 최대 반도체 생산 라인

삼성전자의 평택 2라인은 연면적이 12만 8900㎡(축구장 16개 크기)에 달하는 세계 최대규모의 반도체 생산라인이다.

평택 2라인은 이번 D램 양산을 시작으로 차세대 V낸드, 초미세 파운드리 제품까지 생산하는 첨단 복합 생산라인으로 만들어져 4차 산업 혁명 시대의 반도체 초격차 달성을 위한 핵심적인 역할을 할 예정이다.

삼성전자는 평택 2라인에 지난 5월 EUV 기반 최첨단 제품 수요에 대비하기 위한 파운드리 생산라인을 착공했으며, 6월에는 첨단 V낸드 수요 확대에 대응하기 위한 낸드플래시 생산라인도 착공했다. 두 라인 모두 2021년 하반기부터 본격 가동할 예정이다.

이번 평택 2라인은 지난 2018년 8월에 발표한 180조원 투자, 4만명 고용 계획의 일환으로 건설된 것으로 삼성전자는 어려운 여건 속에서도 신규투자와 채용을 적극 확대하고 있다.

이에 따라 평택 1라인에 이어 이번 평택 2라인에도 총 30조원 이상의 대규모 투자가 집행된다. 직접 고용하는 인력은 약 4천 명으로 예상되고 협력사 인력과 건설인력을 포함하면 약 3만명 이상의 고용창출이 기대된다.

지난 2015년부터 조성된 평택캠퍼스는 289만㎡의 부지를 가진 삼성전자의 차세대 반도체 전초기지다. 평택 1라인은 2017년 6월 양산을 시작했으며, 평택 2라인은 2018년 1월 착공되어 이번에 처음으로 D램 제품을 출하했다.

삼성전자는 평택캠퍼스에 대한 적극적인 투자로 미래 반도체 시장 기회를 선점해 나갈 계획이다.

□ 차세대 스마트폰 시장 선점할 최첨단 EUV D램 본격 양산

평택 2라인에서 이번에 출하된 16Gb LPDDR5 모바일 D램은 메모리 양산제품으로는 처음 EUV 공정이 적용되었으며, 역대 최대 용량과 최고 속도를 동시에 구현한 업계 최초의 3세대 10나노(1z) LPDDR5 제품이다.

삼성전자는 금년 2월 2세대 10나노급(1y) 공정으로 역대 최대 용량의 16GB(기가바이트) LPDDR5 D램을 양산한 지 6개월 만에 차세대 1z 공정까지 프리미엄 모바일 D램 라인업을 강화했다.

이번 제품은 기존 플래그십 스마트폰용 12Gb 모바일 D램(LPDDR5, 5,500Mb/s)보다 16% 빠른 6,400Mb/s의 동작 속도를 구현했다. 16GB 제품 기준으로 1초당 풀HD급 영화(5GB) 약 10편에 해당하는 51.2GB(기가바이트)를 처리할 수 있다.
※ 동작속도 : 64핀(x64, JEDEC 규격)으로 구성되는 패키지 기준 최대 51.2GB/s

또한 16Gb LPDDR5 모바일 D램은 8개의 칩만으로 16GB 제품을 구성할 수 있어 기존 제품(12Gb 칩 8개 + 8Gb 칩 4개)대비 30% 더 얇은 패키지를 만들 수 있다. 이를 통해 멀티카메라, 5G 등 부품수가 많은 스마트폰과 폴더블폰 같이 두께가 중요한 제품에 최적의 솔루션을 제공할 수 있다.

삼성전자는 글로벌 스마트폰 업체들에게 차세대 1z 16GB 모바일 D램을 업계 유일하게 제공함으로써 내년 출시되는 AI기능이 더욱 강화된 5G 플래그십 스마트폰 시장을 선점할 계획이다. 또 고온 신뢰성도 확보해 전장용 제품까지 사용처를 확대해 나갈 예정이다.

삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실 이정배 부사장은 “이번 1z나노 16Gb LPDDR5는 역대 최고 개발 난도를 극복하고 미세공정 한계 돌파를 위한 새로운 패러다임을 제시한 제품”이라며 “프리미엄 D램 라인업을 지속 확대해 고객 요구에 더욱 빠르게 대응하고 메모리 시장 확대에 기여해 나갈 것”이라고 말했다.

▲ 평택 2라인 전경

▲ 3세대 10나노급(1z) 기반 16GB LPDDR5

삼성전자는 올해 2월 EUV 전용 화성 ‘V1 라인’ 가동에 이어 평택까지 파운드리 라인을 구축하며 모바일, HPC(High Performance Computing), AI 등 다양한 분야로 초미세 공정 기술 적용 범위를 확대해 나가고 있다.

