三星全新microSD卡以高效能、大容量 開啟行動運算與智慧終端AI新紀元

三星推出業界首款256GB大容量SD Express microSD卡樣品，運作速度超越現行介面四倍以上
三星1TB UHS-1 microSD卡採用最新V-NAND技術，現已進入量產階段

此為全球發布中譯新聞稿，實際產品上市資訊依各市場公告版本為準

全球先進記憶體技術領導品牌三星電子宣佈已啟動測試256GB^（註一） SD Express^（註二） microSD卡，其連續讀取速度高達每秒800 MB，而1TB^（註三） UHS-1 microSD卡亦進入量產。隨著新一代microSD卡陣容亮相，三星展現為未來行動運算與智慧終端AI應用所需記憶體提供最佳解決方案的企圖心。

三星電子記憶體品牌產品業務團隊副總裁Hangu Sohn表示：「三星以兩款全新microSD卡，為行動運算和智慧終端AI與日俱增的記憶體需求，打造有效率的解決方案。儘管尺寸極小，新款記憶卡強大效能與超大容量近似SSD固態硬碟，幫助用戶最大化現今與未來行動裝置的運作效能。」

業界首款SD Express microSD卡，最高讀取速度可達800 MB/s

三星在SD Express介面上導入全新高效能的microSD卡，該項業界創舉源自三星與客戶合作開發客製產品的成功經驗。

三星SD Express microSD卡採用低功耗設計並優化韌體技術，具備絕佳的性能與溫度管理，尺寸雖小，卻擁有與固態硬碟相當的效能表現。採用UHS-1介面的傳統microSD卡讀取速度最高僅104 MB/s，SD Express則可將速度提升到985 MB/s；然而，將此項技術導入microSD的商業化運用直到現今才出現。

三星 SD Express microSD卡的連續讀取速度高達800 MB/s－是SATA SSD固態硬碟（最高560 MB/s）的1.4倍，同時也較傳統 UHS-1記憶卡（最高200 MB/s）快四倍以上，能提升各種設備－如個人電腦和行動裝置的運算效能。為確保小尺寸規格的效能穩定性，其採用三星的動態散熱保護（DTG）技術，即使長時間運作，亦能將SD Express microSD卡維持在最佳溫度。

1TB UHS-1 microSD卡採用最新型1Tb V-NAND

三星新款1TB microSD卡，將八層三星第八代1Tb V-NAND堆疊在小尺寸microSD卡內，如此規模的大容量記憶體封裝，過去技術只能實現於固態硬碟中。三星新款1TB microSD卡通過業界最嚴謹的測試，具有防水、耐極端溫度、防摔設計、防磨損保護、防 X光和防磁功能^（註四），即便在嚴苛環境也能穩定使用。

產品上市資訊

256GB SD Express microSD卡將於本年度上市，1TB UHS-1 microSD卡預計在今年第三季推出。

註一：1吉位元組（GB）= 1,000,000,000位元組（10億位元組）。實際可用容量可能會有所不同。

註二：SD Express：新款採用PCIe Gen3x1介面（根據2019年2月公布的SD 7.1規範）的SD卡，傳輸速度理論值為985 MB/s。

註三：1兆位元組（TB）= 1,000,000,000,000 bytes（1萬億位元組）。實際可用容量可能會有所不同。

註四：對於任何因記憶卡救援而產生的數據損壞和資料遺失及其相關費用，三星不承擔法律責任。所聲稱的六種防護功能只適用於1TB UHS-1 microSD卡，不適用於256GB SD Express microSD卡。1公尺深度，鹽水，72小時。作業溫度-25℃至85℃（-13°F至185°F），非作業溫度-40℃至85℃（-40°F至185°F）。能承受標準機場X光機（最高100mGy）。磁場等同於高磁場磁振造影儀（最高15,000高斯）。可承受最高5公尺（16.4英呎）的掉落衝擊。最多10,000次摩擦。