Samsung presenta su visión de memoria 3D de última generación en el FMS 2026, trazando el futuro de la infraestructura de IA

Samsung Electronics, líder mundial en tecnología de memoria avanzada, presentó hoy sus últimas innovaciones en memoria para IA en el Future of Memory and Storage (FMS) 2026 en Santa Clara, California.

Con una amplia experiencia en DRAM, NAND, almacenamiento empresarial y tecnologías avanzadas de semiconductores relacionadas, Samsung presentó su más reciente portafolio de memorias para IA y su hoja de ruta tecnológica, incluyendo un avance de los modelos conceptuales zHBM y zNAND-O, la primera presentación en la industria de la V10 BV-NAND con más de 400 capas y una amplia gama de soluciones diseñadas para impulsar la infraestructura de IA del futuro. Asimismo, Samsung presenta durante el FMS 2026 un estand inspirado en un servidor en la nube para IA, donde se exhiben cerca de 30 tecnologías de memoria y almacenamiento.

En el discurso de apertura del evento, los ejecutivos de la División de Memoria de Samsung, Jin-Yub Lee, vicepresidente ejecutivo y director de Productos y Tecnología Flash, y Kyungryun Kim, vicepresidente y líder de proyecto del equipo de Diseño de DRAM, presentaron la visión de la compañía sobre las estructuras 3D de próxima generación para las futuras soluciones de memoria.

Titulada “Impulsando la ola de la revolución de la IA: innovaciones 3D en arquitectura de memoria y almacenamiento”, la conferencia expuso la visión de Samsung para maximizar el rendimiento y la eficiencia energética de los sistemas de IA, al mismo tiempo que atiende la creciente demanda de infraestructura de inteligencia artificial y computación de alto rendimiento (HPC).

La compañía también presentó la V10 BV-NAND, una arquitectura basada en una nueva tecnología de unión de obleas (wafers), implementada por primera vez en la industria.

Visión de Samsung para la memoria 3D de próxima generación

En el FMS 2026, Samsung reveló los primeros modelos conceptuales del sector de zHBM y zNAND-O, presentando su visión para la próxima generación de arquitecturas de memoria 3D.

Diseñada para la computación avanzada de IA, la zHBM presenta una nueva arquitectura de memoria que apila verticalmente la HBM directamente sobre los aceleradores de IA, yendo más allá de los diseños convencionales en los que la HBM se ubica al lado del procesador.

Al minimizar la distancia que los datos recorren entre el procesador de IA y la memoria, la zHBM fue diseñada para ofrecer un mayor ancho de banda y una mejor eficiencia energética, lo que permite el procesamiento ultrarrápido de datos necesario para el entrenamiento e inferencia de IA a gran escala.

Se espera que un sistema de interfaz de próxima generación con zHBM ofrezca un rendimiento aproximadamente ocho veces superior al de la HBM5. Con la tecnología de unión de obleas de próxima generación, la zHBM puede alcanzar una densidad de memoria más de 10 veces superior a la de la HBM5, además de triplicar la eficiencia energética y reducir la resistencia térmica a más de la mitad, maximizando la estabilidad y la eficiencia energética de sistemas de alta capacidad y alto ancho de banda.

La zHBM también admite diseños personalizados para clientes, lo que permite la integración de IP personalizada en la capa intermedia entre la memoria y el acelerador de IA, ampliando la capacidad de memoria y mejorando el rendimiento del acelerador.

Basándose en una estrecha colaboración con sus clientes, Samsung planea optimizar aún más la integración de procesadores de IA y memoria a través de zHBM para maximizar el rendimiento del sistema de IA.

La empresa también presentó la zNAND-O, una solución NAND de alto rendimiento de próxima generación basada en la tecnología V-NAND de Samsung, actualmente en desarrollo en versiones de cuatro y ocho capas. Al combinar una alta eficiencia de espacio, un rendimiento mejorado de entrada/salida (I/O) y baja latencia, la zNAND-O está optimizada para entornos de IA de borde (edge AI), admitiendo aplicaciones de inteligencia artificial en tiempo real y con uso intensivo de datos.

V10 BV-NAND pionera en la industria

Samsung reveló la V10 BV-NAND, presentando su nueva arquitectura Bonding V-NAND. El anuncio se produce 13 años después de que la empresa introdujera la primera tecnología V-NAND del sector en el Flash Memory Summit de 2013, marcando otro hito en la innovación NAND de la compañía.

Con más de 400 capas, la V10 BV-NAND ofrece un mayor rendimiento y eficiencia energética, al tiempo que aumenta significativamente la densidad de almacenamiento. Al aplicar la tecnología de unión de obleas para apilar celdas de memoria, Samsung aumentó la densidad de memoria en aproximadamente un 58% en comparación con la generación anterior (V9).

Además del aumento en el número de capas, la V10 BV-NAND también mejora el rendimiento de lectura, escritura y E/S en comparación con la generación anterior, admitiendo NAND de alto rendimiento y alta capacidad para los futuros sistemas y aplicaciones de IA.

Hoja de ruta de memoria de IA: de HBM a PIM y almacenamiento empresarial

Samsung también presentó su portafolio más reciente de memoria y almacenamiento de IA —incluyendo HBM4E, HBM5, LPDDR5X-PIM y PM1763—, destacando su hoja de ruta para la próxima generación de computación de IA e infraestructura de centros de datos.

Tras la primera producción en masa del sector de HBM4 utilizando sus tecnologías de DRAM de 1c y matriz base (base die) de 4 nanómetros (nm) en febrero, Samsung fue la primera en comenzar a enviar muestras de HBM4E a clientes globales en mayo, reforzando su liderazgo en la HBM de próxima generación.

Junto con sus muestras de HBM4E y el modelo HBM5, la compañía exhibió su LPDDR5X-PIM, la primera memoria LPDDR del sector con tecnología de procesamiento en memoria (PIM). La nueva solución fue creada para realizar el procesamiento de datos dentro de la propia memoria, mejorando la eficiencia tanto del movimiento de datos como del consumo de energía.

La exposición también presentó las últimas soluciones de almacenamiento empresarial de Samsung —incluyendo PM1763 y BM1773—, diseñadas para satisfacer las crecientes demandas de almacenamiento de los centros de datos de IA.

Soluciones integrales (Turnkey) de una sola parada

Como el único fabricante integrado de dispositivos (IDM) del mundo con capacidades líderes en la industria en memoria, fundición (foundry) y empaquetado avanzado, Samsung presentó su estrategia integral para la infraestructura de IA de próxima generación, ofreciendo a los clientes soluciones “llave en mano” integradas para satisfacer las demandas en constante evolución de la era de la inteligencia artificial.

Desde el diseño del producto hasta la producción en masa, Samsung ofrece servicios integrados de desarrollo y fabricación que ayudan a reducir los ciclos de desarrollo, al mismo tiempo que optimizan el rendimiento y la eficiencia energética, permitiendo a los clientes llevar rápidamente al mercado soluciones diferenciadas de semiconductores para IA.