Samsung bắt đầu sản xuất hàng loạt sản phẩm System-on-Chip với công nghệ 10-nanometer (nm) FinFET

Samsung Electronics, thương hiệu đi đầu trong công nghệ bán dẫn tiên tiến, thông báo đã bắt đầu sản xuất hàng loạt sản phẩm System-on-Chip với công nghệ 10-nanometer (nm) FinFET đầu tiên trong ngành công nghiệp.

Vào tháng 1 năm 2015 sau khi sản xuất thành công hàng loạt bộ vi xử lý ứng dụng di động FinFET đầu tiên của ngành công nghiệp (AP), Samsung mở rộng trong việc cung cấp quy trình công nghệ tiên tiến mới nhất vào thị trường.

Theo ông Jong Shik Yoon, Phó Chủ tịch kiêm Trưởng phò ng mảng kinh doanh điện tử tại Samsung Electronics cho biết : “Việc sản xuất hàng loạt công nghệ 10nm FinFET đã chứng tỏ quá trình công nghệ tiên tiến của chúng tôi. Chúng tôi sẽ tiếp tục nỗ lực để đổi mới công nghệ, mở rộng quy mô và cung cấp giải pháp tổng thể khác biệt cho khách hàng của mình.”

Công nghệ 10nm FinFET của Samsung (10LPE) thông qua một cấu trúc bán dẫn 3D tiên tiến với các cải tiến bổ sung trong quy trình công nghệ và thiết kế so với sản phẩm tiền nhiệm 14nm, tăng 30% hiệu quả ở khu vực có hiệu suất cao hơn 27 % hay 40 % mức tiêu thụ điện năng thấp hơn. Để khắc phục những hạn chế mở rộng quy mô, Samsung đã cắt giảm những kỹ thuật vượt trội như ba khuôn mẫu định tuyến hai chiều được giữ lại thiết kế và định tuyến linh hoạt từ các nút trước.

Sau khi giới thiệu về quy trình công nghệ đầu tiên 10nm (10LPE), quy trình thế hệ thứ hai (10LPP) với hiệu suất tăng là mục tiêu sản xuất hàng loạt trong nửa năm sau trong năm 2017. Công ty có kế hoạch tiếp tục vai trò lãnh với một loạt quá trình phái sinh nhằm đáp ứng nhu cầu của một loạt các ứng dụng.

Thông qua sự hợp tác chặt chẽ với khách hàng và đối tác, Samsung mong muốn chuyên tâm vào công nghệ 10nm mạnh hơn bằng việc tham khảo xác minh, IPs và nghiên cứu.

Bộ dụng cụ sản xuất quá trình thiết kế (PDK) và bộ dụng cụ thiết kế IP hiện đang có sẵn cho việc thiết kế.