ซัมซุง เผยวิสัยทัศน์ชิป 3D เจเนอเรชันใหม่ในงาน FMS 2026 ร่วมกำหนดทิศทางอนาคตของโครงสร้างพื้นฐาน AI

ซัมซุง อิเลคโทรนิคส์ ผู้นำระดับโลกด้านเทคโนโลยีหน่วยความจำขั้นสูง ขนทัพนวัตกรรมหน่วยความจำ AI ล่าสุดร่วมแสดงในงาน Future of Memory and Storage (FMS) 2026 ณ เมืองซานตาคลารา รัฐแคลิฟอร์เนีย พร้อมเผยโรดแมปเทคโนโลยีหน่วยความจำและระบบจัดเก็บข้อมูลยุคใหม่ เพื่อรองรับความต้องการของโครงสร้างพื้นฐาน AI ที่เติบโตอย่างรวดเร็วทั่วโลก

ด้วยความเชี่ยวชาญครอบคลุมทั้ง DRAM NAND ระบบจัดเก็บข้อมูลองค์กร และเทคโนโลยีเซมิคอนดักเตอร์ ซัมซุงนำเสนอพอร์ตโฟลิโอหน่วยความจำ AI และโรดแมปแห่งอนาคตแบบจัดเต็ม ทั้งการเผยโฉมโมเดลต้นแบบ zHBM และ zNAND-O แนวคิดสถาปัตยกรรมหน่วยความจำ 3 มิติเจเนอเรชันใหม่ รวมถึงการเปิดตัวชิป V10 BV-NAND หรือ Bonding V-NAND ที่มาพร้อมจำนวนเลเยอร์มากกว่า 400 ชั้นเป็นครั้งแรกของอุตสาหรรม รวมถึงไลน์อัปโซลูชันครบวงจรสำหรับโครงสร้างพื้นฐาน AI พร้อมเนรมิตบูทในธีม “AI Cloud Server” ยกทัพเทคโนโลยีหน่วยความจำและระบบจัดเก็บข้อมูลกว่า 30 รายการมาจัดแสดงในงานอย่างยิ่งใหญ่

ในช่วงบรรยายพิเศษเปิดงาน 2 ผู้บริหารกลุ่มธุรกิจหน่วยความจำของซัมซุง ได้แก่ จินยอบ ลี รองประธานกรรมการบริหารและหัวหน้าฝ่ายผลิตภัณฑ์และเทคโนโลยีแฟลช ร่วมกับ คยองรยอน คิม รองประธานกรรมการและหัวหน้าทีมโปรเจกต์ออกแบบ DRAM ได้ขึ้นแสดงวิสัยทัศน์เกี่ยวกับโครงสร้าง 3D ยุคใหม่ ซึ่งจะเข้ามาเป็นหัวใจสำคัญของโซลูชันหน่วยความจำในอนาคตภายใต้หัวข้อ “Driving the Wave of AI Revolution: 3D Innovations in Memory & Storage Architecture” โดยได้เผยวิสัยทัศน์ของซัมซุงในการยกระดับประสิทธิภาพการประมวลผลและการประหยัดพลังงานของระบบ AI ขั้นสูงสุด เพื่อตอบโจทย์ความต้องการของระบบประมวลผลสมรรถนะสูง (HPC) และโครงสร้างพื้นฐาน AI ที่ขยายตัวอย่างก้าวกระโดด พร้อมทั้ง ยังได้เปิดตัว V10 BV-NAND สถาปัตยกรรมล้ำสมัยที่ขับเคลื่อนด้วยเทคโนโลยี Wafer Bonding ใหม่ล่าสุด เป็นครั้งแรกของอุตสาหกรรม

