Samsung bắt đầu sản xuất hàng loạt DRAM 12Gb LPDDR5 cho dòng smartphone cao cấp

18/07/2019
Share open/close
Sao chép URL.

Dựa trên tiêu chuẩn DRAM di động mới nhất, Samsung 12Gb LPDDR5 mới phát huy tối đa tiềm năng của 5G và AI trong các flagship tương lai.

Samsung Electronics, công ty hàng đầu thế giới về công nghệ bộ nhớ, tuyên bố rằng họ đã bắt đầu sản xuất hàng loạt DRAM di động LPDDR5 12-gigabit (Gb) đầu tiên, được tối ưu hóa cho chức năng 5G và AI của smartphone trong tương lai. Bộ nhớ di động mới này xuất hiện chỉ 5 tháng sau khi công bố sản xuất hàng loạt bộ nhớ LPDDR4X 12Gb, điều này tiếp tục củng cố dòng sản phẩm bộ nhớ cao cấp của công ty. Samsung cũng đã lên kế hoạch bắt đầu sản xuất hàng loạt bộ nhớ LPDDR5 12GB vào cuối tháng này, mỗi bộ kết hợp 8 chip 12Gb, đáp ứng các nhu cầu ngày càng cao về hiệu năng và dung lượng điện thoại từ các nhà sản xuất smartphone cao cấp.

 

“Với việc sản xuất hàng loạt LPDDR5 12Gb dựa trên quy trình lớp 10 nanomet (nm) thế hệ thứ hai mới nhất của Samsung, chúng tôi rất vui mừng vì đã hỗ trợ kịp thời để ra mắt chiếc flagship 5G cho tất cả khách hàng của chúng tôi trên toàn thế giới”, Jung-bae Lee, phó giám đốc điều hành bộ phận DRAM Product & Technology của Samsung Electronics cho biết. “Samsung vẫn sẽ liên tục giới thiệu các công nghệ bộ nhớ di động thế hệ tiếp theo mang lại hiệu năng và dung lượng cao hơn, chúng tôi sẽ tiếp tục thúc đẩy mạnh mẽ sự tăng trưởng của thị trường bộ nhớ cao cấp”.

 

Nhờ vào tốc độ và hiệu năng đứng đầu trong ngành, DRAM di động mới của Samsung có thể cho phép các dòng flagship thế hệ tiếp theo khai thác tối đa các khả năng của 5G và AI như quay video có độ phân giải cực kì cao và Máy Học, đồng thời cũng giúp kéo dài thời lượng pin.

 

Với tốc độ dữ liệu là 5,500 megabits trên giây (Mb/giây), LPDDR5 12Gb nhanh hơn khoảng 1.3 lần so với bộ nhớ di động trước đây trong các dòng smartphone cao cấp hiện nay (LPDDR4X, 4266Mb/giây). Khi gói 12GB được tạo thành, LPDDR5 có thể truyền 44GB dữ liệu hoặc khoảng 12 bộ phim HD (nặng 3.7GB) chỉ trong vòng 1 giây. Con chip mới này cũng sử dụng năng lượng ít hơn 30% so với thế hệ tiền nhiệm bằng cách tích hợp thiết kế mạch mới với tính năng xung nhịp, đảm bảo hiệu suất ổn định ngay cả khi hoạt động với tốc độ cao.

 

Để khả năng sản xuất linh hoạt hơn, Samsung đang cân nhắc chuyển việc sản xuất LPDDR5 12Gb sang khu Pyeongtaek (Hàn Quốc) bắt đầu vào năm tới tùy vào nhu cầu của khách hàng trên toàn thế giới. Sau khi giới thiệu DRAM di động LPDDR5 12Gb, Samsung cũng đang ấp ủ phát triển LPDDR5 16Gb vào năm tới để củng cố lợi thế của mình trên thị trường bộ nhớ toàn cầu.

 

[Tham khảo] Lịch trình DRAM di động của Samsung: Sản xuất/Sản xuất hàng loạt

 

Thời gian

Dung lượng Mobile DRAM

Tháng 7, 2019

12GB

10nm-class 12Gb LPDDR5, 5500Mb/s

Tháng 6, 2019 6GB

10nm-class 12Gb LPDDR5, 5500Mb/s

Tháng 2, 2019

12GB 10nm-class 16Gb LPDDR4X, 4266Mb/s

Tháng 4, 2018

8GB (Phát triển) 10nm-class 8Gb LPDDR5, 6400Mb/s
Tháng 9, 2016 8GB

10nm-class 16Gb LPDDR4X, 4266Mb/s

Tháng 8, 2015

6GB

20nm 12Gb LPDDR4, 4266Mb/s

Tháng 12, 2014 4GB

20nm 8Gb LPDDR4, 3200Mb/s

Tháng 9, 2014

3GB 20nm 6Gb LPDDR3, 2133Mb/s

Tháng 11, 2013

3GB

20nm-class 6Gb LPDDR3, 2133Mb/s

Tháng 7, 2013 3GB

20nm-class 4Gb LPDDR3, 2133Mb/s

Tháng 4, 2013

2GB 20nm-class 4Gb LPDDR3, 2133Mb/s
Tháng 8 2012 2GB

30nm-class 4Gb LPDDR3, 1600Mb/s

2011

1/2GB 30nm-class 4Gb LPDDR2, 1066Mb/s

2010

512MB

40nm-class 2Gb MDDR, 400Mb/s

2009

256MB

50nm-class 1Gb MDDR, 400Mb/s

Sản phẩm > Khác

Nếu có thắc mắc liên quan đến dịch vụ khách hàng, xin truy cập https://www.samsung.com/vn/info/contactus để được trợ giúp.
Nếu có các câu hỏi liên quan đến báo chí, xin liên hệ qua địa chỉ xinchao.samsung@samsung.com.

Xem qua những câu chuyện mới nhất về Samsung

Tìm hiểu thêm
Lên đầu trang