Samsung‘ning yangi microSD kartalari mobil hisoblash va qurilma ichidagi AI uchun yangi davr yuqori tezligi va katta sig‘imini taqdim etadi

Samsung sanoatda birinchi bor 256 GB SD Express microSD kartasini taqdim etdi, u hozirgi interfeysdan to‘rt baravar tez ishlaydi

Samsung’ning 1TB UHS-1 microSD kartasi eng so‘nggi V-NAND texnologiyasiga asoslangan holda ommaviy ishlab chiqarilish jarayonida

Ilg‘or xotira texnologiyalari bo‘yicha jahon yetakchisi bo‘lgan Samsung Electronics bugun o‘zining 256 gigabayt (GB) [1] SD Express [2] microSD kartasi zich va taxlangan yagona blokda soniyasiga 800 megabaytgacha (MB/s) bo‘lgan davomiy o‘qish tezligini qayd qilganini e’lon qildi va 1 terabaytli (TB) [3] UHS-1 microSD kartani ommaviy ishlab chiqarishni boshladi. Samsung o‘zining yangi avlod microSD kartalarini joriy etish orqali kelajak mobil hisoblash texnologiyasi va qurilma ichidagi sun’iy ong ilovalari uchun zarur bo‘lgan maxsus xotira yechimlarini taqdim etishni maqsad qilgan.

“Biz, Samsung, o‘zimizning mazkur ikki yangi microSD kartamiz bilan mobil kompyuterlar va qurilma ichidagi sun’iy ongning tobora oshib borayotgan talablarini qondirish uchun samarali yechimlarni taqdim etdik, — dedi Samsung Electronics kompaniyasining Memory Brand Product biznes jamoasi prezident o‘rinbosari Hangu Sohn. — Kichik o‘lchamlariga qaramay, ushbu xotira kartalari foydalanuvchilarga talabchan zamon va kelajak ilovalari standartlari uchun SSD’dek tezkor va katta sig‘imli xotirani taqdim etadi.”

Sanoatdagi ilk SD Express microSD kartasi maksimal 800 MB/s tezlikni taklif qiladi

Samsung kompaniyasi sanoatda birinchi bor SD Express interfeysiga asoslangan yuqori tezlikka ega yangi microSD kartani taqdim etdi. Bu maxsus mahsulotning texnologik ishlanmasi muvaffaqiyatli hamkorlik natijasidir.

Kam quvvat talab qiladigan dizaynga ega Samsung’ning SD Express microSD kartasi yuqori tezlik va harorat boshqaruvi uchun optimallashtirilgan ichki dasturiy ta’minot texnologiyasi (firmware) tufayli kichik form-faktorda SSD bilan ekvivalent unumdorlikni taklif etadi. UHS-1 interfeysiga asoslangan an’anaviy microSD kartalarning o‘qish tezligi 104 MB/s bilan cheklangan bo‘lsa, SD Express uni 985 MB/s gacha oshirishga muvaffaq bo‘ldi. Bunday tezlik shu kungacha microSD kartalarida tijoriy jihatdan imkonsiz edi.

Samsung’ning SD Express microSD kartasining davomiy o‘qish tezligi 800 MB/s gacha chiqdi. Bu SATA SSD’larga qaraganda 1,4 marta (560 MB/s gacha) va an’anaviy UHS-1 xotira kartalariga nisbatan (200 MB/s gacha) to‘rt barobar tez ishlaydi. Bu esa turli ilovalarda, jumladan, shaxsiy kompyuterlar va mobil qurilmalarda ilg‘or hisoblash operatsiyalarini amalga oshirish imkonini beradi. Kichik form-faktorda barqaror ishlashi va ishonchliligini ta’minlash uchun Dynamic Thermal Guard (DTG) texnologiyasi SD Express microSD kartasida uzoq tinimsiz foydalanish holatlarida ham optimal haroratni saqlaydi.

Zamonaviy 1Tb V-NAND texnologiyasiga asoslangan 1TB UHS-1 microSD kartasi

Samsung‘ning yangi 1 terabaytli microSD form-faktorli kartasida kompaniyaning 8-avlod 1 terabit (Tb) V-NAND texnologiyasining sakkizta qatlami joylashtirilgan va bu oldin faqat SSD’larda mavjud bo‘lgan yuqori sig‘imli xotirani microSD kartalarida ham vujudga keltiradi. Yangi 1TB microSD karta sanoatning eng ayovsiz sinov parametrlaridan o‘tadi. Samsung suvdan himoya, yuqori haroratga bardoshlilik, qo‘ldan tushib ketgandagi zarbadan himoyalangan dizayn, eskirishdan himoya, shuningdek, rentgen nurlari va magnitdan himoya kabi xususiyatlari bilan og‘ir muhitlarda ham ishlaydigan ishonchli xotira kartasini taklif qiladi. [4]

Mavjudligi

256 Gb SD Express microSD kartasi joriy yilning oxirlarida va 1TB UHS-1 microSD kartasi joriy yilning uchinchi choragida sotuvga chiqariladi.

[1] 1 gigabayt (GB) = 1,000,000,000 bayt (1 milliard bayt). Ishlatish uchun qoladigan hajm oʻzgarishi mumkin.

[2] SD Express: PCIe Gen3x1 bilan jihozlangan yangi SD karta interfeysi (2019-yilning fevral oyida chiqarilgan SD 7.1 spetsifikatsiyasi asosida). SD Express kartaning nazariy uzatish tezligi 985 MB/s.

[3] 1 terabayt (TB) = 1,000,000,000,000 bayt (1 trillion bayt). Ishlatish uchun qoladigan hajm oʻzgarishi mumkin.

[4] Samsung har qanday zarar va/yoki maʼlumotlarning yoʻqolishi yoki xotira kartasi maʼlumotlarini tiklash natijasida kelib chiqqan xarajatlar uchun javobgar emas. Aytilgan oltita himoya xossalari faqat 1TB UHS-1 microSD kartasi uchun amal qiladi, 256GB SD Express microSD karta uchun emas. 1 metr chuqurlik, shoʻr suv, 72 soat. Ishlash harorati –25 ℃ dan +85 ℃ gacha (-13 °F dan +185 °F gacha), ishdan toʻxtaydigan harorat -40 ℃ dan +85 ℃ gacha (-40 °F dan +185 °F gacha). Standart aeroport rentgen apparatlariga bardosh beradi (100 mGy gacha). Katta maydonli MRT skanerining magnit maydoni ekvivalenti (15 000 gaussgacha). 5 metrdan tashlangan (16,4 fut) zarbaga bardosh beradi. Kartani portga 10,000 martagacha solib chiqarishga bardosh beradi.