Samsung представляет высокопроизводительные модули памяти HBM2E третьего поколения

Компания Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых технологий памяти, объявила о выпуске на рынок Flashbolt, высокопроизводительной памяти третьего поколения 2E (HBM2E). Новый 16-гигабайтный (ГБ) модуль HBM2E идеально подходит для высокопроизводительных вычислительных систем (HPC) и помогает своевременно совершенствовать суперкомпьютеры для аналитики данных на основе искусственного интеллекта и работы с графикой.

Новая память Flashbolt обладает вдвое большей емкостью по сравнению с предыдущим поколением HBM2 Aquabolt 8ГБ, а также существенно возросшей производительностью и эффективностью энергопотребления. Емкость 16 ГБ достигается за счет вертикального размещения на матрице восьми слоев 16-гигабитных DRAM-чипов класса 10 нм. Затем HBM2E модули соединяются между собой с помощью более 40 000 сквозных кремниевых микроскопических отверстий, при этом каждый 16-гигабитный кристалл содержит их более 5 600.

Flashbolt обеспечивает высокую скорость передачи данных 3,2 Гбит/с благодаря запатентованной оптимизированной схеме передачи сигналов, в результате чего достигается пропускная способность каждого стека 410 ГБ/с. Максимальная скорость передачи данных на Samsung HBM2E – 4,2 Гбит/с, а максимальная протестированная скорость передачи данных на сегодняшний день (пиковая пропускная способность в некоторых будущих приложениях) составляет 538 ГБ/с на стек. Это в 1,75 раза выше, чем 307 ГБ/с у Aquabolt.

Samsung запустит серийное производство новой памяти в первом полугодии 2020. При этом компания продолжит выпускать линейку Aquabolt второго поколения и приступит к выпуску Flashbolt третьего поколения.