Samsung разработала первую в отрасли оперативную память HBM3E 12H DRAM объемом 36 ГБ

Компания Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых технологий памяти, объявила о разработке HBM3E 12H – первой в отрасли 12-стековой памяти HBM3E DRAM и самого емкого HBM на сегодняшний день.

HBM3E 12H от Samsung обеспечивает рекордно высокую пропускную способность до 1 280 гигабайт в секунду (ГБ/с) и лучшую в отрасли емкость в 36 гигабайт (ГБ). По сравнению с 8-стековой HBM3 8H оба показателя улучшены более чем на 50%.

«Провайдеры услуг искусственного интеллекта все чаще нуждаются в HBM с большей емкостью, и наш новый продукт HBM3E 12H был разработан для удовлетворения этой потребности, – говорит Йонгчеол Бэ (Yongcheol Bae), исполнительный вице-президент департамента Memory Product Planning компании Samsung Electronics. – Это новое решение является частью нашего стремления к разработке ключевых технологий для высокостековой HBM и обеспечению технологического лидерства на рынке HBM большой емкости в эпоху ИИ».

В HBM3E 12H используется усовершенствованная непроводящая пленка с термическим сжатием (TC NCF), что позволяет 12-слойным продуктам иметь ту же высоту, что и 8-слойным, и соответствовать современным требованиям к упаковке HBM. Ожидается, что эта технология даст дополнительные преимущества, особенно при использовании более высоких стеков, поскольку отрасль стремится уменьшить коробление чипов, возникающее при использовании более тонких матриц. Samsung продолжает снижать толщину своего материала NCF и добилась самого маленького в отрасли зазора между чипами в семь микрометров (мкм), а также устранила пустоты между слоями. Эти усилия позволили повысить вертикальную плотность более чем на 20% по сравнению с продуктом HBM3 8H.

Усовершенствованная технология Samsung TC NCF также улучшает тепловые свойства HBM, позволяя использовать между чипами неровности различных размеров. В процессе склеивания чипов более мелкие неровности используются в областях для передачи сигналов, а более крупные – в местах, требующих отвода тепла. Этот метод также помогает повысить выход продукции.

По мере экспоненциального роста приложений искусственного интеллекта HBM3E 12H станет оптимальным решением для будущих систем, которым требуется больше памяти. Ее более высокая производительность и емкость позволят заказчикам более гибко управлять ресурсами и снизить совокупную стоимость владения (TCO) для центров обработки данных. По оценкам специалистов, при использовании HBM3 8H в приложениях искусственного интеллекта средняя скорость обучения искусственного интеллекта может быть увеличена на 34%, а количество одновременных пользователей сервисов вывода – более чем в 11,5 раз.¹

Компания Samsung уже начала предоставлять HBM3E 12H своим партнерам для апробации, а массовое производство запланировано на первую половину этого года.

¹ По результатам внутреннего моделирования.