이번 투자는 삼성전자가 작년 4월 발표한 ‘반도체 비전 2030’ 관련 후속 조치의 일환으로, 삼성전자는 시스템 반도체 분야에서 글로벌 1위를 달성하기 위한 세부 전략을 실행하고 있다.

삼성전자는 이달 평택 파운드리 라인 공사에 착수했으며, 2021년 하반기부터 본격 가동할 계획이다.

삼성전자는 2019년 화성 S3 라인에서 업계 최초로 EUV 기반 7나노 양산을 시작한 이후, 2020년 V1 라인을 통해 초미세 공정 생산 규모를 지속 확대해 왔다. 여기에 2021년 평택 라인이 가동되면 7나노 이하 초미세 공정 기반 제품의 생산 규모는 더욱 가파르게 증가할 전망이다.

또한 삼성전자는 생산성을 더욱 극대화한 5나노 제품을 올해 하반기에 화성에서 먼저 양산한 뒤, 평택 파운드리 라인에서도 주력 생산할 예정이다.

삼성전자 DS부문 파운드리사업부 정은승 사장은 “5나노 이하 공정 제품의 생산 규모를 확대해 EUV 기반 초미세 시장 수요 증가에 적극 대응해 나갈 것”이라며, “전략적 투자와 지속적인 인력 채용을 통해 파운드리 사업의 탄탄한 성장을 이어나갈 것”이라고 밝혔다.

글로벌 파운드리 시장은 5G, HPC, AI, 네트워크 등 신규 응용처 확산에 따라 초미세 공정 중심의 성장이 예상되며, 삼성전자는 프리미엄 모바일 칩을 필두로 하이엔드 모바일 및 신규 응용처로 첨단 EUV 공정 적용을 확대해 나간다는 전략이다.

▲ 삼성전자 평택캠퍼스 항공 사진

삼성전자가 EUV 공정을 적용해 생산한 1세대(1x) 10나노급(1나노 : 10억분의 1미터) DDR4(Double Data Rate 4) D램 모듈 100만개 이상을 공급하여 글로벌 고객의 평가를 완료했다.

이로써 삼성전자는 메모리 업계 최초로 차세대 D램 제품부터 ‘EUV 공정’을 전면 적용해 반도체 미세공정의 한계를 돌파할 채비를 갖추고 D램의 새로운 패러다임을 제시했다.

EUV 노광 기술을 적용하면 회로를 새기는 작업을 반복하는 멀티 패터닝(Multi-Patterning) 공정을 줄이면서 패터닝 정확도를 높이게 되어 성능과 수율을 향상시키고 제품 개발 기간을 단축할 수 있는 장점이 있다.

삼성전자는 현재 EUV 공정으로 14나노 초반대 ‘4세대 10나노급(1a) D램 양산 기술’을 개발하고 있으며, 향후 차세대 제품의 품질과 수율도 기존 공정 제품 이상으로 향상시킬 예정이다.

EUV를 이용해 만든 4세대 10나노급(1a) D램은 1세대 10나노급(1x) D램보다도 12인치 웨이퍼당 생산성을 2배 높여 사업 경쟁력을 더욱 강화할 수 있게 됐다.

삼성전자는 내년에 성능과 용량을 더욱 높인 4세대 10나노급(1a) D램(DDR5, LPDDR5)을 양산하고 5세대, 6세대 D램도 선행 개발해 프리미엄 메모리 시장에서의 기술 리더십을 더욱 강화해 나간다는 전략이다.

삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실 이정배 부사장은 “업계 최초로 EUV 공정을 D램 양산에 적용해 글로벌 고객들에게 더욱 차별화된 솔루션을 한발 앞서 제공할 수 있게 됐다”며, “내년에도 혁신적인 메모리 기술로 차세대 제품을 선행 개발해 글로벌 IT 시장이 지속적으로 성장하는데 기여할 것”이라고 밝혔다.

한편, 삼성전자는 내년부터 DDR5/LPDDR5 D램 시장의 본격 확대에 맞춰 글로벌 IT 고객과 기술협력을 강화하고 업체 간 다양한 표준화 활동을 추진해, 차세대 시스템에서 신제품 탑재 비중을 지속적으로 높여 나갈 예정이다.

또한 삼성전자는 올해 하반기 평택 신규 라인을 가동함으로써 증가하는 차세대 프리미엄 D램 수요에 안정적으로 대응할 수 있는 양산 체제를 구축할 계획이다.

