Samsung увеличила объем модулей памяти LPDDR5 DRAM до 16 Гбайт
Samsung Electronics объявляет о массовом производстве первого в отрасли 16-гигабайтного мобильного пакета LPDDR5 DRAM для смартфонов премиум-класса следующего поколения. Новая версия модуля получила расширенные функции 5G и AI и за счет добавленной емкости память больше подходит для графически требовательного гейминга и «умной» фотографии. Выпуск предыдущей модели памяти, LPDDR5 объемом 12 Гбайт, Samsung начала в июле 2019 года.
Скорость передачи данных у модуля LPDDR5 объемом 16 Гбайт составляет 5500 Мбит/с, что примерно в 1,3 раза выше показателя мобильной памяти предыдущего поколения LPDDR4X (4266 Мбит/с). По сравнению с 8-гигабайтным пакетом LPDDR4X новая мобильная DRAM обеспечивает свыше 20% экономии энергии при увеличенной в 2 раза емкости. Кроме того, 16-гигабайтный LPDDR5-пакет для мобильных ПК состоит из восьми 12-гигабитных и четырех 8-гигабитных чипов, благодаря чему премиальные смартфоны обладают вдвое большей емкостью DRAM, чем многие ноутбуки и игровые компьютеры.
Во второй половине 2020 года компания также планирует начать массовый выпуск 16-гигабитных модулей LPDDR5. Они будут основаны на технологии 10-нм (1z) третьего поколения в соответствии с разработкой чипсета 6400 Мбит/с. Непрерывно развивая подобные инновации, Samsung намерена укрепить свои конкурентные преимущества на рынках премиальных мобильных устройств, высококлассных ПК и «умных» авто.
Хронология производства мобильной DRAM от Samsung
Дата | Объем памяти | Mobile DRAM |
Декабрь 2019 | 16GB | 10nm-class 12Gb+8Gb LPDDR5, 5500Mb/s |
Сентябрь 2019 | 12GB
(uMCP) |
10nm-class 24Gb LPDDR4X, 4266Mb/s |
Июль 2019 | 12GB | 10nm-class 12Gb LPDDR5, 5500Mb/s |
Июнь 2019 | 6GB | 10nm-class 12Gb LPDDR5, 5500Mb/s |
Февраль 2019 | 12GB | 10nm-class 16Gb LPDDR4X, 4266Mb/s |
Июль 2018 | 8GB | 10nm-class 16Gb LPDDR4X, 4266Mb/s |
Апрель 2018 | 8GB (разработка) | 10nm-class 8Gb LPDDR5, 6400Mb/s |
Сентябрь 2016 | 8GB | 10nm-class 16Gb LPDDR4X, 4266Mb/s |
Август 2015 | 6GB | 20nm 12Gb LPDDR4, 4266Mb/s |
Декабрь 2014 | 4GB | 20nm 8Gb LPDDR4, 3200Mb/s |
Сентябрь 2014 | 3GB | 20nm 6Gb LPDDR3, 2133Mb/s |
Ноябрь 2013 | 3GB | 20nm-class 6Gb LPDDR3, 2133Mb/s |
Июль 2013 | 3GB | 20nm-class 4Gb LPDDR3, 2133Mb/s |
Апрель 2013 | 2GB | 20nm-class 4Gb LPDDR3, 2133Mb/s |
Август 2012 | 2GB | 30nm-class 4Gb LPDDR3, 1600Mb/s |
2011 | 1/2GB | 30nm-class 4Gb LPDDR2, 1066Mb/s |
2010 | 512MB | 40nm-class 2Gb MDDR, 400Mb/s |
2009 | 256MB | 50nm-class 1Gb MDDR, 400Mb/s |
Продукты Samsung > Полупроводники
По любым вопросам, связанным с сервисным обслуживанием, пожалуйста, обращайтесь на сайт samsung.com/ru/support.
По вопросам сотрудничества со СМИ, пожалуйста, пишите на samsung@maslov.agency.