Samsung Electronics запустила массовое производство первого в отрасли SSD с 4-битной ячейкой для потребительского сегмента

10-08-2018
Share open/close
Ссылка скопирована.

Новый твердотельный накопитель QLC емкостью 4ТБ обладает производительностью, схожей с SATA SSD с 3-битовой ячейкой (TLC)
Скорость последовательного чтения – 540 МБ/с, скорость последовательной записи – 520 МБ/с, срок гарантии – 3 года

Компания Samsung Electronics, мировой лидер в области разработки передовых технологий памяти, объявляет о запуске массового производства первого в отрасли твердотельного накопителя (SSD) с 4-битовыми ячейками (QLC) SATA ёмкостью 4 ТБ, предназначенного для конечных потребителей.

 

В новых SSD Samsung используются QLC V-NAND микросхемы ёмкостью 1 Тбит. SSD обладают схожей производительностью с TLC SSD. Компания ожидает, что QLC SSD Samsung выведут массовые твердотельные накопители на новый уровень эффективности.

 

«Новые QLC SATA SSD от Samsung знаменуют начало массового перехода на терабайтные SSD, – отметил Джейсу Хан, исполнительный вице-президент по продажам и маркетингу памяти в Samsung Electronics. – По мере расширения нашей линейки потребительских и корпоративных устройств QLC терабайтные твердотельные накопители будут стремительно распространяться по всему рынку».*

 

С использованием нового QLC чипа V-NAND ёмкостью 1 Тбит Samsung также сможет производить более эффективные карты памяти для смартфонов емкостью 128 ГБ.

 

Поскольку объем данных, хранящихся в одной ячейке памяти, увеличивается с трех бит до четырех, емкость чипа на единицу площади повышается, а электрический заряд, необходимый для чтения информации, снижается на целых 50%. В связи с этим становится сложнее поддерживать необходимую производительность и скорость работы устройства.

 

Тем не менее, 4ТБ QLC SATA SSD обладает уровнем производительности схожим с тем, что демонстрируют TLC SSD. Это стало возможным благодаря использованию прогрессивного SSD контроллера и технологии TurboWrite, а также расширению ёмкости накопителя использованием 32 микросхем, основанных на 64-слойном V-NAND дизайне емкостью 1 Тбит.

 

Новый QLC SSD Samsung обеспечивает скорость последовательного чтения 540 Мбит/с и скорость последовательной записи 520 Мбит/с, устройство поставляется с трехлетней гарантией.

 

В 2018 году Samsung планирует представить несколько массовых моделей QLC SSD. Устройства получат широко используемый форм-фактор 2,5 дюйма и емкость 1, 2 или 4 ТБ.

 

С момента презентации SLC (1-битовая ячейка) SSD емкостью 32 ГБ в 2006 году, приблизившего эпоху использования SSD-накопителей в ПК, и до современного 4-битного SSD емкостью 4 ТБ, Samsung продолжает преодолевать границы каждой эпохи многобитных накопителей.**

 

Кроме того, в этом году компания также намерена представить твердотельные накопители М.2 NVMe для корпоративного использования и запустить массовое производство памяти QLC V-NAND. Это позволит расширить линейку SSD и удовлетворить растущие требования к скорости и надежности работы памяти в различных сферах применения, таких как дата-центры нового поколения, корпоративные сервера и корпоративные хранилища файлов.

 

* 1Тбит (128ГБ) x 32 = 4ТБ (4,096ГБ)

**История массового производства SSD компании Samsung в битах на одну ячейку

 

Год Бит Техпроцесс Емкость микросхемы Емкость диска
2006 1-битный SLC 70нм-класс 4Гбит 32ГБ
2010 2-битный MLC 30нм-класс 32Гбит 512ГБ
2012 3-битный TLC 20нм-класс 64Гбит 500ГБ
2018 4-битный QLC V-NAND 4-го поколения 1Тбит 4 ТБ

Продукты Samsung > Полупроводники

По любым вопросам, связанным с сервисным обслуживанием, пожалуйста, обращайтесь на сайт samsung.com/ru/support.
По вопросам сотрудничества со СМИ, пожалуйста, пишите на samsung@maslov.agency.

Самые актуальные новости Samsung

Узнать больше
Наверх