Samsung отгрузила миллион первых в отрасли чипов EUV DRAM

on 25-03-2020
Share open/close
Ссылка скопирована.

Samsung Electronics объявляет о производстве и отгрузке 1 млн модулей первой на рынке памяти (D1x) DDR4 (Double Date Rate 4) DRAM, произведенных с использованием технологии EUV (литографии в глубоком ультрафиолете). Модули прошли валидирование крупнейших международных производителей электроники, и теперь компания с их помощью сможет создавать инновационные функциональные узлы с использованием EUV для применения в премиальных ПК, мобильных устройствах, корпоративных серверах и центрах обработки данных.

 

 

Samsung первой применила технологию EUV в производстве DRAM-модулей, чтобы преодолеть ограничения по масштабированию этого типа чипов. Литография в глубоком ультрафиолете сокращает количество повторяющихся шагов при создании нескольких шаблонов и повышает точность их формирования. Это обеспечивает повышенную производительность и более высокий выход, а также сокращенное время разработки.

 

Технология EUV будет полностью развернута в будущих DRAM от Samsung, начиная с четвертого поколения 10-нм класса (D1a) или продвинутого 14-нм класса DRAM. Компания намерена начать серийное производство DDR5 и LPDDR5 на базе D1a в следующем году, что удвоит производительность 12-дюймовых пластин D1x.

 

В связи с расширением рынка DDR5 / LPDDR5 в 2021 году Samsung продолжит укреплять сотрудничество с ведущими IT-клиентами и поставщиками полупроводников с целью оптимизации стандартных спецификаций, поскольку это ускорит переход к DDR5 / LPDDR5 на всем рынке памяти.

 

Хронология производства DRAM от Samsung

 

Дата Samsung DRAM
2021 (TBD) 4th-gen 10nm-class (1a) EUV-based

16Gb DDR5/LPDDR5 – массовое производство

Март 2020 4th-gen 10nm-class (1a) EUV-based DRAM – разработка
Сентябрь 2019 3rd-gen 10nm-class (1z) 8Gb DDR4 – массовое производство
Июнь 2019 2nd-gen 10nm-class (1y) 12Gb LPDDR5 – массовое производство
Март 2019 3rd-gen 10nm-class (1z) 8Gb DDR4 – разработка
Ноябрь 2017 2nd-gen 10nm-class (1y) 8Gb DDR4 – массовое производство
Сентябрь 2016 1st-gen 10nm-class (1x) 16Gb LPDDR4/4X – массовое производство
Февраль 2016 1st-gen 10nm-class (1x) 8Gb DDR4 – массовое производство
Октябрь 2015 20nm (2z) 12Gb LPDDR4 – массовое производство
Декабрь 2014 20nm (2z) 8Gb GDDR5 – массовое производство
Декабрь 2014 20nm (2z) 8Gb LPDDR4 – массовое производство
Октябрь 2014 20nm (2z) 8Gb DDR4 – массовое производство
Февраль 2014 20nm (2z) 4Gb DDR3 – массовое производство
Февраль 2014 20nm-class (2y) 8Gb LPDDR4 – массовое производство
Ноябрь 2013 20nm-class (2y) 6Gb LPDDR3 – массовое производство
Ноябрь 2012 20nm-class (2y) 4Gb DDR3 – массовое производство
Сентябрь 2011 20nm-class (2x) 2Gb DDR3 – массовое производство
Июль 2010 30nm-class 2Gb DDR3 – массовое производство
Февраль 2010 40nm-class 4Gb DDR3 – массовое производство
Июль 2009 40nm-class 2Gb DDR3 – массовое производство

Продукты Samsung > Полупроводники

Скачать

  • %E2%91%A2-Samsung-DRAM-Module-577x408.jpg

  • %E2%91%A1-Samsung-Electronics-V1-Line-612x408.jpg

  • %E2%91%A0-Samsung-Electronics-Hwaseong-Campus-613x408.jpg

По любым вопросам, связанным с сервисным обслуживанием, пожалуйста, обращайтесь на сайт samsung.com/ru/support.
По вопросам сотрудничества со СМИ, пожалуйста, пишите на samsung.press@fhv.ru.

Самые актуальные новости Samsung

Узнать больше
Наверх