三星開始量產業界最先進的14奈米EUV DDR5 DRAM

三星新型五層EUV製程，實現業界最高DRAM位元密度並提升約20%生產率

三星14奈米DRAM以最新DDR5標準為基礎，
為不斷成長的AI和5G工作負載量提供理想方案

全球先進記憶體技術領導品牌三星電子，近期宣佈開始量產基於極紫外光（EUV）技術，且為目前業界尺寸最小的14奈米DRAM。繼去年三月完成業界首款EUV DRAM出貨後，三星將EUV層數提升至5層，為DDR5解決方案提供最精密先進的DRAM製程。
 
三星電子資深副總裁暨DRAM產品與技術負責人Jooyoung Lee表示：「近三十年來，三星持續引領關鍵顯影技術（Patterning Technology）的創新發展，穏居DRAM市場領導地位。如今透過可達14奈米極致微型化的多層EUV，締造科技發展的新里程碑，這也是傳統氟化氬（ArF）製程無法實現的目標。三星將以此為基石，針對仰賴大數據運算的5G、AI和元宇宙（Metaverse）等領域，解決其更高性能與容量的需求，並提供具差異化的記憶體解決方案。」
 
隨著DRAM持續縮小至10奈米級，為提升顯影精準度以增進效能與產量，EUV技術的重要性與日俱增。三星14奈米DRAM使用5層EUV，不僅實現最高的位元密度，亦將整體晶圓生產率提升至20%。此外，相較於上一代DRAM節點，14奈米製程可減少約20%功耗。
 

三星14奈米DRAM採用最新的DDR5標準，締造史上最快、每秒可達7.2GB（Gbps）的傳輸速度，與DDR4最高速度3.2Gbps相比快兩倍。
 

三星計劃進一步擴大14奈米DDR5產品陣容，以支援數據中心、超級電腦與企業伺服器等應用。此外，三星目標將14奈米DRAM晶片密度提升至24Gb，以滿足全球IT系統快速成長的資料需求。