Samsung Electronics запускает массовое производство новейшей в отрасли памяти DDR5 DRAM класса 12-нм

Новое поколение памяти DRAM от Samsung позволяет оптимизировать вычислительные системы следующего поколения, в том числе приложения искусственного интеллекта с более высокой энергоэффективностью и производительностью

Компания Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых полупроводниковых технологий, вновь подтверждая свое первенство в сфере DRAM, анонсировала начало серийного производства 16-гигабитной (Гбит) памяти DDR5 DRAM, созданной на базе новейшего технологического процесса класса 12 нанометров (нм).

«Самые современные в отрасли микросхемы DDR5 DRAM 12 нм класса, производимые Samsung с использованием дифференцированного технологического процесса, обеспечивают высочайшую производительность и энергоэффективность, — заявил Джу Ёнг Ли (Jooyoung Lee), исполнительный вице-президент подразделения Продуктов и технологий DRAM компании Samsung Electronics. — Наше новейшее DRAM решение отражает неизменное стремление Samsung к лидерству на рынке не только с помощью высокопроизводительных и высокоемких продуктов, способных удовлетворить потребности рынка в крупномасштабных вычислительных операциях, но и путем коммерциализации решений следующего поколения, поддерживающих более высокую эффективность работы».

По сравнению с предыдущим поколением, новая память Samsung DDR5 DRAM класса 12 нм сокращает энергопотребление на 23%, при этом повышая производительность полупроводниковых пластин на 20%. Такая энергоэффективность делает память идеальным решением для глобальных IT-компаний, которые хотят снизить выбросы углекислого газа и энергопотребление своих серверов и центров обработки данных.

Реализация компанией Samsung технологического процесса 12 нм класса стала возможной благодаря использованию нового материала с высокой диэлектрической проницаемостью, способствующего увеличению емкости ячейки памяти. Высокая емкость обеспечивает разность электрических потенциалов в сигналах данных, что облегчает их точное распознавание. Созданию оптимального решения также способствовали разработки компании по снижению рабочего напряжения и уменьшению уровня шума.

Память Samsung DDR5 DRAM класса 12 нм обладает максимальной скоростью 7,2 гигабит в секунду (Гбит/с), что позволяет переписать два 30-гигабайтных фильма формата UHD примерно за одну секунду. Линейку DDR5 DRAM планируется применять в самых разных областях, включая центры обработки данных, искусственный интеллект и вычисления нового поколения.

В декабре прошлого года Samsung завершила оценку совместимости 16-гигабитной DDR5 DRAM с платформами AMD и продолжает сотрудничество с глобальными IT-компаниями для внедрения инноваций на рынке DRAM следующего поколения.