วิสัยทัศน์ของหน่วยความจำ 3D เจเนอเรชันใหม่ของซัมซุง

ภายในงาน FMS 2026 ซัมซุงได้เผยโฉมโมเดลต้นแบบ zHBM และ zNAND-O เป็นครั้งแรกของอุตสาหกรรม เพื่อนำเสนอแนวทางใหม่ของสถาปัตยกรรมหน่วยความจำ 3D ที่ออกแบบมาเพื่อรองรับการประมวลผล AI ขั้นสูง

zHBM เป็นสถาปัตยกรรมหน่วยความจำรูปแบบใหม่ที่วาง HBM ซ้อนในแนวตั้งบน AI Accelerator โดยตรง ถือเป็นการก้าวข้ามข้อจำกัดของดีไซน์เดิมที่ต้องวาง HBM ขนาบข้างโปรเซสเซอร์ การลดระยะทางในการรับส่งข้อมูลระหว่างโปรเซสเซอร์ AI กับหน่วยความจำให้สั้นที่สุด ช่วยให้ เพิ่มแบนด์วิดท์ที่สูงขึ้น ลดการใช้พลังงาน และรองรับการประมวลผลข้อมูลความเร็วสูงพิเศษที่จำเป็นต่อการฝึกโมเดล AI (Training) และการประมวลผลสรุป (Inference) ขนาดใหญ่

คาดว่าระบบอินเทอร์เฟซยุคใหม่ที่ผสาน zHBM จะให้ประสิทธิภาพสูงกว่า HBM5 ประมาณ 8 เท่า และด้วยเทคโนโลยี Wafer Bonding เจเนอเรชันใหม่ จะสามารถเพิ่มความหนาแน่นของหน่วยความจำได้มากกว่า HBM5 ถึง 10 เท่า พร้อมประสิทธิภาพด้านประหยัดพลังงานขึ้น 3 เท่า และลดความต้านทานความร้อนลงกว่าครึ่ง ช่วยเพิ่มเสถียรภาพและประสิทธิภาพการใช้พลังงานสูงสุดให้กับระบบความจุสูงและแบนด์วิดท์สูง

นอกจากนี้ zHBM ยังรองรับการออกแบบตามความต้องการของลูกค้า โดยสามารถรวม Custom IP เข้าไปในชั้น interlayer ระหว่างหน่วยความจำและ AI Accelerator เพื่อเพิ่มความจุและยกระดับประสิทธิภาพของ AI Accelerator ให้สูงยิ่งขึ้น โดยซัมซุงเดินหน้าร่วมมืออย่างใกล้ชิดกับคู่ค้า เพื่อปรับแต่งการทำงานร่วมกันระหว่างโปรเซสเซอร์ AI และหน่วยความจำผ่าน zHBM ให้สมบูรณ์แบบที่สุด เพื่อปลดล็อกศักยภาพของระบบ AI ให้เต็มประสิทธิภาพ

นอกจากนี้ ซัมซุงยังได้เปิดตัว zNAND-O โซลูชัน NAND ประสิทธิภาพสูงเจเนอเรชันใหม่ที่พัฒนาต่อยอดจากเทคโนโลยี V-NAND โดยอยู่ระหว่างการพัฒนาเวอร์ชัน 4 ชั้นและ 8 ชั้น เพื่อช่วยในการประหยัดพื้นที่ มีประสิทธิภาพ I/O ที่เหนือกว่า และความหน่วงต่ำ zNAND-O จึงได้รับการออกแบบมาให้เหมาะกับสภาพแวดล้อม Edge AI ที่ต้องรองรับแอปพลิเคชัน AI แบบเรียลไทม์และมีการประมวลผลข้อมูลมหาศาล

หน่วยความจำ V10 BV-NAND ตัวแรกของอุตสาหกรรม

ซัมซุงยังเผยโฉม V10 BV-NAND ที่มาพร้อมสถาปัตยกรรม Bonding V-NAND ใหม่ล่าสุด ซึ่งนับเป็นอีกก้าวสำคัญหลังจากบริษัทฯ เปิดตัวเทคโนโลยี V-NAND ครั้งแรกของอุตสาหกรรมในงาน Flash Memory Summit 2013 หรือเมื่อ 13 ปีที่แล้ว

ด้วยจำนวนชั้นที่ซ้อนทับกันมากกว่า 400 ชั้น V10 BV-NAND จึงช่วยเพิ่มประสิทธิภาพการทำงานและการประหยัดพลังงานที่สูงขึ้น พร้อมเพิ่มความหนาแน่นในการจัดเก็บข้อมูลได้อย่างก้าวกระโดด การนำเทคโนโลยี Wafer Bonding มาใช้ในการวางซ้อนเซลล์หน่วยความจำ ทำให้ซัมซุงเพิ่มความหนาแน่นของหน่วยความจำได้สูงขึ้นราว 58% เมื่อเทียบกับรุ่นก่อนหน้า (V9) นอกจากจำนวนชั้นที่เพิ่มขึ้น V10 BV-NAND ยังยกระดับความเร็วในการอ่าน เขียน และประสิทธิภาพ I/O เหนือกว่ารุ่นก่อน เพื่อรองรับความต้องการ NAND ความจุสูงและสมรรถนะสูงสำหรับระบบและแอปพลิเคชัน AI ในอนาคต

