三星成功開發8奈米射頻解決方案 強化5G通訊晶片陣營實力

on 29.06.2021
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新型8奈米射頻晶片架構可提升35%能效、較14奈米減少35%邏輯區塊面積

全球先進半導體技術領導品牌三星電子,宣佈推出8奈米(nm)製程的最新射頻(RF)技術。

 

該先進晶圓代工技術支援多通道及多天線晶片設計,可望實現5G通訊的「單一晶片解決方案」。三星擴展8奈米射頻平台規模,涵蓋sub-6GHz至mmWave頻段的應用領域;進一步穩固5G半導體市場的領先地位。

 

三星8奈米射頻製程技術,為堅強的射頻解決方案陣營再添生力軍,包括28奈米與14奈米。自2017年起,三星搭載於高階智慧型手機的行動射頻晶片出貨量,累計已突破5億大關,;奠定三星於射頻市場屹立不搖的領導地位。

 

三星電子晶圓技術開發團隊負責人Hyung Jin Lee表示:「三星透過卓越的創新實力與製程技術,強化新世代無線通訊產品陣容。隨著5G mmWave頻段的擴展,對渴望延長小體積行動裝置電池續航力、實現卓越訊號品質的客戶而言,三星8奈米射頻技術為絕佳的解決方案。」

 

三星嶄新的RFeFET™架構
隨著先進製程節點持續微縮,數位積體電路的效能、功耗與面積(PPA)皆已獲顯著改善。然而,受限於寄生效應影響(例如線寬狹窄造成電阻增加),使得類比/射頻區塊的發展,仍較難與數位積體電路相提並論。多數通訊晶片因此具射頻衰減特性,例如接收頻率訊號衰減、功耗增加等。

 

為了克服類比/射頻面臨的製程微縮挑戰,三星專為8奈米射頻開發獨特架構-RFextremeFET(RFeFET™),可顯著優化射頻特性並降低功耗。相較於14奈米射頻,RFeFET™架構可強化數位效能與晶片面積微縮,同時恢復類比/射頻製程微縮的進展速度,實現高效能的5G平台製程。

 

三星的製程優化,不僅可最大化通道移動率(Channel Mobility),同時可降低寄生效應。隨著RFeFET™效能的大幅提升,射頻晶片的電晶體總數以及類比/射頻區塊面積將可減少。

 

得益於RFeFET™的架構創新,三星8奈米射頻製程技術與14奈米射頻相比,能效可提升35%且縮減35%邏輯區塊面積。

 

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