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三星開始量產業界最快的旗艦級智慧型手機儲存晶片

on 06.04.2020
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新型512GB eUFS 3.1不需緩衝 可極速儲存8K影片和大尺寸影像檔案

全球先進記憶體技術領導品牌三星電子,宣布開始量產業界首款用於旗艦級智慧手機512 GB 嵌入式通用快閃記憶體(embedded Universal Flash Storage)eUFS3.1,其寫入速度較上一代512GB eUFS 3.0行動儲存晶片快三倍,突破智慧型手機儲存晶片1GB/s的性能極限。
三星電子記憶體業務暨行銷執行副總裁Cheol Choi 表示:「隨著三星推出最快速的行動記憶體,智慧型手機使用者將可擺脫傳統記憶卡的容量瓶頸。今年全球智慧型手機產業,對高速儲存的需求快速成長,全新eUFS 3.1的問世,展現三星致力支援產業需求的承諾。」

 

三星512GB eUFS 3.1的循序寫入速度超過1,200MB/s,較SATA桌上型電腦 (540MB/s)快兩倍以上,更較UHS-I microSD卡(90MB/s)快十倍以上。這表示當消費者將大量的檔案,例如8K影片或數百張的大尺寸照片,存入智慧型手機時,能享受媲美超薄筆電的儲存速度而不需緩衝。此外,將舊手機內容傳輸至新裝置時,傳輸時間亦大幅縮減。搭載最新eUFS 3.1的手機,只需1.5分鐘,即可移動100GB的數據;而搭載UFS 3.0的手機,則至少需要4分鐘以上。

 

在隨機讀取方面,512GB eUFS 3.1的處理速度,較目前廣泛使用的UFS 3.0版本提升60%,每秒讀取速度最高可達100,000 IOPS,寫入速度則可達到70,000 IOPS。

 

除了512GB容量,三星亦將為旗艦級智慧型手機推出256GB和128GB容量版本。

 

自3月開始,三星已投入第五代V-NAND的量產,以充份滿足旗艦級和高階智慧型手機市場的記憶體需求。三星計劃在不久的未來,將韓國平澤生產線的第五代V-NAND量產遷移至第六代,為日益成長的需求帶來更佳的解決方案。

 

三星嵌入式儲存記憶體陣容

 

記憶體 循序讀取速度

(Sequential Read)

循序寫入速度

(Sequential Write)

隨機讀取速度

(Random Read)

隨機寫入速度

(Random Write)

512GB eUFS 3.1 2100MB/s 1200MB/s 100,000 IOPS 70,000 IOPS
(2020年3月) (提升3倍) (提升1.6倍) (提升1.03倍)
512GB eUFS 3.0 2100MB/s 410MB/s 63,000 IOPS 68,000 IOPS
(2019年2月)
1TB eUFS 2.1 1000MB/s 260MB/s 58,000 IOPS 50,000 IOPS
(2019年1月)
512GB eUFS 2.1 860MB/s 255MB/s 42,000 IOPS 40,000 IOPS
(2017年11月)
Automotive UFS 2.1 850MB/s 150MB/s 45,000 IOPS 32,000 IOPS
(2017年9月)
256GB UFS Card 530MB/s 170MB/s 40,000 IOPS 35,000 IOPS
(2016年7月)
256GB eUFS 2.0 850MB/s 260MB/s 45,000 IOPS 40,000 IOPS
(2016年2月)
128GB eUFS 2.0 350MB/s 150MB/s 19,000 IOPS 14,000 IOPS
(2015年1月)
eMMC 5.1 250MB/s 125MB/s 11,000 IOPS 13,000 IOPS
eMMC 5.0 250MB/s  90MB/s  7,000 IOPS 13,000 IOPS
eMMC 4.5 140MB/s  50MB/s  7,000 IOPS  2,000 IOPS

 

 

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