三星開始量產業界最先進的14奈米EUV DDR5 DRAM

on 22.10.2021
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三星新型五層EUV製程,實現業界最高DRAM位元密度並提升約20%生產率

三星14奈米DRAM以最新DDR5標準為基礎,
為不斷成長的AI和5G工作負載量提供理想方案


全球先進記憶體技術領導品牌三星電子,近期宣佈開始量產基於極紫外光(EUV)技術,且為目前業界尺寸最小的14奈米DRAM。繼去年三月完成業界首款EUV DRAM出貨後,三星將EUV層數提升至5層,為DDR5解決方案提供最精密先進的DRAM製程。
 
三星電子資深副總裁暨DRAM產品與技術負責人Jooyoung Lee表示:「近三十年來,三星持續引領關鍵顯影技術(Patterning Technology)的創新發展,穏居DRAM市場領導地位。如今透過可達14奈米極致微型化的多層EUV,締造科技發展的新里程碑,這也是傳統氟化氬(ArF)製程無法實現的目標。三星將以此為基石,針對仰賴大數據運算的5G、AI和元宇宙(Metaverse)等領域,解決其更高性能與容量的需求,並提供具差異化的記憶體解決方案。」
 
隨著DRAM持續縮小至10奈米級,為提升顯影精準度以增進效能與產量,EUV技術的重要性與日俱增。三星14奈米DRAM使用5層EUV,不僅實現最高的位元密度,亦將整體晶圓生產率提升至20%。此外,相較於上一代DRAM節點,14奈米製程可減少約20%功耗。
 

三星14奈米DRAM採用最新的DDR5標準,締造史上最快、每秒可達7.2GB(Gbps)的傳輸速度,與DDR4最高速度3.2Gbps相比快兩倍。
 

三星計劃進一步擴大14奈米DDR5產品陣容,以支援數據中心、超級電腦與企業伺服器等應用。此外,三星目標將14奈米DRAM晶片密度提升至24Gb,以滿足全球IT系統快速成長的資料需求。

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