Samsung bắt đầu sản xuất Bộ Nhớ băng thông rộng High Bandwidth Memory-2 với Tốc Độ Truyền Dữ Liệu Nhanh Nhất

Thế hệ HBM2, Aquabolt™ sở hữu mức hiệu suất DRAM cao nhất hiện nay, được ứng dụng trong các siêu máy tính, giải pháp AI và hệ thống đồ họa thế hệ mới

Samsung Electronics, công ty dẫn đầu về công nghệ bộ nhớ tiên tiến, vừa ra thông báo về việc bắt đầu sản xuất hàng loạt bộ nhớ High Bandwidth Memory-2 (HBM2) 8gb thế hệ 2 với tốc độ truyền dữ liệu nhanh nhất trên thị trường hiện nay. Giải pháp Aquabolt™ mới này là bộ nhớ HBM2 đầu tiên trong ngành cung cấp tốc độ truyền dữ liệu 2.4 gigabit/giây (Gbps) trên mỗi chân cắm, sẽ thúc đẩy việc mở rộng thị trường siêu máy tính và thẻ đồ họa.

“Với việc sản xuất HBM2 8 GB 2.4Gbps đầu tiên, chúng tôi đang đẩy mạnh hơn nữa vị thế dẫn đầu công nghệ và khả năng cạnh tranh trên thị trường của mình”, Jaesoo Han, phó chủ tịch bộ phận Bán hàng và Tiếp thị Bộ nhớ tại Samsung Electronics cho biết. “Chúng tôi sẽ tiếp tục củng cố lại vị trí lãnh đạo của mình trên thị trường DRAM thông qua việc đảm bảo một nguồn cung cấp HBM2 ổn định cho toàn thế giới, kịp thời cho nhu cầu phát triển các hệ thống thế hệ mới của các khách hàng của chúng tôi trong tương lai”.

HBM2 8 GB mới của Samsung mang lại mức hiệu suất DRAM cao nhất, với tốc độ truyền chân cắm 2.4Gbps ở điện áp 1.2V, nâng lên 50% mỗi bộ so với HBM2 8 GB đầu tiên của công ty với tốc độ truyền chân cắm 1.6Gbps ở điện áp 1.2V và 2.0Gbps ở điện áp 1.35V

Với những cải tiến này, một bộ Samsung 8GB HBM2 sẽ cung cấp băng thông dữ liệu 307 gigabyte mỗi giây (GBps), đạt tốc độ truyền dữ liệu nhanh hơn 9,6 lần so với chip GDDR5 8 gigabit (Gb) cho băng thông dữ liệu 32GBps.* Trang bị bốn bộ HBM2 mới trong một hệ thống sẽ cho phép băng thông 1.2 terabytes mỗi giây (TBps), giúp cải thiện hiệu năng hệ thống tổng thể tới 50% so với hệ thống sử dụng HBM2 1.6Gbps.

Aquabolt mới của Samsung đã gia tăng đáng kể vị thế dẫn đầu của công ty trong việc thúc đẩy sự tăng trưởng của thị trường DRAM cao cấp. Hơn thế nữa, Samsung sẽ tiếp tục cung cấp các giải pháp HBM2 tiên tiến, để tiếp nối thành công của thế hệ HBM2 thứ nhất Flarebolt™ và Aquabolt thế hệ thứ hai, tiếp tục mở rộng thị trường trong vài năm tới.

Để đạt được hiệu suất chưa từng có trước nay với Aquabolt, Samsung đã áp dụng các công nghệ mới liên quan đến thiết kế và kiểm soát nhiệt TSV. Một bộ HBM2 8 GB gồm tám đế HBM2 8Gb, được kết nối theo chiều dọc bằng cách sử dụng hơn 5.000 TSV (Through Silicon Vias – kết nối điện từ qua đế silicon) mỗi đế. Tuy sử dụng rất nhiều TSV có thể gây ra lệch tín hiệu clock, Samsung đã thành công trong việc giảm thiểu hiện tượng lệch tín hiệu đến một mức độ rất nhỏ và tăng đáng kể hiệu suất chip trong quá trình này.

Ngoài ra, Samsung đã tăng số lượng nốt tản nhiệt giữa các đế HBM2, cho phép kiểm soát nhiệt tốt hơn trong mỗi bộ. Ngoài ra, HBM2 mới bao gồm một lớp bảo vệ được bổ sung ở phía dưới, làm tăng độ bền tổng thể của cả bộ.

Để đáp ứng nhu cầu ngày càng tăng về DRAM HBM2 hiệu suất cao, Samsung sẽ cung cấp một nguồn Aquabolt ổn định cho khách hàng IT toàn cầu của mình và tiếp tục phát triển nhanh chóng công nghệ bộ nhớ cùng với các OEM hàng đầu trong nhiều lĩnh vực bao gồm siêu máy tính, trí thông minh nhân tạo và công nghệ xử lý đồ họa.