Samsung presentó HBM4E, destacando soluciones integrales de IA, su asociación con NVIDIA y su visión en NVIDIA GTC 2026
27-03-2026
Samsung potencia el desarrollo de la infraestructura de IA y las fábricas de IA a través de una amplia gama de soluciones informáticas para centros de datos, IA física e IA en el dispositivo.
Se exhibieron la primera HBM4 comercial de la industria y su sucesora HBM4E, destacando el máximo desempeño, la confiabilidad y la eficiencia energética para los centros de datos de próxima generación.
Samsung presentó su colaboración estratégica en IA con NVIDIA en materia de innovación de ingeniería de semiconductores, que abarca desde I+D y diseño hasta la fabricación.
Samsung Electronics, líder mundial en tecnología avanzada de semiconductores, anunció las tecnologías integrales de computación de IA que exhibió en NVIDIA GTC 2026 en San José, California, realizado del 16 al 19 de marzo. Como la única empresa de semiconductores de la industria que ofrece una solución total de IA que abarca memoria, lógica, fundición y empaquetado avanzado, Samsung mostró su conjunto completo de productos y soluciones que permiten a los clientes diseñar y construir sistemas de IA innovadores.
El elemento central de la exhibición de Samsung en NVIDIA GTC 2026 fue la nueva HBM4 de sexta generación, que ahora está en producción en masa y está diseñada para la plataforma NVIDIA Vera Rubin. Se espera que la HBM4 de Samsung ayude a acelerar el desarrollo de futuras aplicaciones de IA, ofreciendo velocidades de procesamiento consistentes de 11.7 gigabits por segundo (Gbps), lo que supera el estándar de la industria de 8 Gbps, y se puede mejorar a 13 Gbps.
Al aprovechar el proceso DRAM de clase de 10 nanómetros (nm) de sexta generación más avanzado (1c), Samsung ha logrado tasas de rendimiento de producción estables y un desempeño líder en la industria. La HBM4E de próxima generación de la compañía, que ofrece 16 Gbps por pin y 4.0 terabytes por segundo (TB/s) de ancho de banda, también fue exhibido por primera vez en GTC 2026.
Los visitantes también pudieron conocer de cerca la tecnología de unión híbrida de cobre (HCB) de Samsung, un nuevo método que permitirá que la HBM de próxima generación alcance 16 o más capas mientras reduce la resistencia al calor en más de un 20 por ciento, en comparación con la unión por compresión térmica (TCB).



Una alianza que lleva la era de la IA al siguiente nivel
La sólida colaboración entre Samsung y NVIDIA se destacó en un espacio exclusivo denominado ‘Galería NVIDIA’, dentro del stand, que presentó específicamente una amplia línea de tecnologías de vanguardia de Samsung, como HBM4, SOCAMM2 y el SSD PM1763, que están diseñados para la infraestructura de IA de NVIDIA.
Para abordar la necesidad de máxima eficiencia y escalabilidad en los sistemas de IA, el SOCAMM2 de Samsung, basado en DRAM de bajo consumo, es un módulo de memoria de servidor óptimo que ofrece un alto ancho de banda y una integración de sistema flexible para la infraestructura de IA de próxima generación. El SOCAMM2 de Samsung se encuentra actualmente en producción en masa, siendo el primero en la industria en alcanzar ese hito.
Diseñado para soluciones de almacenamiento de IA de próxima generación, el SSD PM1763 de Samsung se basa en la última interfaz PCIe 6.0, ofreciendo transferencias de datos rápidas y altas capacidades. El desempeño líder en la industria del PM1763 se demostrará en servidores que funcionan con el modelo de programación NVIDIA SCADA.
Como parte de la nueva arquitectura de referencia NVIDIA BlueField-4 STX para infraestructura de almacenamiento acelerado en la plataforma Vera Rubin de NVIDIA, el SSD PM1753 de Samsung mostrará cómo ayuda a mejorar la eficiencia energética y el desempeño del sistema para cargas de trabajo de inferencia.


Arquitectura de memoria para escalar la fabricación inteligente
Samsung exhibió su colaboración con NVIDIA en el desarrollo de AI Factory en GTC 2026, incluidos los planes para implementar la computación acelerada de NVIDIA para escalar la AI Factory de Samsung y acelerar la fabricación de gemelos digitales que aprovechan las bibliotecas de NVIDIA Omniverse. Esta colaboración impulsa una de las infraestructuras de fabricación de chips más completas del mundo, que abarca memoria, lógica, fundición y empaquetado avanzado.
Por otra parte, Yong Ho Song, vicepresidente ejecutivo y director del Centro de IA de Samsung Electronics, ilustró la colaboración estratégica de las dos empresas con más detalle a través de su ponencia, realizada el 17 de marzo de 2026. Titulada ‘Transformando la fabricación de semiconductores con IA agéntica desde el diseño y la ingeniería hasta la producción’, la sesión profundizó en la AI Factory de la compañía y compartió casos de uso innovadores de la vida real, de principio a fin, donde la IA y los gemelos digitales están remodelando la fabricación de semiconductores con avances en la automatización del diseño electrónico (EDA) y la litografía computacional para diseñar y operar instalaciones de fabricación avanzadas impulsadas por NVIDIA.

Memoria eficiente para inteligencia local
Las soluciones de memoria de Samsung también ofrecen una eficiencia maximizada para cargas de trabajo de IA locales en dispositivos personales. Durante GTC 2026, Samsung exhibió soluciones eficientes y personalizadas para supercomputadoras de IA personales, incluidas las NAND Samsung PM9E3 y PM9E1 para NVIDIA DGX Spark.
Además, Samsung mostró soluciones DRAM, LPDDR5X y LPDDR6, que están diseñadas para una integración perfecta en teléfonos inteligentes, tabletas y dispositivos wearables premium, ofreciendo una transferencia de datos más rápida y una menor latencia. LPDDR5X ofrece velocidades de hasta 25 Gbps por pin, al tiempo que reduce el consumo de energía hasta en un 15 por ciento, lo que permite experiencias móviles de gran capacidad de respuesta, juegos de alta resolución y aplicaciones mejoradas con IA sin sacrificar la duración de la batería.
Sobre esa base, LPDDR6 amplía aun más el ancho de banda a unos escalables 30-35 Gbps por pin e introduce funciones avanzadas de administración de energía, como el escalado de voltaje adaptativo y el control de actualización dinámico, que en conjunto brindan el desempeño necesario para las cargas de trabajo de IA en el borde (edge-AI) de próxima generación.