迎向AI時代 三星領先業界量產QLC第九代V-NAND

新型QLC V-NAND集多項突破性技術於一身
包括以雙堆疊結構實現業界最高層數的Channel Hole Etching

業界首款QLC和TLC第九代V-NAND為多元AI應用提供最佳記憶體

全球先進記憶體技術領導品牌三星電子宣佈已開始量產1Tb QLC（quad-level cell）第九代垂直NAND（V-NAND）。

繼今年4月領先業界投產TLC（triple-level cell）第九代V-NAND，三星再次獨步全球，量產QLC第九代V-NAND，鞏固其在高容量、高效能NAND快閃記憶體市場的領導地位。

三星電子執行副總裁暨快閃記憶體產品與技術負責人SungHoi Hur表示：「距離TLC版本投產僅四個月時間，QLC第九代V-NAND即順利啟動量產，三星以一應俱全的高階SSD解決方案，滿足AI時代的需求。隨著企業級SSD市場快速崛起，帶動AI應用需求強勁，我們將繼續透過QLC與TLC第九代V-NAND，鞏固三星在產業的領導地位。」

三星計劃擴大QLC第九代V-NAND的應用範疇，從旗下的消費性電子產品，延伸至行動通用快閃記憶體（UFS）、PC和伺服器SSD，造福雲端服務供應者在內的消費族群。

三星QLC第九代V-NAND技術登峰造極，集多項創新於一身：

• 採用三星傲視群倫的通道孔蝕刻技術（Channel Hole Etching），以雙堆疊架構實現業界最高層數。借助TLC第九代V-NAND累積的技術經驗，優化儲存單元面積與周邊電路，位元密度較前代QLC V-NAND提升近86%。
• 以預設模具（Designed Mold）技術調整控制儲存單元的字線（WL）間距，確保層內、層與層之間的特性一致與最佳化。隨著V-NAND層數增加，該等特性愈發重要。相較於前代版本，該技術可提升近20%的資料保存效能，進一步強化產品的可靠性。
• 借助預測程式（Predictive Program）技術預測、控制儲存單元的狀態變化，最小化不必要的操作。得益於該技術的大躍進，三星QLC第九代V-NAND寫入效能提升一倍，數據輸入／輸出速度提升60%^（註一）。
• 得益於低功耗設計（Low-Power Design），數據的讀取與寫入功耗，分別降低了約30%和50%^（註二）。其透過僅感應必要位線（BL）的運作原理，減少驅動NAND儲存單元所需電壓，實現功耗最小化。

註一：相較於前一代QLC V-NAND。

註二：相較於前一代QLC V-NAND。