Samsung AI davri uchun QLC 9-avlod V-NAND’ni sanoatda ilk bor ommaviy ishlab chiqarishni boshladi

Soʻnggi QLC V-NAND bir nechta ilgʻor texnologiyalarni, jumladan, Channel Hole Etching’ni oʻzida mujassam etgan boʻlib, bu ikki qavatli strukturani taʼminlaydi va sanoatdagi eng koʻp qatlamlar sonini belgilaydi

Sanoatda ilk bor QLC va TLC 9-avlod V-NAND sunʼiy intellekt ilovalariga optimal xotirani taqdim etadi

Ilgʻor xotira texnologiyasi boʻyicha jahon yetakchisi boʻlgan Samsung Electronics bugun oʻzining bir terabitli (Tb) quad-level cell (QLC) 9-avlod vertikal NAND’ni (V-NAND) ommaviy ishlab chiqarishni boshlaganini eʼlon qildi.

Joriy yilning aprel oyida sanoatning birinchi triple-level cell (TLC) 9-avlod V-NAND’ning ishlab chiqarilishidan so‘ng sanoatda QLC 9-avlod V-NAND’ning ilk ommaviy ishlab chiqarilishi bilan Samsung katta sig‘imli, yuqori quvvatga ega bo‘lgan NAND xotira bozoridagi yetakchilikni mustahkamlamoqda.

“QLC 9-avlod V-NAND muvaffaqiyatli ommaviy ishlab chiqarishni TLC versiyasidan atigi toʻrt oy oʻtgach boshlash bizga sunʼiy intellekt davri ehtiyojlarini qondiradigan ilgʻor SSD yechimlarining toʻliq mahsulotlar kategoriyasini taklif qilish imkonini beradi”, dedi Samsung Electronics kompaniyasining ijrochi prezidenti oʻrinbosari va xotira mahsulotlari va texnologiyasi boʻlimi boshligʻi SungHoi Hur. “Enterprayz SSD bozori AI ilovalariga talabning kuchliligi bilan sohadagi jadal oʻsishni koʻrsatayotganligi sababli biz QLC va TLC 9-avlod V-NAND orqali segmentdagi yetakchiligimizni mustahkamlashda davom etamiz”.

Samsung QLC 9-avlod V-NAND’ni brendli isteʼmol mahsulotlaridan boshlab, mobil Universal Flash Storage (UFS), shaxsiy kompyuterlar, shuningdek, bulutli xizmat koʻrsatuvchi provayderlar kabi mijozlar uchun server SSD’lariga kengaytirishni rejalashtirmoqda.

Samsung’ning 9-avlod QLC V-NAND texnologik yutuqlarni yuzaga keltirgan bir qator innovatsiyalarni oʻzida birlashtiradi:

• Samsung’ning noyob Channel Hole Etching texnologiyasi sanoatda ikki qavatli struktura bilan eng koʻp qatlamlar soniga erishishda ishlatilgan. TLC 9-avlod V-NAND’dan olingan texnologik tajribadan foydalangan holda kataklar maydoni va periferik sxemalar optimallashtirildi va oldingi avlod QLC V-NAND’ga qaraganda sanoatda yetakchi koʻrsatkich — taxminiy 86% bit zichlikka erishildi.
• Designed Mold texnologiyasi qatlamlar boʻylab va ular ichida katak xususiyatlari bir xil ekanligini va optimalligini taʼminlash uchun ularni boshqaradigan Word Lines (WL) oraligʻini sozlaydi. V-NAND qatlamlari soni ortishi bilan bu xususiyatlar tobora muhim ahamiyat kasb etmoqda. Designed Mold’ni amalda qoʻllash avvalgi versiyalarga qaraganda maʼlumotlarni xavfsiz saqlash samaradorligini taxminan 20% ga oshirdi, bu esa mahsulot ishonchliligini oshiradi.
• Predictive Program texnologiyasi keraksiz amallarni minimallashtirish uchun katakdagi oʻzgarishlarni nazorat qiladi. Samsung’ning 9-avlod QLC V-NAND xotiraga yozish koʼrsatkichlarini ikki baravarga oshirdi va ushbu texnologiyani rivojlantirish orqali maʼlumotlarni yozish/oʻqish tezligini 60% koʻtardi.[1]
• Low-Power Design (kamroq quvvatni talab qiladigan tuzilish) yordamida maʼlumotlarni oʻqish va yozishda quvvat sarfi mos ravishda taxminan 30% va 50% ga kamaydi.[2] Bu usul NAND kataklarini boshqaradigan kuchlanishni pasaytiradi va faqat kerakli bit lines’ni (BL) sezish orqali quvvat sarfini minimallashtiradi.

[1] Oldingi avlod QLC V-NAND bilan solishtirganda

[2] Oldingi avlod QLC V-NAND bilan solishtirganda