▲ 삼성전자 DS부문 화성사업장

▲ 삼성전자 DS부문 V1라인

▲ D램 모듈

삼성전자가 첨단 5나노 공정의 기반이 되는 EUV 기술을 생산에 도입한 것은 1년여에 불과하다. 회사는 그동안 매주 수천장에 달하는 웨이퍼에 대해 EUV 노광 작업(반도체 생산용 웨이퍼에 회로를 그리는 일)을 진행하며 기술발전의 속도를 끌어올렸다. 이를 바탕으로 학습에 학습을 더해 EUV 지식을 확장함으로써, 오늘 5나노까지 적용을 확대하는 성과를 도출한 것이다.

복잡한 시스템반도체를 생산하는 파운드리 산업에서 EUV의 강점은 웨이퍼에 회로를 그려 넣는 작업(공정)을 한층 간소화시켜 준다는 것이다. 반도체 설계 전문기업(팹리스, Fabless) 입장에선 칩 디자인 과정이 간단해지고, 전체 마스크(반도체 회로가 새겨진 필름) 숫자 역시 줄어드는 파격적인 혜택을 얻을 수 있다.

이번 5나노 공정기술 확보는 전체 반도체 생태계 관점에서 세 가지 큰 의미가 있다고 하겠다. 첫째 반도체 칩 자체 경쟁력을 획기적으로 끌어올릴 수 있다는 점이다. 5나노 공정기술은 기존 7나노에 비해 칩의 로직 면적은 25%, 소비전력은 20% 각각 낮춰주는 동시에 성능은 10% 높여준다.

둘째, 이러한 강점에도 불구 반도체 업계 투자 비용의 효율성은 한층 높여준다. 5나노 공정 기반 반도체 칩 설계는 7나노 설계 기술과 매우 흡사하다. 반도체 기업들이 추가 투자비용을 최소화하면서 5나노 공정의 이점을 누릴 수 있다는 얘기. 이러한 기술적 진보와 경제적 이점의 조합은 전통적으로 반도체 산업이 공정기술 한계를 극복하는 동시에, 비용을 낮춰 온 역사와 궤를 함께 한다.

셋째, 위에서 언급한 이점들을 바탕으로 4차 산업혁명의 ‘씨앗’이라 할 수 있는 시스템반도체 개발과 생산에서 혁신을 꾀할 수 있다는 점이다. 인공지능(AI), 5세대(5G) 이동통신서비스, 커넥티드(connected) & 자율주행 자동차, 로봇 등 4차 산업혁명은 시스템반도체의 발전에서 출발한다고 해도 과언이 아니다. 각 산업을 구성하는 핵심 제품들이 초소형, 고성능 시스템반도체로 구현되기 때문이다.

7나노 이후 5나노 공정기술을 확보하기까지 6개월의 숨가쁜 여정은 모든 엔지니어들에게 고뇌와 환희가 뒤범벅된 과정이었다. 대규모 투자와 자원 투입, 풀리지 않는 난제와 씨름을 이어온 끝에 오늘의 성과에 이를 수 있었다. 이제 반도체 산업을 구성하는 협력사, 설계 전문 기업들과 함께 4차 산업혁명의 파고를 헤쳐나가기 위해 다시 한번 힘찬 걸음을 내딛고자 한다.

삼성전자는 최근 경기도 화성에 극자외선(EUV, extreme ultraviolet) 공정을 적용하는 새로운 반도체라인 건설에 착수했다.

‘화성 EUV라인’의 초기 투자비용은 2020년 본격 가동 전까지 60억달러(약 6조4,000억원)에 이를 것으로 예상된다. 이 생산라인이 차세대 ‘싱글(한 자릿수) 나노미터 반도체 시대’에서 삼성의 기술 리더십을 이어가는데 핵심 역할을 할 전망이다.

이처럼 요즘 차세대 반도체 공정을 얘기할 때 EUV란 용어가 부쩍 많이 거론된다. EUV란 무엇이고, 반도체 칩 생산에서 어떤 역할을 하는지 알아보자.

반도체 EUV 공정이란 

반도체 산업에서EUV란 반도체를 만드는 데 있어 중요한 과정인 포토공정에서 극자외선 파장의 광원을 사용하는 리소그래피(extreme ultraviolet lithography) 기술 또는 이를 활용한 제조공정을 말한다.

반도체 칩을 생산할 때 웨이퍼(wafer)라는 실리콘 기반의 원판, 즉 둥근 디스크는 감광물질로 코팅이 되고, 스캐너라고 하는 포토공정 설비로 들어가게 된다. 이 설비 안에서 회로 패턴을 새겨 넣기 위해 레이저 광원을 웨이퍼에 투사하는 노광(photolithography) 작업을 진행한다.

