Samsung Electronics начинает первое в отрасли массовое производство V-NAND 9 поколения

Компания Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых технологий памяти, объявила о начале массового производства терабитных (Тбайт) трехуровневых ячеек (TLC) 9 поколения вертикальной NAND (V-NAND), укрепив свое лидерство на рынке флэш-памяти NAND.

«Мы рады представить первую в отрасли V-NAND 9 поколения, которая обеспечит скачок в развитии будущих приложений. Чтобы удовлетворить растущие потребности в решениях на основе флэш-памяти NAND, Samsung расширила границы архитектуры ячеек и операционной схемы для нашего продукта следующего поколения, – говорит Сунг-Хой Хур (SungHoi Hur), глава подразделения Flash Product & Technology of the Memory Business компании Samsung Electronics. – Благодаря нашей новейшей V-NAND, компания Samsung продолжит задавать тренд на рынке высокопроизводительных твердотельных накопителей (SSD) высокой плотности, отвечающих потребностям грядущего поколения искусственного интеллекта».

Благодаря наименьшему размеру ячейки и тончайшей пресс-форме, Samsung повысила плотность битов в V-NAND 9 поколения примерно на 50% по сравнению с V-NAND 8 поколения. Для повышения качества и надежности продукции были применены новые инновации, такие как предотвращение помех в ячейках и продление срока службы ячеек, а устранение отверстий в фиктивных каналах позволило значительно уменьшить площадь ячеек памяти.

Кроме того, передовая технология Samsung по «травлению канальных отверстий» демонстрирует лидерство компании в технологических возможностях. Эта технология создает пути для электронов посредством укладки слоев кристаллизатора и максимизирует производительность, поскольку позволяет одновременно сверлить самое большое в отрасли количество слоев ячеек в структуре с двойной укладкой. По мере увеличения количества слоев ячеек способность пробивать их становится все более важной, что требует применения более сложных методов травления.

V-NAND 9 поколения оснащена интерфейсом флэш-памяти NAND нового поколения Toggle 5.1, который поддерживает повышенную на 33% скорость ввода/вывода данных – до 3,2 гигабит в секунду (Гбит/с). Вместе с новым интерфейсом Samsung планирует укрепить свои позиции на рынке высокопроизводительных SSD, расширив поддержку PCIe 5.0.

По сравнению с предыдущим поколением энергопотребление также улучшилось на 10%, благодаря усовершенствованию конструкции с низким энергопотреблением. Поскольку снижение энергопотребления и выбросов углекислого газа становится жизненно важным для клиентов, ожидается, что V-NAND 9 поколения от Samsung станет оптимальным решением для будущих приложений.

Samsung начала массовое производство 1 Тб TLC V-NAND 9 поколения в этом месяце, а во второй половине этого года начнется выпуск модели с четырехуровневыми ячейками (QLC).