โรดแมปหน่วยความจำ AI จาก HBM ถึง PIM และระบบจัดเก็บข้อมูลองค์กร

ซัมซุงยังนำเสนอพอร์ตโฟลิโอหน่วยความจำและระบบจัดเก็บข้อมูล AI ล่าสุด ที่ครอบคลุม HBM4E, HBM5, LPDDR5X-PIM และ PM1763 ตอกย้ำโรดแมปสำหรับระบบประมวลผล AI และโครงสร้างพื้นฐานดาต้าเซนเตอร์ยุคใหม่

หลังจากซัมซุงเริ่มผลิต HBM4 ในเชิงพาณิชย์ เป็นรายแรกของอุตสาหกรรมโดยใช้เทคโนโลยี 1c DRAM และ Base Die ขนาด 4 นาโนเมตร (nm) เมื่อเดือนกุมภาพันธ์ที่ผ่านมา ซัมซุงยังสร้างปรากฏการณ์ด้วยการเป็นบริษัทแรกที่เริ่มส่งมอบตัวอย่าง HBM4E ให้แก่ลูกค้าทั่วโลกในเดือนพฤษภาคม ตอกย้ำความเป็นผู้นำในตลาด HBM เจเนอเรชันใหม่

นอกจากตัวอย่าง HBM4E และโมเดล HBM5 แล้ว ซัมซุงยังจัดแสดง LPDDR5X-PIM ซึ่งเป็นหน่วยความจำ LPDDR รุ่นแรกของอุตสาหกรรมที่มาพร้อมเทคโนโลยี Processing-in-Memory โดยเป็นโซลูชันใหม่ที่ออกแบบมาให้สามารถประมวลผลข้อมูลได้ภายในหน่วยความจำเอง เพื่อลดการเคลื่อนย้ายข้อมูลและยกระดับการใช้พลังงานให้มีประสิทธิภาพสูงสุด

พร้อมกันนี้ ซัมซุงยังจัดแสดงโซลูชันจัดเก็บข้อมูลระดับองค์กรล่าสุด ได้แก่ PM1763 และ BM1773 ที่ออกแบบมาเพื่อรองรับความต้องการจัดเก็บข้อมูลมหาศาลของ AI ดาต้าเซนเตอร์

โซลูชันเทิร์นคีย์แบบครบจบในที่เดียว

ในฐานะผู้ผลิตอุปกรณ์แบบครบวงจร (Integrated Device Manufacturer: IDM) เพียงรายเดียวในโลกที่มีศักยภาพอันโดดเด่นครอบคลุมทั้งหน่วยความจำ, ฟาวน์ดรี (Foundry) และเทคโนโลยีการแพ็กเกจจิ้งขั้นสูง ซัมซุงได้นำเสนอกลยุทธ์แบบ End-to-End สำหรับโครงสร้างพื้นฐาน AI เจเนอเรชันใหม่ เพื่อมอบโซลูชันแบบเทิร์นคีย์ครบวงจรในที่เดียว ที่ตอบโจทย์ความต้องการของยุค AI ที่พัฒนาอย่างไม่หยุดยั้ง

โดยครอบคลุมตั้งแต่ขั้นตอนการออกแบบผลิตภัณฑ์ไปจนถึงการผลิตเชิงพาณิชย์ ซัมซุงสามารถพัฒนาผลิตภัณฑ์และดำเนินการผลิตได้อย่างครบวงจร ที่ช่วยลดระยะเวลาการพัฒนาผลิตภัณฑ์ ควบคู่กับการเพิ่มประสิทธิภาพและการใช้พลังงานให้คุ้มค่าที่สุด ช่วยให้ลูกค้าสามารถนำโซลูชันเซมิคอนดักเตอร์ AI ที่โดดเด่นออกสู่ตลาดได้อย่างรวดเร็ว