Samsung удваивает скорость работы современных накопителей в смартфонах

01-03-2019
Share open/close
Ссылка скопирована.

Компания начинает массовое производство первого в отрасли накопителя eUFS 3.0 емкостью 512ГБ. Построенная на базе фирменной технологии V-NAND пятого поколения новая память отвечает самым последним требованиям отраслевых спецификаций Universal Flash Storage и обеспечивает скорость работы, в 20 раз превосходящую скорость обычных карт microSD

 

Компания Samsung Electronics, мировой лидер в области современных технологий памяти, объявила о начале массового производства первого в отрасли встраиваемого накопителя Universal Flash Storage (eUFS) 3.0 емкостью 512 ГБ для мобильных устройств нового поколения. В соответствии с требованиями спецификаций eUFS 3.0, представленное решение обеспечивает вдвое более высокую скорость работы по сравнению с предыдущими eUFS накопителями (eUFS 2.1). Новинка будет применяться в будущих смартфонах с ультра-широкими экранами с высоким разрешением.

 

«Начало массового производства накопителей линейки eUFS 3.0 обеспечивает Samsung огромное преимущество на рынке мобильных устройств нового поколения, где мы представляем память со скоростью чтения, которая раньше была достижима только в ультра-тонких ноутбуках, – говорит Чол Чой (Cheol Choi), исполнительный вице-президент по продажам и маркетингу технологий памяти в Samsung Electronics. – По мере расширения линейки eUFS 3.0, а также с выпуском версии емкостью 1ТБ в этом году динамика на рынке премиальных мобильных устройств будет возрастать».

 

Samsung начала производство первого в отрасли UFS интерфейса в январе 2015 года, выпустив накопитель eUFS 2.0, который обеспечивал в 1,4 раза более высокую скорость работы по сравнению со стандартной на тот момент памятью eMMC 5.1 (embedded multi-media card). Спустя всего четыре года новейшая память Samsung eUFS 3.0 по своей производительности не уступает памяти в современных ультра-тонких ноутбуках.

 

В накопителе Samsung eUFS 3.0 емкостью 512ГБ используется восемь 512-гигабитных кристаллов памяти Samsung V-NAND пятого поколения и высокопроизводительный контроллер. Скорость последовательного чтения нового устройства составляет 2100 мегабайт в секунду, что вдвое превышает аналогичный показатель в новейшей uEFS памяти (eUFS 2.1), которая была анонсирована в январе. Скорость чтения нового решения в 4 раза превосходит скорость чтения в твердотельных SATA накопителях и в 20 раз – обычных карт памяти microSD. Таким образом, перемещение целого фильма в Full HD качестве c премиального смартфона на компьютер займет всего порядка трех секунд*. Кроме того, скорость последовательной записи также выросла, увеличившись на 50% до 410МБ/с, что сопоставимо со скоростью записи в твердотельных SATA накопителях.

 

Скорость произвольного чтения и записи новой памяти на 36% выше, чем в текущей спецификации eUFS 2.1, и составляет, соответственно, 63 000 и 68 000 операций ввода/вывода в секунду (IOPS). С учетом значительного прироста в скорости произвольного чтения и записи, которая более чем в 630 раз превосходит показатели обычных карт памяти microSD (100 IOPS), новая память позволяет одновременно запускать сразу несколько сложных приложений, обеспечивая улучшенную отзывчивость пользовательского интерфейса, особенно в новейшем поколении мобильных устройств.

 

После старта производства накопителей eUFS 3.0 емкостью 512ГБ и версии емкостью 128ГБ, которые будут запущены уже в этом месяце, Samsung намерена начать производство моделей емкостью 1ТБ и 256ГБ во второй половине этого года, чтобы помочь глобальным производителям устройств реализовывать мобильные инновации будущего.

 

 

*Расчеты приведены для передачи фильма в формате Full HD размером 3,7ГБ с мобильного устройства, оснащенного накопителем eUFS 3.0 емкостью 512ГБ, на компьютер с твердотельным NVMe-накопителем.  

 

** Для справки: сравнение производительности встраиваемой памяти Samsung

Накопитель Скорость последовательного  чтения Скорость последовательной  записи Скорость произвольного  чтения Скорость произвольной  записи
512GB eUFS 3.0

(февраль 2019 года)

2100 МБ/с

(x2.10)

410 МБ/с

(x1.58)

63 000 IOPS

(x1.09)

68 000 IOPS

(x1.36)

1TB eUFS 2.1

(январь 2019 года)

1000 МБ/с 260 МБ/с 58 000 IOPS 50 000 IOPS
512GB eUFS 2.1

(ноябрь 2017 года)

860 МБ/с 255 МБ/с 42 000 IOPS 40 000 IOPS
eUFS 2.1 для автомобильной промышленности

(сентябрь 2017 года)

850 МБ/с 150 МБ/с 45 000 IOPS 32 000 IOPS
256GB UFS Card
(июль 2016 года)
530 МБ/с 170 МБ/с 40 000 IOPS 35 000 IOPS
256GB eUFS 2.0
(февраль 2016 года)
850 МБ/с 260 МБ/с 45 000 IOPS 40 000 IOPS
128GB eUFS 2.0
(январь 2015 года)
350 МБ/с 150 МБ/с 19 000 IOPS 14 000 IOPS
eMMC 5.1 250 МБ/с 125 МБ/с 11 000 IOPS 13 000 IOPS
eMMC 5.0 250 МБ/с  90 МБ/с  7 000 IOPS 13 000 IOPS

 

Продукты Samsung > Полупроводники

Скачать

  • eUFS_512GB-USB3.0_Ver_-A.jpg

  • eUFS_512GB-USB3.0_Ver_-B.jpg

  • eUFS_512GB-USB3.0_Ver_-C.jpg

По любым вопросам, связанным с сервисным обслуживанием, пожалуйста, обращайтесь на сайт samsung.com/ru/support.
По вопросам сотрудничества со СМИ, пожалуйста, пишите на samsung@maslov.agency.

Самые актуальные новости Samsung

Узнать больше
Наверх