三星領先業界 半導體解決方案具環境永續性獲全球認證

512GB eUFS 3.0記憶體 獲全球權威英國碳信託公司碳足跡和水足跡雙重認證
1TB eUFS 2.1和第五代512Gb V-NAND 獲得韓國環境部的環保產品聲明認證標章

全球頂尖記憶體技術領導品牌三星電子宣布，旗下512 GB嵌入式通用快閃記憶體（eUFS） 3.0，稍早已於英國駐韓大使館，接受由備受尊崇的認證機構 ─ 英國碳信託公司（Carbon Trust）所頒發的碳足跡和水足跡認證。三星512GB eUFS 3.0是首款獲得國際認證組織肯定的行動記憶體，顯示三星致力減少碳足跡和水足跡的努力已取得豐碩的成果。

碳信託公司是由英國政府資助成立的非營利認證機構，在全球享有極高的聲譽，旨在推動全球經濟朝永續和低碳的方向加速轉型。碳信託公司頒發的每一項認證，皆全面評估生產前和生產期間的碳排放和用水量，以及生產活動對環境所造成的影響，並依國際標準審慎考量後作出決定。

三星執行副總裁暨Giheung Hwaseong Pyeongtaek園區負責人Chanhoon Park表示：「三星的頂尖記憶體技術，不僅讓我們在面對具挑戰性的複雜流程時，展現出克服萬難的實力，而在環境永續方面，我們的貢獻也獲得了肯定，對此我們感到無比的榮幸。三星將持續在記憶體解決方案上持續精進，以微型尺寸提供最高的速度、容量與效能，造福全球的用戶。」

三星的半導體技術創新，實現永續生產目標

三星的512GB eUFS 3.0採用自家的第五代（90層以上）V-NAND技術，帶來最佳的速度、效能和生產力，其容量較採用第四代（64層）V-NAND技術的256GB eUFS 2.1高出2倍，循序讀寫速度則高出2.1倍，且所需的工作電壓降低30%。此外，由於三星的第五代V-NAND採用獨特的蝕刻技術，因此能在單一個精密步驟中，對堆疊數達90層以上的儲存單元進行開孔。這使晶片的堆疊層數比上一代大幅提升了近1.5倍，而晶片尺寸則縮減25%。此類的技術創新有助於最小化每一層V-NAND儲存單元所製造的的碳排放與水足跡總量。

在頒獎典禮上，三星所推出的「1-terabyte（TB） eUFS 2.1」和「第五代512-gigabit（Gb） V-NAND」，也獲得韓國環境部的環保產品聲明認證標章（EPD）。

三星計畫將具有高度環境永續性，且高容量的頂尖儲存解決方案，盡可能擴大應用到更多的智慧型旗艦手機上，並進一步深化與全球夥伴的合作關係，共同攜手推動新一代儲存技術的未來發展。

^{* PAS 2050為碳足跡標準；ISO 14046為水足跡標準}

 [參考資料] 三星512GB eUFS 3.0之環境足跡（Carbon Trust）

^{*13.4 kg CO₂相當於2顆樹齡30歲松樹一年的二氧化碳吸收量}

[參考資料] 三星半導體解決方案獲得環保認證