Samsung bắt đầu sản xuất đại trà DRAM 10 nm thế hệ 2

Samsung Electronics, công ty tiên phong về công nghệ bộ nhớ tiên tiến, đã công bố về việc bắt đầu sản xuất đại trà thế hệ 2 bộ nhớ DDR4 DRAM 8-gigabit (Gb) loại 10 nano mét* (1y-nm) vào hôm nay. Với mục đích ứng dụng trong một loạt các hệ thống máy tính thế hệ mới, DDR4 8gb có hiệu năng và khả năng tiết kiệm năng lượng tốt nhất đối với một chip DRAM 8gb, cũng như với kích thước nhỏ nhất.

Gyoyoung Jin, chủ tịch mảng Kinh Doanh Giải Pháp Lưu Trữ tại Samsung Electronics, cho biết: “Bằng cách phát triển các công nghệ tiên tiến trong thiết kế và chế tạo mạch DRAM, chúng tôi đã vượt qua được rào cản lớn nhất đối với khả năng mở rộng của DRAM. Thông qua việc tăng tốc chuẩn bị cho DRAM 10nm thế hệ 2, chúng tôi sẽ tích cực đẩy mạnh sản xuất DRAM 10nm, nhằm đáp ứng nhu cầu mạnh mẽ của thị trường và tiếp tục tăng cường khả năng cạnh tranh của doanh nghiệp”.

DDR4 8Gb loại 10 nm thế hệ 2 của Samsung có năng suất tăng lên khoảng 30% so với thế hệ đầu tiên của công ty là DDR4 8Gb loại 10 nm thế hệ thứ nhất. Ngoài ra, mức hiệu suất và hiệu quả năng lượng của DDR4 8Gb mới đã lần lượt được cải thiện khoảng 10 và 15 phần trăm, nhờ ứng dụng công nghệ thiết kế mạch lạc tiên tiến độc quyền. Bộ nhớ DDR4 8Gb thế hệ mới có thể hoạt động với tốc độ 3.600 megabit / giây (Mbps) trên mỗi pin, so với tốc độ 3.200 Mbps của DDR4 8Gb loại 1x-nm của công ty.

Để có thể đạt được những thành tựu này, Samsung đã áp dụng các công nghệ mới mà không sử dụng quy trình EUV, bao gồm việc ứng dụng hệ thống cảm biến dữ liệu tế bào có độ nhạy cao và mô hình “đệm hơi” tiên tiến.

Bên trong DRAM 10nm thế hệ 2 của Samsung, một hệ thống cảm biến dữ liệu mới đã được đặt vào cho phép xác định chính xác hơn dữ liệu được lưu trữ trong mỗi tế bào, giúp gia tăng đáng kể về mức độ tích hợp mạch và năng suất sản xuất.

DRAM 10nm mới còn có một bộ đệm hơi độc đáo được đặt xung quanh đường dẫn bit để giảm đáng kể điện dung ký sinh **. Việc ứng dụng bộ đệm hơi không chỉ cho phép nâng cao mức độ mở rộng, mà còn gia tăng tốc độ vận hành.

Với những bước tiến này, Samsung hiện đang đẩy nhanh kế hoạch giới thiệu chip và hệ thống DRAM thế hệ mới, bao gồm DDR5, HBM3, LPDDR5 và GDDR6 để sử dụng trong các máy chủ doanh nghiệp, thiết bị di động, siêu máy tính, hệ thống HPC và bo mạch đồ họa tốc độ cao.

Samsung đã hoàn tất thủ tục xác nhận các mô đun DDR4 loại 10nm thế hệ 2 với các nhà sản xuất CPU và các kế hoạch sắp tới để làm việc chặt chẽ với các khách hàng IT toàn cầu trong việc phát triển các hệ thống máy tính thế hệ mới hiệu quả hơn.

Ngoài ra, công ty sản xuất DRAM hàng đầu thế giới mong muốn đẩy mạnh sảnh xuất không chỉ đối với các dòng sản phẩm DRAM loại 10nm thế hệ 2 mà còn đối với dòng DRAM loại 10nm thế hệ thứ nhất, để đáp ứng nhu cầu ngày càng tăng đối với DRAM trong các hệ thống điện tử cao cấp trên toàn thế giới.

* Chú thích 1: Loại 10nm là để nói về điểm nút công nghệ xử lý trong khoảng 10 đến 19 nanomet. Samsung tung ra sản phẩm DRAM đầu tiên dựa trên quy trình 10nm vào tháng 2 năm 2016.

** Chú thích 2: Điện dung ký sinh là điện dung không mong muốn giữa các bộ phận của mạch điện tử hoặc bộ phận điện tử, bởi vì phạm vi của chúng gần nhau. Khi hai dây dẫn mang các điện áp khác nhau ở quá gần nhau, chúng sẽ chịu ảnh hưởng bất lợi từ điện trường của nhau và lưu trữ các điện tích khác nhau như điện tích của tụ điện.