Samsung Electronics comienza el envío de muestras del primer HBM4E de la industria

Samsung Electronics, líder global en tecnología avanzada de memoria, anunció hoy que ha comenzado el envío de muestras del primer HBM4E de 12 capas de la industria a importantes clientes globales, fortaleciendo aún más su liderazgo en el mercado de HBM de próxima generación.

Tras iniciar este año la primera producción masiva y envío comercial de su HBM4 líder en la industria, Samsung ahora amplía su roadmap de HBM con la introducción de muestras de HBM4E, respondiendo a las demandas en rápida evolución de la computación de IA y de la infraestructura hyperscale.

“Después del exitoso inicio de la producción masiva de HBM4, Samsung ha demostrado una vez más su diferenciación tecnológica con HBM4E”, afirmó Sang Joon Hwang, vicepresidente ejecutivo y Head de Desarrollo de Memoria en Samsung Electronics. “A través de nuestras avanzadas capacidades de manufactura e inversiones anticipadas en infraestructura, continuaremos impulsando el crecimiento del mercado global de memoria para IA”.

El HBM4E de Samsung ofrece una velocidad estable de pin de 14 gigabits por segundo (Gbps), con un rendimiento escalable de hasta 16Gbps para satisfacer los requisitos cada vez más intensivos de procesamiento de datos. Esto representa un incremento superior al 20% respecto al HBM4, además de ofrecer un ancho de banda de memoria de hasta 3.6 terabytes por segundo (TB/s) por stack, ayudando a maximizar el rendimiento computacional de grandes modelos de lenguaje (LLMs) y sistemas de IA de próxima generación.

El HBM4E de 12 capas de Samsung está disponible con una capacidad de 48 gigabytes (GB), lo que representa un incremento superior al 30% respecto a la generación anterior, con planes para expandir la línea e incluir configuraciones de 32GB (8 capas) y 64GB (16 capas), de acuerdo con las necesidades de los clientes.

El HBM4E se distingue por aprovechar al máximo las capacidades integrales de semiconductores de Samsung y utilizar las mismas tecnologías de vanguardia perfeccionadas durante la experiencia de producción del HBM4 de la compañía. Esto incluye el proceso DRAM de 10 nanómetros (nm) de sexta generación más avanzado de la industria (1c) y el logic base die de 4nm de Samsung Foundry, lo que permite al HBM4E lograr una mayor estabilidad de proceso y manufacturabilidad.

La optimización de diseño y procesos en las arquitecturas de memoria y lógica del HBM4E de Samsung también mejora el rendimiento, la eficiencia energética y el rendimiento de producción.

En particular, las tecnologías avanzadas de diseño de bajo consumo energético y las estructuras de empaquetado optimizadas mejoraron la eficiencia energética en un 16% y las características de resistencia térmica en más del 14% en comparación con la generación anterior. Estas mejoras también permiten una disipación de calor más eficiente, garantizando una confiabilidad prolongada y un menor consumo de energía en centros de datos de próxima generación con cargas de trabajo intensivas.

Samsung planea iniciar la producción masiva del HBM4E de acuerdo con los calendarios de sus clientes, tras el envío inicial de muestras y la fase de optimización.

La retroalimentación de clientes globales sobre el HBM4 de Samsung, presentado en febrero, ha sido altamente positiva, especialmente por su rendimiento y eficiencia energética. El HBM4 fue el primero de la industria en entrar en producción masiva y estableció un nuevo estándar para el sector al alcanzar velocidades de 11.7Gbps en pruebas de System in Package (SiP).

A medida que continúa creciendo el suministro estable del HBM4 de Samsung, se espera que el nuevo HBM4E, utilizando la misma combinación de core y base die, entre en producción masiva para acelerar aún más la innovación en sistemas de IA de próxima generación. Con un portafolio integral que abarca memoria, foundry, diseño lógico y empaquetado avanzado, Samsung continuará garantizando un suministro estable de semiconductores para el creciente mercado de IA.