이렇게 해서 반도체 칩 안에 현미경으로 봐야 보일 정도로 작고 미세한 회로소자 수십억개를 형성하게 된다. EUV 공정은 이러한 노광 단계를 극자외선 파장을 가진 광원을 활용해 진행하는 것을 말한다.

▲큰 박스 모양의 EUV 스캐너 모습 (출처: ASML)

EUV 기술이 필요한 이유

반도체 칩 제조 분야에선 웨이퍼 위에 극도로 미세한 회로를 새겨 넣는 것이 필수다. 그래야만 트랜지스터와 콘덴서 등 소자들을 지름 300mm의 제한된 웨이퍼 공간에 더 많이 집적하고, 성능과 전력효율 또한 높일 수 있기 때문이다.

EUV 광원은 기존 공정에 적용 중인 불화아르곤(ArF) 광원보다 파장이 훨씬 짧기 때문에, 더 미세하고 오밀조밀하게 패턴을 새길 수 있다. 새로 나올 EUV 스캐너는 13.5 나노미터 파장의 EUV를 활용하며, 이는 현재 불화아르곤 엑시머 레이저 스캐너가 사용하는 빛 파장과 비교해 10분의 1 미만에 불과하다.

뿐만 아니라 기존엔 미세회로를 만들기 위해 수차례 노광 공정을 반복해야 했지만, EUV 장비는 공정 단계를 줄일 수 있어 생산성도 획기적으로 높일 수 있게 될 전망이다.

7나노 공정에 EUV 적용…올 하반기 생산돌입

삼성전자를 비롯한 반도체 회사들이 만드는 칩은 현재 거의 모든 전자 기기에 사용되고 있다. 특히 첨단 모바일기기, 서버, 네트워크, 슈퍼컴퓨터 등에 적용할 가장 진보한 반도체를 생산하는데 필수인 것이 차세대 EUV 기술이라 할 수 있다.

삼성전자는 7나노 LPP(Low Power Plus) 공정을 시작으로 EUV를 활용할 계획이며, 급증하는 반도체 수요에 대비해 올해 하반기 7나노 공정 생산에 착수하는 것을 목표로 하고 있다. 뿐만 아니라 인공지능(AI), 사물인터넷(IoT) 등 분야의 미래 스마트기기를 창조하고 생산할 세계의 제조기업들에 첨단 반도체를 공급하기 위해, 계속해서 EUV 관련 연구개발(R&D)과 투자에 매진할 계획이다.

‘8나노 파운드리 공정(8LPP, Low Power Plus)’은 삼성전자의 첨단 파운드리 로드맵상 EUV(Extreme Ultra Violet, 극자외선)가 처음으로 도입될 7나노의 직전 공정으로 ’10나노 2세대 공정’ 대비 전력효율은 10% 향상되고, 면적은 10% 축소되어 모바일·네트워크·서버·가상화폐 채굴 등에 필요한 고성능 프로세서에 적합하다.

앞서 삼성전자는 2016년 10월, 업계 최초로 10나노 제품 양산을 시작한 바 있어, 그간 양산을 통해 축적한 공정 노하우를 바탕으로 8나노 공정 수율도 빠르게 안정화 시킬 계획이다.

삼성전자 파운드리 마케팅팀 이상현 상무는“성공적인 10나노 양산 경험을 바탕으로 다양한 시장의 요구에 대응하기 위해 8나노 공정을 준비했다”며, “삼성전자는 생산성과 경쟁력을 동시에 갖춘 공정을 고객에게 제공하고자 공정 포트폴리오를 빠르게 확대해 나갈 것”이라고 밝혔다.

한편 삼성전자는 14나노와 10나노 공정에 이어, 이번 8나노 공정 개발 역시 퀄컴과 협력을 지속하고 있다.

퀄컴의 알케이 춘두루(RK Chunduru) Senior VP는 “삼성의 8나노(LPP) 공정은 이미 검증된 10나노 공정을 기반으로 하고 있어 빠른 제품 램프업(Ramp-up)이 가능하며, 더 뛰어난 성능과 사이즈 경쟁력을 제공할 것이다.” 라고 밝혔다.

삼성전자는 올해 미국, 한국, 일본에 이어 10월18일(현지) 독일 뮌헨에서 개최하는 「삼성 파운드리 포럼」에서 글로벌 고객과 파트너사를 대상으로 8나노 공정 개발 현황을 포함한 삼성전자의 첨단 파운드리 공정 로드맵을 발표할 예정이다.